فری مغناطیس در نانوذرات فریت کبالت (CoFe2O4)

Ferrimagnetism in cobalt ferrite (CoFe2O4) nanoparticles

چکیده
1-مقدمه
2-مواد و روش‌ها
3- نتایج و بحث
4- نتیجه‌گیری
منابع

چکیده
در این تحقیق، نانوذرات فریمغناطیس فریت کبالت (CoFe2O4) با بهره‌گیری از روش هم‌رسوبی سنتز شد. خواصِ مغناطیسی و فیزیکی-شیمیایی محصول نهایی بر اساسِ بکارگیری سورفکتانت‌های ستیل‌ تری‌اتیل ‌آمونیم برومید (CTAB)، هگزامتیلن ‌تترامین (HMT) و پلی‌اتیلن‌گلایکول (PEG-400) بررسی شد. الگوی افتراق‌سنجی پرتو ایکس (XRD) و حالات فعال رامان حاکی از تشکیل ساختار مکعبی فریت کبالت بود. همچنین تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) نشان داد که محصول نهایی ساختاری کروی دارد و اندازه ذرات در آن متفاوت است. پیک‌های تابش فوتولومینسنس قوی تاییدی بر کیفیت محصول بود. ارتعاش اکسیژن فلزی فروسرخ در اعداد موج‌ cm-1 615 و 426 به ترتیب در مکان‌های تتراهدرال و اکتاهدرال سیستم فریت کبالت خودش را نشان داد. معلوم شد که رفتار الکتروشیمیایی محصول به اندازه دانه وابسته است و با استفاده از CTAB بالاترین ظرفیت ویژه مشاهده گردید. علاوه بر این، رفتار فری مغناطیس در دمای اتاق با استفاده از مطالعات مغناطیس‌سنج نمونه ارتعاشی (VSM) تایید شد. همچنین با استفاده از PEG حد مغناطش اشباع به emu/g 66 رسید. ذراتی که دارای اندازه دانه و بلورهای بزرگتری بودند، رفتار مغناطیسی بهتری از خود نشان دادند.

2-مواد و روش‌ها
کبالت نیترات هگزاهیدرات [Co(NO3)2 . 6H2O]، فریک تیترات نانوهیدرات [Fe(NO3)3 . 9H2O]، سدیم هیدروکسید (NaOH)، ستیل تترامتیل‌آمونیم برومید (CTAB)، هگزامتیلن‌تترامین (HMT) و پلی‌اتیلن‌ گلایکول (PEG-400) همگی از شرکت سیگما-آلدریچ تهیه شد. از روش هم‌رسوبی برای سنتز نانوذرات فریت کبالت استفاده شد که از جمله روش‌های شیمی تر است. در ابتدا 1 مولار (mol/L) از Co(NO3)2. 6H2O و 2 مولار (mol/L) از Fe(NO3)3 . 9H2O با یکدیگر با استفاده از همزن مغناطیسی به آرامی مخلوط شد و به آن محلول A لقب داده شد. سپس 1 مولار از CTAB در 10 میلی‌لیتر از آب دی‌یونیزه‌ حل شد و به آرامی به محلول A افزوده گشت. این محلول برای 10 دقیقه دیگر با همزن مخلوط گشت و به آن لقب محلول B داده شد. 20 مول از محلول آلکالین NaOH به عنوان عامل رسوب‌دهی درون محلول B ریخته شد. محلول که در ابتدا به رنگ قهوه‌ای کم‌رنگ بود به تدریج به قهوه‌ای پررنگ تغییر رنگ داد که نشانی از واکنش موفق میان آنها داشت. ذرات با اتانول و آب شستشو داده شد و پس از بکارگیری دستگاه گریز از مرکز، در 100 درجه سانتی‌گراد به مدت یک شبانه‌روز خشک گردید. همین فرآیند مجدداً این بار با بهره‌گیری از سورفکتانت‌های HMT و PEG-400 نیز تکرار شد. این پودرهای خشک‌شده در دمای 800 درجه سانتی‌گراد به مدت دو ساعت کلسینه شد و محصول نهایی به ترتیب C1، C2 و C3 نامگذاری شد. در انتها با بهره‌گیری از روش‌های استاندارد خواص هر یک شناسایی شد. رفتار الکتروشیمیایی و ظرفیت ویژه با مطالعات ولت‌سنجی چرخه‌ای (CV) بررسی شد. فریت کبالت سنتزشده با بهره‌گیری از سورفکتانت‌های مختلف CTAB، HMT و PEG به عنوان ماده فعال انتخاب شد. در ابتدا 70% ماده فعال، 20% عامل رسانا (کربن فعال) و 10% متصل‌کننده (binder) به شکل همگنی با کمک حلال ان-متیل 2 پیرولیدینون با یکدیگر مخلوط شد. برای متصل‌کننده از پلی‌ونیلیدین هگزافلوراید (PVDF) استفاده شد. این مخلوط ثابت روی صفحه گرافیتی کم‌هزینه به اندازه 1 سانتی‌متر در 1 سانتی‌متر لایه‌نشانی شد و سپس در گرمکنی با دمای 120 درجه سانتی‌گراد برای 14 ساعت خشک گردید. در پایان، صفحات گرافیتی که روی آنها ماده فعال پوشش داده شده بود به عنوان الکترود در مطالعات ولت‌سنجی چرخه‌ای به کار گرفته شد. همچنین از Ag/AgCl2 به عنوان الکترود مرجع، سیم پلاتین به عنوان الکترود مخالف و محلول 1 مولار NaOH به عنوان محلول الکترولیت استفاده شد. از روی فرمول و مساحت منحنی CV، مقدار ظرفیت ویژه هر ماده محاسبه شد. تغییرات پتانسیل الکتریکی به 0/2 تا 0/1 ولت در نرخ پیمایش‌های متفاوت 15، 30، 45 و 60 ثانیه محدود شد.

3- نتایج و بحث
نانوذرات فریت کبالت مغناطیسی (CoFe2O4) از طریق روش شیمی‌ تر با بهره‌گیری از سورفکتانت‌های مختلف نظیر CTAB، HMT و PEG-400 سنتز شد. در حین سنتز، افزودن CTAB باعث می‌شد تا بخش‌های منفی محلول پیش‌ساز به سمت انتهای مثبت CTAB حرکت کند و نتیجه آن آمیختگی کمتر است. هگزامین حل‌شده (HMT) در آب باعث تولید مداوم یون‌های هیدروکسید (OH-) در محلول پیش‌ساز می‌شود و ناگهان pH محلول عوض می‌شود. یون‌های هیدروکسید تولیدی باعث تشکیل لایه‌های مایسلی در اطراف هیدروکسید فریت کبالت می‌شود که به نوبه خود منجر به مورفولوژی متراکمِ محصولات کروی نهایی با آگلومره کمتر خواهد شد. افزودن PEG-400 به عنوان عامل اتصال بود و باعث اندازه دانه بزرگتر با قطرهای نامساوی شد و همچنین تغییر در مورفولوژی ذره مشاهده شد. مزایای روش‌های سنتز در کار فعلی برای محصولات نهایی در مقایسه با دیگر روش‌ها نشان می‌دهد که اگر عواملی نظیر سورفکتانت‌های CTAB، HMT و PEG-400 و شرایط سنتز شیمیایی بهینه‌سازی شود، آنگاه می‌توان نانوذرات فریت کبالت را با توزیع‌های متفاوت و مورفولوژی مختلف تهیه کرد. روش هم‌رسوبی یکی از روش‌های ساده، کمتر سمی، سریع و با ظرفیت بالا بدون تحمیل هزینه زیاد برای سنتز نانومواد با اندازه دانه مطلوب به کمک سورفکتانت‌ها مختلف در شرایط بهینه است. بهره‌وری کاربردها صرفاً به خلوص فازهای تهیه‌شده، اندازه بلورها و اندازه ذرات ماده بستگی دارد که به سادگی در روش هم‌رسوبی با تنظیم دمای زینترینگ، زمان واکنش و دیگر عوامل اثرگذار قابل کنترل است. اگرچه روش سنتز به کمک سورفکتانت بسیار متداول است، نقشِ سورفکتانت بر رفتار مغناطیسی چندان مطالعه نشده است. مطالعه حال حاضر معلوم کرد که سورفکتانت یکی از عوامل مهم در تنظیم مورفولوژی ماده است.

