دانلود مقاله ترجمه شده طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی جهت مدار مقاوم به تابش – مجله IEEE

ieee2

 

 

گروه آموزشی ترجمه فا اقدام به ارائه ترجمه مقاله با موضوع ” طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی جهت مدار مقاوم به تابش ” در قالب فایل ورد نموده است که شما عزیزان میتوانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و نیز مطالعه نمونه ترجمه و سایر مشخصات، ترجمه را خریداری نمایید.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی برای یک مدار ادغام یافته مقاوم به تابش

عنوان انگلیسی مقاله:

Dummy Gate-Assisted n-MOSFET Layout for a Radiation-Tolerant Integrated Circuit

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار ۲۰۱۳
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۷ فحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک و الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی
مجله تراکنش ها در علوم هسته ای – TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE
دانشگاه بخش مهندسی برق، دانشکده مهندسی برق و علوم کامپیوتری، موسسه پیشرفته علم و صنعت، کره
کلمات کلیدی طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی، اصلاح طرح، سخت شدن تابش، جریان نشتی ناشی از تابش، دوز یونیزه کلی
شناسه شاپا یا ISSN ISSN ۰۰۱۸-۹۴۹۹
رفرنس دارد
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در سایت IEEE
نشریه IEEE

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۱۸ صفحه
ترجمه عناوین تصاویر و جداول ترجمه نشده است
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه نشده است
ترجمه متون داخل جداول ترجمه نشده است
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است

 


  • فهرست مطالب:

 

چکیده
۱٫ مقدمه
۲٫ ساختار N-MOSFET DGA ارائه شده
الف. شرح طرح
ب. ملاحظات طراحی طرح
ج. مشخصات ساختاری
د. سازگاری طرح
۳٫ نتایج شبیه سازی
الف. ساختار با n-MOSFET معمولی
ب. ساختار n-MOSFET DGA ارائه شده
۴٫ نتایج تجربی
۵٫ نتیجه گیری

 


  • بخشی از ترجمه:

 

نتیجه گیری
طرح n-MOSFET مقاوم به تابش جدید نامگذاری شده بعنوان یک لایه n-MOSFET DGA برای یک طراحی مدار مقاوم به تابش ارزیابی می شود. برای اهداف عملی، طرح n-MOSFET DGA ارائه شده دارای محدودیت هایی با توجه به نسبت W/L و هندسه نامتقارن نیست. علاوه بر این، در مقایسه با ELT، این دارای ظرفیت خازنی گیت نسبتا کوچ تر و ردپای کوچک تر است. بنابراین، محدودیت های طراحی با توجه به نسبت W/L محدود شده در طراحی مدار آنالوگ و محدودیت سرعت عملیاتی با توجه به خازن گیت بزرگ تر در طراحی مدار دیجیتال می تواند تکمیل شود. با اینحال، n-MOSFET DGA ارائه شده در کاهش سرعت عملیاتی جزئی در مدار دیجیتال در مقایسه با n-MOSFET معمولی نتیجه می دهد.
طرح n-MOSFET DGA ارائه شده تمامی مسیرهای جریان نشتی ناشی از تابش را با مجزاسازی منبع و درین از اکسیدهای پوشه ای با استفاده از یک لایه p+ و گیت های ساختگی حذف می کند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که ساختار n-MOSFET DGA ارائه شده، همانطور که انتظار می رود، حتی از طریق تراکم بار فیکس شده ی افزایش یافته، عملکرد خوبی دارد. علاوه بر این، با توجه به نتایج تجربی، n-MOSFET DGA تولید شده، حتی پس از قرار گرفتن در معرض ۵۰۰ krad (Si) از اشعه گاما، باز عملکرد خوبی دارد. نتایج تجربی تائید می کند که طرح n-MOSFET DGA ارائه شده برای دستگاه های الکترونیکی تحمل تابش مناسب است، حی زمانی که یک ولتاژ ۰ V برای گیت های ساختگی و لایه فلز-۱ ساختگی به کار می رود.

 


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

 

V. CONCLUSION

A new radiation-tolerant n-MOSFET layout termed a DGA n-MOSFET layout was evaluated for a radiation-tolerant circuit design. For practical purposes, the proposed DGA n-MOSFET layout does not have limitations with regard to the W/L ratio and asymmetrical geometry. Furthermore, compared with the ELT, it has a relatively smaller gate capacitance and smaller footprint. Therefore, the design limitations with regard to the limited W/L ratio in analog circuit design and the operating speed limitation with regard to the larger gate capacitance in the digital circuit design can be supplemented. Nevertheless, the proposed DGA n-MOSFET results in a slight operating speed degradation in the digital circuit compared with the conventional n-MOSFET. The proposed DGA n-MOSFET layout eliminated all radiation-induced leakage current paths by isolating both the source and drain from the sidewall oxides using a layer and dummy gates. The simulation results demonstrate that the proposed DGA n-MOSFET structure performed well, as expected, even though the fixed charge density increased. Furthermore, from the experimental results, the fabricated DGA n-MOSFET exhibited good performance, even after exposure to 500 krad (Si) of gamma radiation. The experimental results confirm that the proposed DGA n-MOSFET layout is adequate for radiation-tolerant electronic devices, even when a voltage of 0 V is applied to both the dummy gates and dummy Metal-1 layer.طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی جهت مدار مقاوم به تابش

 


 

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی جهت مدار ادغام یافته مقاوم به تابش

عنوان انگلیسی مقاله:

Dummy Gate-Assisted n-MOSFET Layout for a Radiation-Tolerant Integrated Circuit

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

 

خرید ترجمه فارسی مقاله

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *