| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
آنالیزهای مبتنی بر فیزیک و شبیه سازی نویز 1/ƒ در MOSFET ها تحت عملیات سیگنال بزرگ |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Physics-Based Analysis and Simulation of 1/f Noise in MOSFETs Under Large-Signal Operation |
|
|
| مشخصات مقاله انگلیسی (PDF) | |
| سال انتشار | 2010 |
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی | 9 صفحه با فرمت pdf |
| رشته های مرتبط با این مقاله | مهندسی برق |
| گرایش های مرتبط با این مقاله | مهندسی الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی و مدارهای مجتمع الکترونیک |
| مجله | نتایج بدست آمده در حوزه دستگاه های الکترونی |
| دانشگاه | موسسه ریز الکترونیک و تئوری مدار ، دانشگاه آلمان |
| کلمات کلیدی | نویز Cyclostationary، مدل نویز 1/f هوگ، نویز 1/f MOSFETs |
| شناسه شاپا یا ISSN | ISSN 1557-9646 |
| رفرنس | دارد |
| لینک مقاله در سایت مرجع | لینک این مقاله در سایت IEEE |
| نشریه | IEEE |
| مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word) | |
| تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت 14 B Nazanin | 22 صفحه |
| ترجمه عناوین جداول | ترجمه شده است |
| ترجمه متون داخل تصاویر | ترجمه نشده است |
| درج تصاویر در فایل ترجمه | درج شده است |
| درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس | درج شده است |
- فهرست مطالب:
چکیده
1.مقدمه
2.آنالیز مبتنی بر فیزیک و شبیه سازی نویز 1/ƒ در موسفت ها
3.نتایج عددی
الف )عملیات سیگنال کوچک با مدل تله ی اکسیدی
ب.عملیات LS با مدل تله ی اکسیدی
ج.عملیات LS با مدل تجربی Hooge
4.نتایج
- بخشی از ترجمه:
4.نتایج
نویز 1/ƒ در موسفت ها، تحت عملیات LS، با استفاده از هر دو مدل تله ی اکسیدی McWhorte و مدل تجربی Hooge ،مدل سازی شد.در مدل تله ی اکسیدی، سهم در تراکم طیف توانی نویز ( PSD) از تله های هماهنگ شده با سطح شبه فِرمی الکترون ها در مورد dc ، بیش از 6 dB کاهش یافت.اما ، هنگامی که توزیع تله ها یکنواخت بود، هیچ کاهش محسوسی از PSD نویز 1/ƒ تحت عملیات LS مشاهده نشد.هنگامی که توزیع تله ها به صورت U شکل بود، فاکتور کاهش نویز افزایش یافت، اما تاثیرش محسوس نبود.در مدل Hooge ، تقریبا یک کاهش نویز 6 dB برای ولتاژ های خاموش پایین، دیده شد.این نتایج مشابه مورد سیگنال کوچک مدل نویز 1/ƒ هستند.هنگامی که پارامتر Hooge برای موسفت های یک تابع لحظه ای بود، ما نتوانستیم کاهش نویز اضافی را توضیح دهیم/برای توضیح این نتایج آزمایشی با استفاده ازین مدل، منبع نویز باید نه تنها وابسته به نقطه های کار لحظهای باشد ، بلکه باید وابسته به کار متناوب دستگاه روی کل دوره تناوب باشد.در موارد ایده آل شده، هر دو مدل در پیشبینی کاهش نویز بیش از 6 dB برای PSD نویز 1/ƒ در موسفت ها تحت عملیات LS، کارامد نبودند.
- بخشی از مقاله انگلیسی:
IV. CONCLUSION
The 1/f noise in MOSFETs under LS operation has been modeled by using both McWhorter’s oxide-trapping model and Hooge’s empirical model. In the oxide-trapping model, the contribution to noise power spectral density (PSD) of traps aligned to the electron quasi-Fermi level at the dc case was decreased by more than 6 dB. However, when the trap distribution was uniform, no significant reduction of the 1/f noise PSD under LS operation was observed. When the trap distribution was U-shaped, the noise reduction factor was increased, but its effect was not significant. In Hooge’s model, an almost 6-dB noise decrease was observed for the low OFF voltages. It is the same result with that of the small-signal 1/f noise model. When Hooge’s parameter for the MOSFET was an instantaneous function, we could not explain the additional decrease of noise. To explain the experimental results using this model, the noise source should depend not only on the instantaneous operating point but also on the periodic device operation over the whole period. In idealized cases, both models fall short of predicting more than 6-dB decrease of 1/f noise PSD in MOSFETs under the LS condition.
| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
آنالیزهای مبتنی بر فیزیک و شبیه سازی نویز 1/ƒ در MOSFET ها تحت عملیات سیگنال بزرگ |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Physics-Based Analysis and Simulation of 1/f Noise in MOSFETs Under Large-Signal Operation |
|
|