غشای پیزوالکتریک برای ویسکوزیته مایعات و اندازه گیری تراکم توده

Piezoelectric-excited membrane for liquids viscosity and mass density measurement

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

غشای پیزوالکتریک برای ویسکوزیته مایعات و اندازه گیری تراکم توده

Piezoelectric-excited membrane for liquids viscosity and mass density measurement

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

گذردهی دی الکتریک عظیم با اتلاف کم در سرامیک SnO2 روتیل کو دوپ شده با (Al+Nb) در دمای اتاق

Colossal dielectric permittivity in (Al + Nb) co-doped rutile SnO2 ceramics with low loss at room temperature

اکتشاف مواد دارای گذردهی عظیم دی الکتریک (CP) همراه با اتلاف کم دی الکتریک در طیف گسترده ای از فرکانس ها / دماها، همچنان علاقه قابل توجهی را جلب می کند. ما در این مقاله، سرامیک های SnO2 روتیل کو دوپ شده با (Al+Nb) همراه با اتلاف کم دی الکتریک در دمای اتاق را گزارش می کنیم. سرامیک های Al0.02Nb0.05Sn0.93O2 و Al0.03Nb0.05Sn0.92O2 گذردهی های دی الکتریک نسبتا بالا (بالای 103) و اتلاف-های دی الکتریک کم (0.015<tanδ<0.1) را در طیف گسترده ای از فرکانس ها و دماها از 140 تا 400 درجه کلوین نشان می دهند. دوپ کردن آلومینیوم می تواند با افزایش مقاومت های دانه و مرز دانه، رفتار دی الکتریک را تعدیل کند. تفاوت های موجود در مقاومت و انرژی فعال سازی رسانا در دانه ها و مرز دانه ها نشان می دهد که می توان CP را در سرامیک های SnO2 کو دوپ شده به اثر خازنی لایه ی مانع داخلی نسبت داد.

ترکیبات دارای گذردهی عظیم دی الکتریک (CP˃103) به علت کاربردهایشان در ذخیره سازی چگالی با انرژی بالا و میکروالکترونیک ها، در نتیجه تقاضای فزآینده کاربردهای میکروالکترونیک، توجه بسیاری را جلب کرده اند. مواد CP فروالکتریک، از قبیل BaTiO3، Bi0.5Na0.5TiO3، (K,Na)NbO3 و (1-x)[Pb(Mg1/3Nb2/3]O3-x[PbTiO3] (PMN-PT) به طور گسترده ای مطالعه شده اند؛ با این حال، CP تنها در یک محدوده ی دمایی کوچک در اطراف دمای کوری حاصل می شود، که این امر کاربرد آنها را محدود می کند. CP در طیف گسترده-ای از دماها در مواد غیر فروالکتریک مرسوم، از قبیل CaCu3Ti4O12 (CCTO)، NiO دوپ شده، La2xSrxNiO4 و ZnO گزارش شده است؛ با این حال، اتلاف دی الکتریک در این مواد بسیار بالاست (˃0.1) که مورد استفاده قرار گیرند. اگرچه CCTO دوپ شده و Y2/3Cu3Ti4O12 دوپ شده، CP دارای اتلاف کم دی الکتریک را نشان می دهند، اتلاف کم دی الکتریک را تنها می توان در طیف محدودی از فرکانس بدست آورد. اخیرا، هو پی برد که سرامیک های روتیل (TiO2) کو دوپ شده با In-Nb، CP دارای اتلاف کم دی الکتریک (⁓0.05) را در طیف گسترده ای از دماها / فرکانس ها نشان می دهد؛ اما اتلاف کم دی الکتریک به شدت به شرایط سنتز بستگی دارد. بنابراین، مواد CP جدید دارای اتلاف کم دی الکتریک در طیف گسترده ای از دماها و فرکانس ها هنوز مورد بررسی قرار می گیرند.

به طور خلاصه، CP و اتلاف کم در سرامیک های SnO2 روتیل کو دوپ شده با Al+Nb را در طیف گسترده ای از فرکانس ها و دماها گزارش کردیم. سرامیک های SnO2 کو دوپ شده با Al+Nb اتلاف دی الکتریک کم تری نسبت به مواد CP غیر فروالکتریک مرسوم، همراه با یک عدم وابستگی عالی فرکانس / دما را نشان دادند. تفاوت-های زیاد موجود در مقاومت و انرژی فعال سازی رسانا بین دانه و مرز دانه نشان می دهد که اثر IBLC مسئول CP است. دوپ کردن آلومینیوم می تواند رفتار دی الکتریک را با افزایش مقاومت های دانه و مرز دانه تعدیل کند. افزایش مقاومت مرز دانه می تواند به طور موثری اتلاف دی الکتریک را کاهش دهد؛ در حالی که، افزایش مقاومت دانه، زمان آرامش τ را افزایش خواهد داد؛ که منجر به اتلاف بیشتر دی الکتریک هنگامی که سطح دوپ کردن آلومینیوم بیش از 0.04 باشد، می شود.

The exploration of colossal dielectric permittivity (CP) materials with low dielectric loss in a wide range of frequencies/temperatures continues to attract considerable interest. In this paper, we report CP in (Al þ Nb) co-doped rutile SnO2 ceramics with a low dielectric loss at room temperature. Al0.02Nb0.05Sn0.93O2 and Al0.03Nb0.05Sn0.92O2 ceramics exhibit high relative dielectric permittivities (above 103 ) and low dielectric losses (0.015 < tan d < 0.1) in a wide range of frequencies and at temperatures from 140 to 400 K. Al doping can effectively modulate the dielectric behavior by increasing the grain and grain boundary resistances. The large differences in the resistance and conductive activation energy of the grains and grain boundaries suggest that the CP in co-doped SnO2 ceramics can be attributed to the internal barrier layer capacitor effect.

The compounds with a colossal dielectric permittivity (CP > 103 ) have attracted a lot of attention because of their applications in high-energy density storage and microelectronics as a result of the continually increasing demands of microelectronics applications.1–4 Ferroelectric CP materials, such as BaTiO3, 5,6 Bi0.5Na0.5TiO3, 7 (K,Na)NbO3, 8 and (1-x)[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-x[PbTiO3] (PMN-PT),9,10 have been widely studied; however, the CP can only be achieved in a small temperature range around the Curie temperature, which limits their application. CP has been reported across a wide range of temperatures in the traditional nonferroelectric materials, such as CaCu3Ti4O12 (CCTO),2,11 doped NiO,12 La2xSrxNiO4, 13,14 and ZnO;15,16 however, the dielectric loss in these materials is too high (>0.1) to be applied. Although doped CCTO17 and doped Y2/3Cu3Ti4O12 (Ref. 18) show CP with low dielectric loss, the low dielectric loss can only be achieved in a narrow frequency range. Recently, Hu et al. found that In þ Nb co-doped rutile TiO2 ceramics exhibit CP with low dielectric loss (0.05) over a very broad range of temperatures/frequencies,19 but the low dielectric loss strongly depends on the synthesis conditions.20–23 Therefore, new CP materials with low dielectric loss over a wide range of temperatures and frequencies are still being investigated.

In summary, we have reported CP and low loss in Al þ Nb co-doped rutile SnO2 ceramics across a broad range of frequencies and temperatures. Al þ Nb co-doped SnO2 ceramics exhibit lower dielectric loss than traditional nonferroelectric CP materials, with an excellent independence of frequency/temperature. The large differences in the resistance and conductive activation energy between the grain and grain boundary suggest that the IBLC effect is responsible for the CP. Al doping can modulate the dielectric behavior by increasing grain and grain boundary resistances. The increase in grain boundary resistance can effectively reduce dielectric loss; meanwhile, the increasing grain resistance will increase the relaxation time s, resulting in a higher dielectric loss when the Al doping level exceeds 0.04.

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

گذردهی دی الکتریک عظیم با اتلاف کم در سرامیک SnO2 روتیل کو دوپ شده با (Al+Nb) در دمای اتاق

Colossal dielectric permittivity in (Al + Nb) co-doped rutile SnO2 ceramics with low loss at room temperature

دستکاری حرکت میکرو و نانوساختار با میدان مغناطیسی

Manipulation of micro- and nanostructure motion with magnetic fields

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

دستکاری حرکت میکرو و نانوساختار با میدان مغناطیسی

Manipulation of micro- and nanostructure motion with magnetic fields

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

اثرات پیکربندی های اسپن و کشش هادی روی توزیع میدان مغناطیسی زیر خطوط انتقال هوایی

The Effects of the Span Configurations and Conductor Sag on the Magnetic-Field Distribution under Overhead Transmission Lines

Abstract

Ground level electric and magnetic-fields from overhead power transmission lines are of increasingly important considerations in several research areas due to their impact on health and environmental issues. The paper presents a more generalized technique to calculate the magnetic-field generated by power transmission lines in three dimension coordinates. This technique has been evolved, formulated, analyzed and applied to a suggested 500-kV single circuit transmission line to evaluate the effects of line topology and terrain topography on the computed magnetic-field. The results are compared with two-dimensions technique.

1 Introduction

PRECISE analytical modeling and quantization of electric and magnetic-fields produced by overhead power transmission lines are important in several research areas [1]- [3]. Considerable research and public attention concentrated on possible health effects of extremely low frequency (ELF) electric and magnetic-fields [4-5]. An analytical calculation of the magnetic-field produced by electric power lines is produced in [6] and [7], which is suitable for flat, vertical, or delta arrangement, as well as for hexagonal lines. Also the estimation of the magnetic-field intensity at locations under and far from the two parallel transmission lines with different design arrangements is presented in [8]. The effects of conductors sag on the spatial distribution of the magnetic-field are presented in [9], in case of equal heights of the towers, equal spans between towers and the power transmission lines’ spans being always parallel to each others.

In this paper, the magnetic-field is calculated by two different techniques; 2-D straight line technique and 3-D integration technique, where the effect of the sag in the magnetic-fields calculation, and the effects of unequal span distances between the towers, unequal towers heights, and when the power transmission lines’ spans are not in straight line are investigated. The proposed three-dimension integration technique has been applied to different cases in order to justify its generalization for magnetic-field produced by actual transmission line configuration, arrangement, and terrain topography, and also has been applied to a suggested 500-kV single circuit overhead transmission line as an application case study.

