مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار	2009
تعداد صفحات مقاله انگلیسی	8 صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله	مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله	مدارهای مجتمع الکترونیک، مهندسی الکترونیک و سیستمهای الکترونیک دیجیتال
مجله	مجله مدارهای حالت جامد – JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS
دانشگاه	گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه A & M تگزاس، ایالات متحده آمریکا
کلمات کلیدی	امپلی فایر ها،مدارات مجتمع آنالوگ CMOS، امپلی فایر های عملیاتی سریع، مدار های مجتمع ولتاژ پایین و توان پایین، امپلی فایر های عملیاتی، امپلی فایر های ترانسکندوکتانس عملیاتی
شناسه شاپا یا ISSN	ISSN 1558-173X
رفرنس	دارد
لینک مقاله در سایت مرجع	لینک این مقاله در سایت IEEE
نشریه آی تریپل ای

• فهرست مطالب:

چکیده

1- مقدمه

2- امپلی فایر FC پیشنهادی

3- ویژگی های RFC

الف: ترانسکندوکتانس سیگنال کوچک

ب: بهره فرکانس پایین

پ: نرخ تغییر ولتاژ

حاشیه فاز

ج: سطح و توان

4- پیاده سازی

5-نتایج ازمایشی و شبیه سازی

6.نتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

نتیجه گیری

گزارش شده است که تغییرات پیشنهادی در کاسکود تابیده متعارف با مساحت و توان یکسان موجب افزایش بهره، پهنای باند و نرخ تغییرات بدون اثر نامطلوب بر عملکرد نویز یا افست ورودی می شود و این منجر به FOM بهتری می شود. از سوی دیگر با استفاده از نصف توان و مساحت در کاسکود تابیده، امپلی فایر پیشنهادی قادر به ایجاد عملکرد دینامیکی یکسان است ولی به قیمت افزایش نویز 2.3 دسیبل و افست 40 درصد است. نتایج نظری با هم خوانی خوب با داده های ازمایشی و شبیه سازی تایید شد.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

VI. CONCLUSION

It has been demonstrated that the proposed modifications to the conventional folded cascode, using the same area and power budgets, can boost the gain, bandwidth and slew rate without adversely affecting the noise performance or introducing offset, which results in a better FoM. On the other hand, by using half the area and half the power budgets of the conventional folded cascode, the proposed amplifier is still capable of delivering the same dynamic performance, but on the expense of a 2.3 dB noise increase and 40% added offset. The theoretical results were con- firmed with good agreement by both experimental and simulation data.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله با فرمت ورد

نوشته دانلود مقاله ترجمه شده کسکود تا شده بازیابی – IEEE 2009 اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

• بخشی از ترجمه:

چکیده
این مقاله یک تقویت کننده ی شبه- تفاضلی کلاس-AB برمبنای اینورتر CMOS برای کاربردهای HF، با استفاده از مدار ساده rail-to-rail CMFB را ارایه می دهد. مدار ارایه شده، دارای دو اینورتر CMOS و فیدبک حالت-مشترک مکمل (CMFB) _که خود متشکل از آشکارساز حالت-مشترک حالت جریان و تقویت کننده های ترنز-امپدانسی (transimpedance)، بوده_ می باشد. این مدار با استفاده از فناوری CMOS ٠.١٨ نانومتری تحت ولتاژ منبع ١ ولت، طراحی شده است، و نتایج شبیه سازی نشان می دهند که نوسان خروجی rail to rail با استفاده از گین حالت-مشترک پایین (-١۵ dB)، بدست می آید. نوسان خروجی مدار ٠.٧ v می باشد. تلفات توان مدار ٠.٩۶ میکرووات می باشد.
کلیدواژه: تقویت کننده ی شبه تفاضلی ، و فیدبک حالت-مشترک، کلاس-AB، اینورتر CMOS
١.مقدمه:
امروزه، یک مدار آنالوگ با کارکرد خوب _عمدتا بسبب پیشرفت ساختن مدار مجتمع فراوان با سیستم های مداری پیچیده، و نیاز به وسایل قابل حمل با منبع باطری_ بایسته شده است. اگرچه، کاهش منبع ولتاژ در مدارات آنالوگ باعث کاهش عملکرد زیادی می شود، و بنابراین، ترفندهای تازه ای برای طراحی نیاز است تا مدارات آنالوگ با پهنای باند، بهره، و خطی بودن کافی را بدست آورد.
تقویت کننده ی هدایت عرضی (OTA)، یکی از پایه ای ترین سلول ها _از آنجایی که OTA کاربرد زیادی در بسیاری از مدارات آنالوگ مانند تقویت کننده عملیاتی، مقایسه گرهای ولتاژ، مبدل های A-D و D-A و فیلترهای فرکانس بالا، دارد_ می باشد. روش های زیادی هم با استفاده از پیکربندی کاملن تفاضلی و هم با استفاده از پیکربندی شبه تفاضلی، برای طراحی OTA ولتاژ پایین [١-۴] ارایه شده اند. FD بطور معمول، مبنی بر یک جفت تفاضلی با یک منبع جریان tail است، درحالی که PD مبنی بر دو اینورتر مستقل، بدون منبع جریان tail می باشد

• بخشی از مقاله انگلیسی:

Abstract

This paper presents a CMOS inverter-based c1ass-AB pseudo differential amplifier for HF applications using new sim pIe rail-to-rail CMFB circuit. The proposed circuit em ploys two CMOS inverters and the complementary common-mode feedback (CMFB) consisting of current mode common-mode detector and transimpedance amplifiers. The circuit has been designed using 0.18 f.IID. CMOS technology under 1 V supply, and the simulation results shows that the rail to rail output swing is achieved with low common-mode gain (-15 dB). The output swing of the circuit is 0.7 V. The power dissipation of the circuit is 96 JlW.

1. INTRODUCTION

common-mode Nowadays, a high performance analog circuit using low voltage becomes essential mainly due to the advance of the large scale integration with complicated circuit systems and the demand for battery-operated portable equipments. However, supply voltage reduction in analog circuit causes several performance degradations and, therefore, new approaches in the design are needed to obtain analog circuits with enough bandwidth, gain and linearity. Operational transconductance amplifier (OTA) is one of the most basic cells as OT A fmds many applications in many analog circuits such as operational amplifier, voltage comparators, A-D and D-A converters and high frequency filters. Several approaches have been proposed to design low voltage OTA [1-14] using both fully differential (FD) and pseudo-differential (PD) configurations. FD is typically based on a differential pair with a tail current source while PD is based on two independent inverters without tail current source. It is known that avoiding the voltage drop across the tail current source, in a PD structure, allows wider input and output ranges, and makes the architecture attractive for low powersupply applications.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله

نوشته دانلود مقاله ترجمه شده معکوس کننده CMOS مبتنی بر تقویت کننده شبه تفاضلی کلاس AB – مجله IEEE اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

• فهرست مطالب:

 چکیده
۱ مقدمه
۲ تولید تقویت کننده تفاضلی خلا ND
۳ تعیین خصوصیات و مدل سازی تقویت کننده های تفاضلی
۴ نتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

۴ نتیجه گیری

جزء اساسی یک مدار تقویت کننده تفاضلیND-VFET برای  IC خلا  ایجاد و  اجرا شد. فرایند میکروفابریکیشن شامل  استفاده از روش امیتر گیت انتقال قالب  همراه با رسوب ND و تقسیم بندی گیت برای  تولید جفت ND-VFET بر روی یک تراشه استفاده شد. جفت خصوصیات ترانزیستور   تابش میدانی  مطابقت خوبی را با ولتاژ روشن  پایین و جریان برخوردی به گیت  قابل چشم پوشی نشان داد. ND-VFETمدولاسیون یا تنظیم کنترل شده  گیت  تابش  را با  مناطق خطی و اشباع نشان داد. خصوصیات  تقویت سیگنال امپلی فایر های تفاضلی ND-VFET ارایه شده است. نسبت ردٌ مد-مشترک[سي ام آر آر ] یا  نسبت مقدار مؤثر ولتاژ تداخلي مد-مشترک  (CMRR)  به میزان 54.6 dB برای  تقویت کننده تفاضلی اندازه گیری شد. تغییرات عملکرد CMRR با  رسانایی متقابل بررسی شده و نتایج با تحلیل  مدل مدار معادل هم خوانی داشت. رسیدن به این  جزء اساسی مدار، که متشکل از یک تقویت کننده تفاضلی است نشان دهنده امکان استفاده از مدار های تلفیقی خلا برای کاربرد های عملی از جمله ابزار های الکترونیکی فضایی متحمل به دما و  تابش بالا است.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

V. CONCLUSION

A basic circuit building block of ND-VFET diff-amp for vacuum IC has been developed and implemented. A dualmask microfabrication process involving the mold-transfer selfaligned gate–emitter technique coupled with ND deposition and gate partitioning has been employed for the fabrication of the ND-VFET pairs on a chip. The ND-VFET pair showed wellmatched field emission transistor characteristics with low gate turn-on voltage and negligible gate intercepted current. A large CMRR of ∼540 (54.6 dB), which is consistent with the estimated value in the analysis model, was realized at an operating gate voltage of 42 V with a transconductance of 4 μS. The enhancement of CMRR with increasing gate voltage as well as transconductance was observed, agreeing with the equivalent circuit analysis and suggesting that higher CMRR is achievable at higher operation voltage. The successful implementation of this basic circuit building block, consisting of an integrated VFET diff-amp, demonstrates the feasibility of using vacuumbased ICs for practical applications, including high-speed and temperature- and radiation-hardened electronics.

نوشته دانلود مقاله ترجمه شده تقویت کننده دیفرانسیلی یکپارچه تابش میدانی خلا نانو الماس – مجله IEEE اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

فهرست مطالب:

چکیده
۱  مقدمه
۲  پیشینه
۳  شیشه های Sb2O2 دوپینگ شده با Er

۱  ۳ آماده سازی و توصیف مشخصات
۲  ۳ خصوصیات شیشه و طیف بینی یونهای خاک نادر
۳  ۳ ساختار محلی یونهای خاک نادر در شیشه Sb2O2
۴  ۳ خواستگاه و مبدا محیط غیر سیلیکات

۴  مواد اصلی برای آمپلی فایر باند U

۱  ۴ کاندیدهای خاک های نادربرای گسیل ۱٫۶
۲  ۴ آیا ما واقعاً طیف های Er3+ را می شناسیم؟
۳  ۴ انتشار خط در موادسرامیکی شیشه ای  ER:YAG

۵  شیشه های دوپینگ شده با Tm برای آمپلی فایر باند S

۱  ۵ گذرهای نوری در یون TM3+
۲  ۵ آماده سازی شیشه و اندازه گیریها
۳  ۵ طیف بینی (اسپکتروسکوپی) شیشه دوپینگ شده به صورت مجزا
۱  ۳  ۵ طیف های فلورسانس
۲  ۳  ۵ آنالیز Judd و بازده کوانتومی در تلوریت
۳  ۳  ۵ وابستگی غلظت گسیل (انتشار)
۴  ۳  ۵ وابستگی دمایی طیف ها
۴  ۵ اثر دوپینگ مشترک Ho, Tb, Eu

۶ نتایج

بخشی از ترجمه:

مقدمه

به خاطر افزایش سریع ترافیک اطلاعاتی و نیاز به شبکه های انعطاف پذیر، نیاز فوری به آمپلی فایرهای نوری با طیف بهره تخت و پهن در پنجره مخابرات در سیستم شبکه WDM می باشد. بعد از اختراع آمپلی فایر فیبر دوپینگ شده با Er (EDFA) ، انواع و اقسام وسایل آمپلی فایر به منظور عریض نمودن پهنای باند مخابراتی در شبکه WDM توسعه یافته است. آمپلی فایرهای فیبر فلورید دوپینگ شده با Tm3+  و Pr3+  به ترتیب برای کاربردهای باند O و S شکل توسعه یافته اند. پایایی و قابلیت اعتماد بلند مدت فیبرهای فلورید هنوز هم یک مسئله مهم برای کاربرد و استفاده عملی می باشد. آمپلی فایر رامان تشکیل شده از فیبر سیلیس متداول نیز در سیستم WDM کاربرد دارد که نیاز به بهره کوچک   در رنج طول موج زیاد دارد. رنج بهره و پهنای باند را از طریق طول موج و پیکره بندی پمپ ها می توان کنترل نمود. اما، قدرت پمپ مورد نیاز در مقایسه با آمپلی فایرهای فیبر دوپینگ شده با خاک نادر بسیار بالا می باشد. آمپلی فایرهای دوپینگ شده با خاک نادر به خاطر بازده و کارایی تبدیل توان و نیروی بالایشان ، در سیستم واقعی کاربرد دارند. بخش کثیری از EDFA استفاده شده در حال حاضر از جنس فایبرگلاس بر مبنای سیلیس می باشد که یونهای دوپینگ شده Er3+  باند گسیل باریکی در ۱٫۵۵  نشان می دهند که این مسئله موجب شکل گیری طیف بهره محدودی می شود. بعد از گزارش طیف های پهن، موری از عملکرد عالی EDFA بر مبنای تلوریت خبر داد که بهره ای به عرض ۸۰ حول ۴٫۵۳ نشان می دهد. به منظور افزایش کانال ها وارتقاء عملکرد شبکه WDM ، تحقیق و پژوهش در مورد ماده ای با طیف بهره پهن تر، مهم می باشد.

بخشی از مقاله انگلیسی:

Introduction

Due to rapid increase of information traffic and the needfor flexible networks, there exists urgent demand foroptical amplifiers with a wide and flat gain spectrum in thetelecommunication window, to be used in the wavelengthdivision-multiplexing (WDM) network system1). Afterthe invention of the Er-doped fiber amplifier (EDFA),various types of amplifier devices have been developed inorder to broaden the telecommunication bandwidth in theWDM network[P1]. Tm3+-doped and Pr3+-doped fluoridefiber amplifiers have been developed for the S-band andO-band applications, respectively. Long-term reliabilityof fluoride fibers is still an issue for practical use[P2]. TheRaman amplifier composed of conventional silica fiber isalso becoming practical use in WDM system that requiressmall gain (~10dB) in broad wavelength range. The gainrange and bandwidth can be controlled by the wavelengthand configuration of pumps. However, the pump powerrequired is very high compared with the rare-earth dopedfiber amplifiers. Still the rare earth doped amplifiers canbe promising in the practical system due to their highpower conversion efficiency. Most of the EDFA utilized at present is made of silicabasedglass fiber, where doped Er3+ ions show narrowemission band at 1.55?m resulting in narrow gain spectra.Following the report of wide spectra2), Mori reportedexcellent performance of a tellurite based EDFA3), whichshows 80nm-wide gain around 1.53 ~ 1.61?m. In orderto increase the channels and to improve the performance ofWDMn etwork, it is important to investigate a materialwith wider gain spectra. We have reported that theBi2O3-based borosilicate glass showed broad emissionspectra of the 1.55?m transition and large ?6 of Er3+ ion4).In 2001, a group of Corning reported the MCS (multicomponent silicate) glass containing Sb2O3, which showswider gain than the glasses5). The important factordominating the cross section and its bandwidth is theJudd-Ofelt ?6 parameter of Er3+ ions6) as well as therefractive index. We also reported a strong correlationbetween the ?6 and the ionicity of Er-ligand bond invarious glasses and its origin7,8). Therefore, it isinteresting to investigate glass systems giving ionic ligandfields, which would attain a large ?6.In the first part of this paper, we report the opticalproperties of the oxide glass based on Sb2O3, in which Er3+ions show very broad emission and the local structure ofrare-earth ion in this glass. In the second part, possibilityof U-band amplifier based on oxide glass ceramics isdiscussed and an example of Er:YAG glass ceramics ispresented. The origin of energy level splitting of 2S+1LJmultiplets of rare earth ions should be considered forspectral design. In the third part, we report spectroscopicstudies on Tm-doped oxide glasses for an S-bandamplifier[P21]. At present, a fluoride fiber based TDFA ispractically developed for S+-band amplifier. However,the chemical durability, long-term reliability of fluoridefiber is an issue to be solved. Also, the gain spectrum ofTm-doped fluoride fiber is a little bit narrow and there BackgroundOptically or magnetically active rare earth (RE) ions arecharacterized by their 4f electrons in seven 4f-orbitals. Inaddition to the most stable electronic configurations(ground state), various configurations with excited higherenergy are possible in the thirteen RE ions from Ce3+ toYb3+ ion.

نوشته دانلود ترجمه مقاله آمپلی فایر سیستم ارتباط از راه دور تقسیم طول موج پهن باند مولتی پلکس – مجله IPAP اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

فهرست مطالب:

چکیده
1     مقدمه
2  فرآیند طراحی
A   تعیین معماری
B  تحلیل کشش بار
C  نتایج تحلیل کشش بار
D   طراحی مدار
3   اندازه‌گیری در برابر شبیه‌سازی نتایج
4    مقایسه حالت  فنی
5    نتیجه‌گیری و  چشم‌انداز

بخشی از ترجمه:

4.   مقایسه حالت  فنی
جدول 1  خصیصه عملکرد کلیدی برای انتشارات اخیر در ناحیه  توان خروجی بالا طراحی PA برای ولتاژ منبع تغذیه  فوق‌العاده پایین در CMOS  را نشان می‌دهد. نتایج  کارهای اشاره شده در [1] و [3]  نشان‌می‌دهد مقدار فشرده سازی به ترتیب در 2 و 1.2dBm نهفته است، در بالا؛ کارهایی در اینجا نشان داده‌شده‌است.  بااین حال، به طور واضح می‌تواند ببیند که این مقادیر  برای بازده  درین پایین قابل توجه  که با بحث‌های بهره‌وری انرژی امروزه  بیشتر وبیشتر گران می‌شود بدست می‌آید.  از طرفی دیگر ،  اگر چه کارهای اشاره شده در [2] بهره‌وری بالای قابل مقایسه‌ای را ارائه می‌کند، مقدار P1db بسیار  پایین‌تر از 19.8dBm نشان‌داده‌شده در این کار باقی می‌ماند.
برای دانش نویسنده،  مقدار نقطه فشرده‌سازی شده 1dB بدست‌آمده به ازای هر V موجود در ولتاژ منبع تغذیه  در ترکیبات با  بهره‌وری درین بالای  28.1%  بالاترین مقدار تحقق یافته در CMOS، گزارش شده امروزه است.   این کار بنابراین در افزایش حالت فنی نقش دارد.
5.   نتیجه‌گیری و  چشم‌انداز
این مقاله بر استفاده از تحلیل کشش‌بار را تاکیدمی‌کند و مراحل متفاوت و مبادلات را برای طراحی تقویت‌کننده توان  نشان‌می‌دهد. تحلیل کشش‌بار فضای راه‌حل ممکن را توسعه می‌دهد و مبادلات ضروری مقدار افزایش سیگنال کوچک را به منظور دست‌یابی به  مقدار توان خروجی بالا برای ولتاژ منبع تغذیه فوق‌العاده پایین را نشان‌می‌دهد. طراحی کلاس AB PA نسبت به  طرح نهایی توسعه یافته‌است و نتایج اندازه‌گیری شده  و شبیه‌سازی شده  مقایسه‌شده‌اند.  PA اندازه گرفته‌شده  مقدار نقطه فشرده‌شده  1dB  ، 198.8dBm را برای ولتاژ منبع تغذیه  1.9V نشان‌می‌دهد.
دیگر معماری‌ها مانند طراحی PA  سوئیچ‌شده می‌تواند به وضوح  مقدار بهره‌وری بالاتر از 28.1% را بدست آورد، بااین حال، آن‌ها اغلب این مقدار توان خروجی پایین‌تر با استفاده از ولتاژ منبع‌تغذیه  به طور قابل توجهی بالاتر را مبادله‌می‌کند.
در برابر توسعات بیشترطراحی، یک مرحله از پیش طراحی‌شده  افزایش سیگنال کوچک  که بسیار امیدوارکننده به نظر می‌رسد را افزایش می‌دهد.  توان اضافی مورد نیاز برای این مرحله می‌تواند با تغییر مرحله PAاصلی نسبت به  نقطه عملیاتی کلاس Bایجاد شود، شاید  مصرف توان DC مرحله اصلی را کاهش‌‌دهد.

بخشی از مقاله انگلیسی:

IV. COMPARISON WITH STATE OF THE ART

Table I shows the key performance characteristics for recent publications in the area of high output power PA design for ultra low supply voltages in CMOS. The results of the works referenced by [1] and [3] show 1dB compression point values that lie 2 and 1.2 dBm, repectively, above the work presented here. However, one can clearly see that these values are achieved for a significantly lower drain efficiency that will become more and more prohibitive with nowadays energy efficiency discussion. On the other hand, although the work referenced by [2] offers a comparably high efficiency, the P1dB – value remains far below the 19.8 dBm presented in this work.

To the knowledge of the author, the achieved 1 dB compression point value per V available supply voltage in combination with the high drain efficiency of 28.1 % is the highest value realized in CMOS, reported up to today. This work therefore contributes to the enhancement of the state-ofthe-art.

V. CONCLUSION AND OUTLOOK

This paper highlights the use of the load pull analysis and shows the different steps and trade offs for the design of a power amplifier. The load pull analysis develops the possible solution space and shows the necessary trade off of a lower small signal gain value in order to reach high output power values for ultra low supply voltages. The Class AB PA design is developed toward the final layout and simulation and measurement results are compared. The measured PA shows an excellent 1 dB compression point value of 19.8 dBm for a supply voltage of 1.9 V.

Other architectures like switched PA design can achieve clearly higher efficiencies values than 28.1 %; however, they mostly trade this for lower output power values or use significantly higher supply voltages.

Towards a further development of the design, a preamplifier stage increasing the small signal gain seems very promising. The additional power needed for this stage could be made up by a shift of the main PA stage towards a class B operation point, thereby decreasing the DC power consumption of the main stage.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله با فرمت ورد

خرید نسخه پاورپوینت این مقاله جهت ارائه

نوشته دانلود ترجمه مقاله طراحی آمپلی فایر قدرت کلاس AB باند C در نیمه هادی اکسید فلزی مکمل – مجله IEEE اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.