گروه آموزشی ترجمه فا اقدام به ارائه ترجمه مقاله با موضوع ” طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی جهت مدار مقاوم به تابش ” در قالب فایل ورد نموده است که شما عزیزان میتوانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و نیز مطالعه نمونه ترجمه و سایر مشخصات، ترجمه را خریداری نمایید.
| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی برای یک مدار ادغام یافته مقاوم به تابش |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Dummy Gate-Assisted n-MOSFET Layout for a Radiation-Tolerant Integrated Circuit |
|
|
| مشخصات مقاله انگلیسی (PDF) | |
| سال انتشار | 2013 |
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی | 7 فحه با فرمت pdf |
| رشته های مرتبط با این مقاله | مهندسی برق |
| گرایش های مرتبط با این مقاله | مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک و الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی |
| مجله | تراکنش ها در علوم هسته ای – TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE |
| دانشگاه | بخش مهندسی برق، دانشکده مهندسی برق و علوم کامپیوتری، موسسه پیشرفته علم و صنعت، کره |
| کلمات کلیدی | طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی، اصلاح طرح، سخت شدن تابش، جریان نشتی ناشی از تابش، دوز یونیزه کلی |
| شناسه شاپا یا ISSN | ISSN 0018-9499 |
| رفرنس | دارد |
| لینک مقاله در سایت مرجع | لینک این مقاله در سایت IEEE |
| نشریه | IEEE |
| مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word) | |
| تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت 14 B Nazanin | 18 صفحه |
| ترجمه عناوین تصاویر و جداول | ترجمه نشده است |
| ترجمه متون داخل تصاویر | ترجمه نشده است |
| ترجمه متون داخل جداول | ترجمه نشده است |
| درج تصاویر در فایل ترجمه | درج شده است |
| درج جداول در فایل ترجمه | درج شده است |
- فهرست مطالب:
چکیده
1. مقدمه
2. ساختار N-MOSFET DGA ارائه شده
الف. شرح طرح
ب. ملاحظات طراحی طرح
ج. مشخصات ساختاری
د. سازگاری طرح
3. نتایج شبیه سازی
الف. ساختار با n-MOSFET معمولی
ب. ساختار n-MOSFET DGA ارائه شده
4. نتایج تجربی
5. نتیجه گیری
- بخشی از ترجمه:
نتیجه گیری
طرح n-MOSFET مقاوم به تابش جدید نامگذاری شده بعنوان یک لایه n-MOSFET DGA برای یک طراحی مدار مقاوم به تابش ارزیابی می شود. برای اهداف عملی، طرح n-MOSFET DGA ارائه شده دارای محدودیت هایی با توجه به نسبت W/L و هندسه نامتقارن نیست. علاوه بر این، در مقایسه با ELT، این دارای ظرفیت خازنی گیت نسبتا کوچ تر و ردپای کوچک تر است. بنابراین، محدودیت های طراحی با توجه به نسبت W/L محدود شده در طراحی مدار آنالوگ و محدودیت سرعت عملیاتی با توجه به خازن گیت بزرگ تر در طراحی مدار دیجیتال می تواند تکمیل شود. با اینحال، n-MOSFET DGA ارائه شده در کاهش سرعت عملیاتی جزئی در مدار دیجیتال در مقایسه با n-MOSFET معمولی نتیجه می دهد.
طرح n-MOSFET DGA ارائه شده تمامی مسیرهای جریان نشتی ناشی از تابش را با مجزاسازی منبع و درین از اکسیدهای پوشه ای با استفاده از یک لایه p+ و گیت های ساختگی حذف می کند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که ساختار n-MOSFET DGA ارائه شده، همانطور که انتظار می رود، حتی از طریق تراکم بار فیکس شده ی افزایش یافته، عملکرد خوبی دارد. علاوه بر این، با توجه به نتایج تجربی، n-MOSFET DGA تولید شده، حتی پس از قرار گرفتن در معرض 500 krad (Si) از اشعه گاما، باز عملکرد خوبی دارد. نتایج تجربی تائید می کند که طرح n-MOSFET DGA ارائه شده برای دستگاه های الکترونیکی تحمل تابش مناسب است، حی زمانی که یک ولتاژ 0 V برای گیت های ساختگی و لایه فلز-1 ساختگی به کار می رود.
- بخشی از مقاله انگلیسی:
V. CONCLUSION
A new radiation-tolerant n-MOSFET layout termed a DGA n-MOSFET layout was evaluated for a radiation-tolerant circuit design. For practical purposes, the proposed DGA n-MOSFET layout does not have limitations with regard to the W/L ratio and asymmetrical geometry. Furthermore, compared with the ELT, it has a relatively smaller gate capacitance and smaller footprint. Therefore, the design limitations with regard to the limited W/L ratio in analog circuit design and the operating speed limitation with regard to the larger gate capacitance in the digital circuit design can be supplemented. Nevertheless, the proposed DGA n-MOSFET results in a slight operating speed degradation in the digital circuit compared with the conventional n-MOSFET. The proposed DGA n-MOSFET layout eliminated all radiation-induced leakage current paths by isolating both the source and drain from the sidewall oxides using a layer and dummy gates. The simulation results demonstrate that the proposed DGA n-MOSFET structure performed well, as expected, even though the fixed charge density increased. Furthermore, from the experimental results, the fabricated DGA n-MOSFET exhibited good performance, even after exposure to 500 krad (Si) of gamma radiation. The experimental results confirm that the proposed DGA n-MOSFET layout is adequate for radiation-tolerant electronic devices, even when a voltage of 0 V is applied to both the dummy gates and dummy Metal-1 layer.طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی جهت مدار مقاوم به تابش
|
تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد |
|
|
| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
طرح n-MOSFET به کمک گیت ساختگی جهت مدار ادغام یافته مقاوم به تابش |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Dummy Gate-Assisted n-MOSFET Layout for a Radiation-Tolerant Integrated Circuit |
|
|