نقاط کوانتومی و کاربرد های چندگانه آنها

Quantum Dots and Their Multimodal Applications: A Review

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

نقاط کوانتومی و کاربرد های چندگانه آنها

Quantum Dots and Their Multimodal Applications: A Review

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

خواص اپتیکی فیلمهای نازک تلورید کادمیوم تبخیر شده

Optical properties of thermally evaporated cadmium telluride thin films

چکیده

1- مقدمه

2- آزمایش

1- 2- رسوبدهی فیلم های CdTe

2- 2- خصوصیات فیلم ها

3- نتایج و بحث

4- نتایج

چکیده

فیلم های CdTe چند بلوری با استفاده از تکنیک تبخیردر خلاء در دمای 373 درجه کلوین برروی زیرلایه های شیشه رسوب داده اند (ته نشین شده اند). عبور ی و بازتابی به ترتیب در برخورد قائم ونزدیک به قائم، در دامنه طیفی 200–2500 nm اندازه گیری شدند. وابستگی ضریب جذب، α به انرژی فوتون تعیین شده است. تجزیه و تحلیل نتیجه بدست آمده نشان داد که برای فیلم های CdTe با ضخامت های مختلف، گذر مستقیم با انرژی گاف باند 1.45–1.52 eV رخ می دهد. ضرایب شکست و خاموشی در دامنه طیفی فوق مورد ارزیابی قرار گرفته اند. تحلیل XRD تائید نمود که فیلم های CdTe دارای ساختار چند بلوری و شش ضلعی هستند.در مورد تلورید کادمیوم، پارامترهای شبکه فیلم های نازک، با داده های JCPDS 82-0474 تقریباً مطابقت دارند.

4- نتایج

تحلیل XRD نشان می دهد فیلم های CdTe چند بلوری تک فاز، برروی زیرلایه های شیشه ای آمورف رسوب کرده و افزایش اندازه کریستالیت فقط در دامنه 63 تا 95 Å است. آنیلینگ (بازپخت) نمونه ها، تبلور فیلم ها را بهبود می بخشد. وابستگی پارامترهای نوری فیلم ها به انرژی نور، از کاراکتر مستقیم گذر بین باندی از طریق یک گاف باند بهینه در دامنه 1.45–1.50 eV. حمایت می کند. تغییر در ثابت های نوری به صورت تابع طول موج در طبیعت نوسان داشته، و به ضخامت نمونه بستگی دارد. فیلم های CdTe از حساسیت نوری پائینی برخوردارند.

Abstract

Polycrystalline CdTe films have been deposited onto glass substrates at 373 K by vacuum evaporation technique. The transmittance and reflectance have been measured at normal and near normal incidence, respectively, in the spectral range 200–2500 nm. The dependence of absorption coefficient, α on the photon energy have been determined. Analysis of the result showed that for CdTe films of different thicknesses, direct transition occurs with band gap energies in the range 1.45–1.52 eV. Refractive indices and extinction coefficients have been evaluated in the above spectral range. The XRD analysis confirmed that CdTe films are polycrystalline having hexagonal structure. The lattice parameters of thin films are almost matching with the JCPDS 82-0474 data for cadmium telluride.

4- Conclusions

Single-phase polycrystalline CdTe films have been deposited onto amorphous glass substrates as revealed from XRD analysis and evaluated crystallite size ranging from 63 to 95 Å only. Annealing of the samples improve crystallinity of the films. The dependence of the optical parameters of the films on the light energy supports the direct character of the interband transition through an optical band gap in the range 1.45–1.50 eV. The variation in optical constants as a function of wavelength is oscillatory in nature, which depends on the thickness of the sample. CdTe films are of low photosensitivity

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

خواص اپتیکی فیلمهای نازک تلورید کادمیوم تبخیر شده

Optical properties of thermally evaporated cadmium telluride thin films

بسط رویکرد گینزبرگ – لاندو برای گازهای فرمی فوق‌العاده سرد زیر دمای بحرانی

Extension of the Ginzburg–Landau approach for ultracold Fermi gases below a critical temperature

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

گسترش روش گینزبورگ-لانداو برای گازهای فرومی فراگیر زیر دمای بحرانی

Extension of the Ginzburg–Landau approach for ultracold Fermi gases below a critical temperature

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

شبیه سازی دینامیک مولکولی (MD) کشش تک محوره برخی تک کریستالهای فلزات مکعبی در مقیاس نانو

Molecular dynamics (MD) simulation of uniaxial tension of some single-crystal cubic metals at nanolevel

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

شبیه سازی دینامیک مولکولی (MD) کشش تک محوره برخی تک کریستالهای فلزات مکعبی در مقیاس نانو

Molecular dynamics (MD) simulation of uniaxial tension of some single-crystal cubic metals at nanolevel

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

موادی با ویژگی های مغناطیسی

Materials with specific magnetic properties

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

موادی با ویژگی های مغناطیسی

Materials with specific magnetic properties

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.