دانلود ترجمه مقاله طراحی آمپلی فایر قدرت کلاس AB باند C در نیمه هادی اکسید فلزی مکمل – مجله IEEE

ieee2

 

 عنوان فارسی مقاله: طراحی آمپلی فایر قدرت کلاس AB باند C در نیمه هادی اکسید فلزی مکمل برای تامین ولتاژ فوق العاده پایین ۱٫۹V
 عنوان انگلیسی مقاله: Design of a C-Band CMOS Class AB Power Amplifier for an UltraLow Supply Voltage of 1.9 V
دانلود مقاله انگلیسی: برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf اینجا کلیک نمائید

 

سال انتشار  ۲۰۰۷
تعداد صفحات مقاله انگلیسی  ۴ صفحه
تعداد صفحات ترجمه مقاله  ۱۲ صفحه
مجله  –
دانشگاه  گروه تکنولوژی دانشگاه آلمان
کلمات کلیدی  تقویت‌کننده توان،  ولتاژ تغذیه پایین، تحلیل کشش بار.
نشریه IEEE

 

 


فهرست مطالب:

 

چکیده
۱     مقدمه
۲  فرآیند طراحی
A   تعیین معماری
B  تحلیل کشش بار
C  نتایج تحلیل کشش بار
D   طراحی مدار
۳   اندازه‌گیری در برابر شبیه‌سازی نتایج
۴    مقایسه حالت  فنی
۵    نتیجه‌گیری و  چشم‌انداز


بخشی از ترجمه:

 

۴٫   مقایسه حالت  فنی
جدول ۱  خصیصه عملکرد کلیدی برای انتشارات اخیر در ناحیه  توان خروجی بالا طراحی PA برای ولتاژ منبع تغذیه  فوق‌العاده پایین در CMOS  را نشان می‌دهد. نتایج  کارهای اشاره شده در [۱] و [۳]  نشان‌می‌دهد مقدار فشرده سازی به ترتیب در ۲ و ۱٫۲dBm نهفته است، در بالا؛ کارهایی در اینجا نشان داده‌شده‌است.  بااین حال، به طور واضح می‌تواند ببیند که این مقادیر  برای بازده  درین پایین قابل توجه  که با بحث‌های بهره‌وری انرژی امروزه  بیشتر وبیشتر گران می‌شود بدست می‌آید.  از طرفی دیگر ،  اگر چه کارهای اشاره شده در [۲] بهره‌وری بالای قابل مقایسه‌ای را ارائه می‌کند، مقدار P1db بسیار  پایین‌تر از ۱۹٫۸dBm نشان‌داده‌شده در این کار باقی می‌ماند.
برای دانش نویسنده،  مقدار نقطه فشرده‌سازی شده ۱dB بدست‌آمده به ازای هر V موجود در ولتاژ منبع تغذیه  در ترکیبات با  بهره‌وری درین بالای  ۲۸٫۱%  بالاترین مقدار تحقق یافته در CMOS، گزارش شده امروزه است.   این کار بنابراین در افزایش حالت فنی نقش دارد.
۵٫   نتیجه‌گیری و  چشم‌انداز
این مقاله بر استفاده از تحلیل کشش‌بار را تاکیدمی‌کند و مراحل متفاوت و مبادلات را برای طراحی تقویت‌کننده توان  نشان‌می‌دهد. تحلیل کشش‌بار فضای راه‌حل ممکن را توسعه می‌دهد و مبادلات ضروری مقدار افزایش سیگنال کوچک را به منظور دست‌یابی به  مقدار توان خروجی بالا برای ولتاژ منبع تغذیه فوق‌العاده پایین را نشان‌می‌دهد. طراحی کلاس AB PA نسبت به  طرح نهایی توسعه یافته‌است و نتایج اندازه‌گیری شده  و شبیه‌سازی شده  مقایسه‌شده‌اند.  PA اندازه گرفته‌شده  مقدار نقطه فشرده‌شده  ۱dB  ، ۱۹۸٫۸dBm را برای ولتاژ منبع تغذیه  ۱٫۹V نشان‌می‌دهد.
دیگر معماری‌ها مانند طراحی PA  سوئیچ‌شده می‌تواند به وضوح  مقدار بهره‌وری بالاتر از ۲۸٫۱% را بدست آورد، بااین حال، آن‌ها اغلب این مقدار توان خروجی پایین‌تر با استفاده از ولتاژ منبع‌تغذیه  به طور قابل توجهی بالاتر را مبادله‌می‌کند.
در برابر توسعات بیشترطراحی، یک مرحله از پیش طراحی‌شده  افزایش سیگنال کوچک  که بسیار امیدوارکننده به نظر می‌رسد را افزایش می‌دهد.  توان اضافی مورد نیاز برای این مرحله می‌تواند با تغییر مرحله PAاصلی نسبت به  نقطه عملیاتی کلاس Bایجاد شود، شاید  مصرف توان DC مرحله اصلی را کاهش‌‌دهد.

 


بخشی از مقاله انگلیسی:

 

IV. COMPARISON WITH STATE OF THE ART

Table I shows the key performance characteristics for recent publications in the area of high output power PA design for ultra low supply voltages in CMOS. The results of the works referenced by [1] and [3] show 1dB compression point values that lie 2 and 1.2 dBm, repectively, above the work presented here. However, one can clearly see that these values are achieved for a significantly lower drain efficiency that will become more and more prohibitive with nowadays energy efficiency discussion. On the other hand, although the work referenced by [2] offers a comparably high efficiency, the P1dB – value remains far below the 19.8 dBm presented in this work.

To the knowledge of the author, the achieved 1 dB compression point value per V available supply voltage in combination with the high drain efficiency of 28.1 % is the highest value realized in CMOS, reported up to today. This work therefore contributes to the enhancement of the state-ofthe-art.

V. CONCLUSION AND OUTLOOK

This paper highlights the use of the load pull analysis and shows the different steps and trade offs for the design of a power amplifier. The load pull analysis develops the possible solution space and shows the necessary trade off of a lower small signal gain value in order to reach high output power values for ultra low supply voltages. The Class AB PA design is developed toward the final layout and simulation and measurement results are compared. The measured PA shows an excellent 1 dB compression point value of 19.8 dBm for a supply voltage of 1.9 V.

Other architectures like switched PA design can achieve clearly higher efficiencies values than 28.1 %; however, they mostly trade this for lower output power values or use significantly higher supply voltages.

Towards a further development of the design, a preamplifier stage increasing the small signal gain seems very promising. The additional power needed for this stage could be made up by a shift of the main PA stage towards a class B operation point, thereby decreasing the DC power consumption of the main stage.


 

 عنوان فارسی مقاله: طراحی تقویت کننده قدرت AB کلاس CMOS باند-C برای تامین ولتاژ فوق العاده پایین ۱٫۹V
 عنوان انگلیسی مقاله: Design of a C-Band CMOS Class AB Power Amplifier for an UltraLow Supply Voltage of 1.9 V

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

 

خرید ترجمه فارسی مقاله با فرمت ورد

 

خرید نسخه پاورپوینت این مقاله جهت ارائه

 

 

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *