• فهرست مطالب:

چکیده

مقدمه

ساخت دستگاه

خواص دستگاه

مدل انتقال

تجزیه و تحلیل / بحث

نتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

نتیجه گیری

مکمل سیلیسید بدنه نازک دستگاه های سورس / درین با ویژگی های خاموش عالی با طول گیت 15نانومتر نشان داده شده است. منبع / درین PtSi و ErSi1.7 برای PMOS و NMOS به ترتیب ساخته شده است. مدل انتقال ساده متناسب با دستگاه داده ها و سطح فعلی بالستیک را می توان با استفاده از یک اکسید A20 و 3E19 cm-3 پیش بینی کرد و بدست آورد.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

Conclusion

Complementary thin-body silicide source/drain devices with excellent turn-off characteristics have been demonstrated down to 15nm gate-length. Source/drains are fabricated from PtSi and ErSi1.7 for PMOS and NMOS respectively. A simple transmission model fits device data and predicts that ballistic current levels can be obtained with the use of a 20Å oxide and 3E19 cm-3 extension doping.

نوشته دانلود مقاله ترجمه شده منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین – IEEE 2000 اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

گروه آموزشی ترجمه فا اقدام به ارائه ترجمه مقاله با موضوع ” طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی جهت مدار مقاوم به تابش ” در قالب فایل ورد نموده است که شما عزیزان میتوانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و نیز مطالعه نمونه ترجمه و سایر مشخصات، ترجمه را خریداری نمایید.

• فهرست مطالب:

چکیده
1. مقدمه
2. ساختار N-MOSFET DGA ارائه شده
الف. شرح طرح
ب. ملاحظات طراحی طرح
ج. مشخصات ساختاری
د. سازگاری طرح
3. نتایج شبیه سازی
الف. ساختار با n-MOSFET معمولی
ب. ساختار n-MOSFET DGA ارائه شده
4. نتایج تجربی
5. نتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

نتیجه گیری
طرح n-MOSFET مقاوم به تابش جدید نامگذاری شده بعنوان یک لایه n-MOSFET DGA برای یک طراحی مدار مقاوم به تابش ارزیابی می شود. برای اهداف عملی، طرح n-MOSFET DGA ارائه شده دارای محدودیت هایی با توجه به نسبت W/L و هندسه نامتقارن نیست. علاوه بر این، در مقایسه با ELT، این دارای ظرفیت خازنی گیت نسبتا کوچ تر و ردپای کوچک تر است. بنابراین، محدودیت های طراحی با توجه به نسبت W/L محدود شده در طراحی مدار آنالوگ و محدودیت سرعت عملیاتی با توجه به خازن گیت بزرگ تر در طراحی مدار دیجیتال می تواند تکمیل شود. با اینحال، n-MOSFET DGA ارائه شده در کاهش سرعت عملیاتی جزئی در مدار دیجیتال در مقایسه با n-MOSFET معمولی نتیجه می دهد.
طرح n-MOSFET DGA ارائه شده تمامی مسیرهای جریان نشتی ناشی از تابش را با مجزاسازی منبع و درین از اکسیدهای پوشه ای با استفاده از یک لایه p+ و گیت های ساختگی حذف می کند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که ساختار n-MOSFET DGA ارائه شده، همانطور که انتظار می رود، حتی از طریق تراکم بار فیکس شده ی افزایش یافته، عملکرد خوبی دارد. علاوه بر این، با توجه به نتایج تجربی، n-MOSFET DGA تولید شده، حتی پس از قرار گرفتن در معرض 500 krad (Si) از اشعه گاما، باز عملکرد خوبی دارد. نتایج تجربی تائید می کند که طرح n-MOSFET DGA ارائه شده برای دستگاه های الکترونیکی تحمل تابش مناسب است، حی زمانی که یک ولتاژ 0 V برای گیت های ساختگی و لایه فلز-1 ساختگی به کار می رود.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

V. CONCLUSION

A new radiation-tolerant n-MOSFET layout termed a DGA n-MOSFET layout was evaluated for a radiation-tolerant circuit design. For practical purposes, the proposed DGA n-MOSFET layout does not have limitations with regard to the W/L ratio and asymmetrical geometry. Furthermore, compared with the ELT, it has a relatively smaller gate capacitance and smaller footprint. Therefore, the design limitations with regard to the limited W/L ratio in analog circuit design and the operating speed limitation with regard to the larger gate capacitance in the digital circuit design can be supplemented. Nevertheless, the proposed DGA n-MOSFET results in a slight operating speed degradation in the digital circuit compared with the conventional n-MOSFET. The proposed DGA n-MOSFET layout eliminated all radiation-induced leakage current paths by isolating both the source and drain from the sidewall oxides using a layer and dummy gates. The simulation results demonstrate that the proposed DGA n-MOSFET structure performed well, as expected, even though the fixed charge density increased. Furthermore, from the experimental results, the fabricated DGA n-MOSFET exhibited good performance, even after exposure to 500 krad (Si) of gamma radiation. The experimental results confirm that the proposed DGA n-MOSFET layout is adequate for radiation-tolerant electronic devices, even when a voltage of 0 V is applied to both the dummy gates and dummy Metal-1 layer.طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی جهت مدار مقاوم به تابش

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله

نوشته دانلود مقاله ترجمه شده طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی جهت مدار مقاوم به تابش – مجله IEEE اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

• فهرست مطالب:

چکیده
1- مقدمه
2- اصول گرمایش القایی
3- اینورتر سری رزونانسی
4- مدهای کاری اینورتر
5- مدهای کاری اینورتر
6- نتیجه گیر

• بخشی از ترجمه:

6- نتیجه گیری
در این مقاله ساختار یک اینورتر رزونانسی فرکانس بالا توضیح داده شده است که از مدولاسیون پهنای پالس برای کنترل اینورتر رزونانسی سری برای کاربرد در تجهیزات گرمایش القایی استفاده می کند. این سیستم در محیط سیمیولینک نرم افزار مطلب شبیه سازی شده است. اینورتر رزونانسی سری به گونه ای طراحی شده است که برای همه کلید ها در حالت خاموشی جریان صفر و برای دیودها در حالت روشن بودن ولتاژ صفر در نظر گرفته است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که این مدار قادر است در خروجی جریان سینوسی با فرکانس قابل تنظیم ایجاد کند. مهم ترین مزایای این اینورتر قابلیت تنظیم گسترده توان و کم حجم بودن اینورتر است.
به دلیل این مزایا این اینورتر می تواند در صنایع گرمایش القایی مانند صنایع نورد مورد استفاده قرار گیرد.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

6. Conclusion

This paper illustrates a high frequency resonant inverter topology which utilizes the pulse width modulation technique to control the series resonant inverter for induction heating equipments. The results of the performance of the proposed system are elaborated using Matlab/Simulink environment. The series-resonant inverter is implemented to provide Zero Current Switching (ZCS) for all the switches at turn off conditions and Zero Voltage Switching (ZVS) at diode turn on. Simulation results reveal that the proposed resonant modular inverter is capable of adjusting the output sinusoidal current with the resonant frequency at different conditions. The main advantages of this inverter system are Wide power regulation, reduction in size and weight. Due to all above advantages such inverters are used for heat treatment like strip heating, contour hardening and shot hardening in industry.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله

نوشته دانلود ترجمه مقاله استفاده از گرمایش القایی در شبیه سازی اینورتر بر اساس ماسفت در نرم افزار متلب اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

• فهرست مطالب:

چکیده
1.مقدمه
2.آنالیز مبتنی بر فیزیک و شبیه سازی نویز 1/ƒ در موسفت ها
3.نتایج عددی
الف )عملیات سیگنال کوچک با مدل تله ی اکسیدی
ب.عملیات LS با مدل تله ی اکسیدی
ج.عملیات LS با مدل تجربی Hooge
4.نتایج

• بخشی از ترجمه:

4.نتایج
نویز 1/ƒ در موسفت ها، تحت عملیات LS، با استفاده از هر دو مدل تله ی اکسیدی McWhorte و مدل تجربی Hooge ،مدل سازی شد.در مدل تله ی اکسیدی، سهم در تراکم طیف توانی نویز ( PSD) از تله های هماهنگ شده با سطح شبه فِرمی الکترون ها در مورد dc ، بیش از 6 dB کاهش یافت.اما ، هنگامی که توزیع تله ها یکنواخت بود، هیچ کاهش محسوسی از PSD نویز 1/ƒ تحت عملیات LS مشاهده نشد.هنگامی که توزیع تله ها به صورت U شکل بود، فاکتور کاهش نویز افزایش یافت، اما تاثیرش محسوس نبود.در مدل Hooge ، تقریبا یک کاهش نویز 6 dB برای ولتاژ های خاموش پایین، دیده شد.این نتایج مشابه مورد سیگنال کوچک مدل نویز 1/ƒ هستند.هنگامی که پارامتر Hooge برای موسفت های یک تابع لحظه ای بود، ما نتوانستیم کاهش نویز اضافی را توضیح دهیم/برای توضیح این نتایج آزمایشی با استفاده ازین مدل، منبع نویز باید نه تنها وابسته به نقطه های کار لحظهای باشد ، بلکه باید وابسته به کار متناوب دستگاه روی کل دوره تناوب باشد.در موارد ایده آل شده، هر دو مدل در پیشبینی کاهش نویز بیش از 6 dB برای PSD نویز 1/ƒ در موسفت ها تحت عملیات LS، کارامد نبودند.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

IV. CONCLUSION

The 1/f noise in MOSFETs under LS operation has been modeled by using both McWhorter’s oxide-trapping model and Hooge’s empirical model. In the oxide-trapping model, the contribution to noise power spectral density (PSD) of traps aligned to the electron quasi-Fermi level at the dc case was decreased by more than 6 dB. However, when the trap distribution was uniform, no significant reduction of the 1/f noise PSD under LS operation was observed. When the trap distribution was U-shaped, the noise reduction factor was increased, but its effect was not significant. In Hooge’s model, an almost 6-dB noise decrease was observed for the low OFF voltages. It is the same result with that of the small-signal 1/f noise model. When Hooge’s parameter for the MOSFET was an instantaneous function, we could not explain the additional decrease of noise. To explain the experimental results using this model, the noise source should depend not only on the instantaneous operating point but also on the periodic device operation over the whole period. In idealized cases, both models fall short of predicting more than 6-dB decrease of 1/f noise PSD in MOSFETs under the LS condition.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله

نوشته دانلود مقاله ترجمه شده تحلیل بر اساس فیزیک و شبیه سازی نویز 1/ƒ در MOSFET ها – مجله IEEE اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

فهرست مطالب:

چکیده

 مقدمه

مدل نویز فرکانس بالای HEMT

مدلهای نویز با فرکانس بالا MOSFET
مدل نویز با فرکانس بالای SiGe HBT

بخشی از ترجمه:

مقدمه
شهرت قابل توجه تلفن های سیار محرکی برای مدارهای مجتمع و کم هزینه برای فرستنده و گیرنده با فرکانس رادیویی  (RF)  قلمداد می شود. RF از مدارهای میزان شده با فیلترهای گسسته و سطح پائین مجتمع سازی استفاده می کند.  با توجه به هزینه و چگالی مجتمع سازی، نیمه هادی اکسید فلز مکمل (CMOS) یک نوع فناوری مناسب برای انجام ترکیبی از کارهای آنالوگ و دیجیتالی به شمار می رود. بنابراین ، توصیف ویژگیای دستگاه RF CMOS و طراحی مدار از اهمیت بسزایی برخوردار می باشد. بلوک های ساختمانی بی سیم انفرادی مانند آمپلی فایر کم نویز، آمپلی فایر جریان قوی یا میکسر با عملکرد عالی را با کمک سایر تکنولوژیها از جمله دوقطبی سیلیکونی (BJT) ، ترانزیستور دو قطبی غیر هم ساختار (HBT) یاترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی فلز GaAs (MEFET) ساخت. هدف این مقاله، مقایسه ویژگیهای   با توجه به نویز با   و ترانزیستور الکترونی پرتحرک کاذب GaAs (HEMT) می باشد.

بخشی از مقاله انگلیسی:

Introduction

The spectacular popularity of mobile telephones drives the demand for low cost and highly integrated circuits alsofor the radio frequency (RF) transmitter and receiver. This RF frontend is still using tuned circuits with discretefilters and a low level of integration. With regard to costs and integration density complementary metal oxidesemiconductor (CMOS) is the technology of choice to permit a free mixture of analog and digital functions.Therefore great interest exists in RF CMOS device characterisation as well as circuit design. Individual wirelessbuilding blocks like low noise amplifier, mixer or power amplifier can be fabricated with superior performanceusing other technologies like silicon bipolar (BJT), heterostructure bipolar transistor (HBT) or GaAs metalsemiconductor field effect transistors (MESFET). The object of this article is to compare the MOSFET RFcharacteristics in regard to noise with a SiGe HBT and a GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(HEMT).II. High Frequency Noise Model of HEMTThe high frequency noise mechanism of FETs was first calculated by van der Ziel [1] using a gate and drain currentnoise source 2d2ig and i , and their correlation function ∗igid . More recently, Pospieszalski [2] proposed an alternativehigh-frequency noise model neglecting any correlation between the input voltage noise source and drain currentnoise source. The well-known small-signal equivalent circuit of the FET is used in the common source connection.Therefore we used for all three transistors their small-signal equivalent circuit model with the element values of theoperating point and all resistive elements exhibit a noise contribution determined by the physical temperature of thedevice. This two port noise representation is applied to the MOSFET as well as the HEMT with the findings of [2]and [3], that the input voltage noise source is equivalent to the thermal noise of the real part of the input admittance.The only additional noise source for the field effect transistors is caused by the diffusion noise of the channel currentand related to the voltage controlled current source. The small-signal equivalent circuit model of [2], which wasextended for large signal applications in [4], is used for the HEMT as shown in Fig. 1 with the adequate noisesources. The excellent agreement of measured and simulated noise parameters using this temperature noise modelwas reported by several authors e.g. [2], [3], [5].

نوشته دانلود ترجمه مقاله بهبود برنامه های کاربردی با نویز پایین توسط ترانزیستور با بسامد زیاد اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.