شبیه سازی سراسری حمل و نقل O همراه C در کوره صنعتی هدایت کننده انجماد برای شمش های سیلیکون: اثر پوشش بر رویه بوته

Global simulation of coupled oxygen and carbon transport in an industrial directional solidification furnace for crystalline silicon ingots: Effect of crucible cover coating

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

شبیه سازی جهانی انتقال کربن و اکسیژن در کوره صنعتی هدایت کننده انجماد برای شمش سیلیکون

Global simulation of coupled oxygen and carbon transport in an industrial directional solidification furnace for crystalline silicon ingots: Effect of crucible cover coating

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

تولید آلیاژهای آلومینیوم Al-Si به وسیله روش های متالوژی پودر و انجماد سریع

Preparation of Al–Si alloys by a rapid solidification and powder metallurgy route

چکیده

1-مقدمه

2- روش تجربی

3- نتایج و بحث

3-1 مشخصات ریزساختاری

3-2 خواص مکانیکی

3-3 خواص فیزیکی

3-4 تحلیل شکست

4- نتیجه گیری

چکیده

آلیاژهای Al-22-50%Si با فشرده سازی داغ پودرآلیاژ Al-Si اتمیزه شده به وسیله ی گاز ، تولید شده اند . ریزساختارها ، خواص مکانیکی و سطوح شکست آلیاژها به عنوان تابعی از مقدار Si بررسی شدند . تمام آلیاژها به خوبی به صورت ریزساختاری فشرده و بدون تخلخل در آمدند و فاز Si که به طور همگن پراکنده شده بود از لحاظ اندازه تعدیل شد . این آلیاژها دارای سطحی صاف هستند . خواص مکانیکی این آلیاژها با افزایش Si به طور تدریجی بهبود یافت مخصوصا استحکام خمشی . همچنین هم ضریب انبساط حرارتی (CTE) و ضریب هدایت گرمایی آلیاژ همزمان کاهش یافتند . میانگین CTE و هدایت حرارتی آلیاژهای Al-Si به ترتیب (1/K) 6- 10 × 3/11 – 7/18 و W/Mk 145-184 که عملکرد عالی این آلیاژها را نشان می دهد . مدل هایی نظری به منظور پیش بینی CTE و هدایت حرارتی آلیاژ استفاده شدند . همچنین مقاومت حرارتی مرز در فصل مشترک Al و Si محاسبه شد .

4- نتیجه گیری

در این مقاله ، آلیاژهای Al-Si به وسیله ی پرس داغ پودرهای آلیاژی که با گاز اتمیزه شده اند، به دست آمده اند . تاثیرات مقدار Si بر روی ریزساختار ، خواص مکانیکی و فیزیکی و مکانیزم شکست بررسی شده است و نتایج زیر به دست آمده اند: 1) آلیاژهای Al-Si فشرده شده با مقادیر Si بین 22 تا wt%50 با پرس داغ پودرهایی که با گاز اتمیزه شده اند در دانسیته های نسبی بالاتر از 99 درصد به دست می آیند . آلیاژها باید ریزساختاری بدون حفره به همراه فاز ظریف Si که به طور همگن در زمینه Al پراکنده شده است داشته باشند . آلیاژها از فازهای α-Al و ß-Al بدون هیچ واکنشی در فصل مشترک تشکیل شده اند . 2) واکنش آلیاژهای Al-Si در برابر کشش با افزایش مقدار Si به طور فزاینده ای واکنشی ترد است . به علاوه ، استحکام کششی ، استحکام خمشی و مدول یانگ آلیاژها با افزایش مقدار Si به خوبی بهبود می یابند . 3) هدایت حرارتی و CTE مربوط به آلیاژهای Al-Si به همان نسبت که مقدار Si افزایش می یابد ، کاهش می یابند . مدل کرنر و مدل H-J به منظور پیش بینی CTE و هدایت حرارتی آلیاژها به کار می رود ، حتی اگر هنوز بعضی اختلافات وجود داشته باشند . CTE متوسط و هدایت حرارتی آلیاژهای Al-Si حاوی 22تا wt%Si 50 به ترتیب (1/K) 6-10× 3/11-7/18 و w/m.k 145-184 است ، بنابراین آن ها در کاربردهای الکترونیکی بسیار مطلوب هستند . 4) آلیاژهای Al-Si خصوصیات شکست ترد را دارند ، مخصوصا نمونه های با مقدار Si بالا . هیچ گونه گسیختگی در پیوندهای فصل مشترک بین زمینه و تقویت کننده در هیچ کدام از نمونه های کششی شکسته شده مشاهده نشده است .

Abstract

The Al–(22–50 wt.%) Si alloys are prepared by hot pressing of gas atomized Al–Si alloy powder. The microstructures, mechanical properties, physical properties, and fracture surfaces of the alloys are characterized as a function of the Si content. All the alloys are well densified with pore-free microstructure and homogeneously dispersed Si phase that is refined in size and has smooth surface. The mechanical properties of the alloys are improved gradually with increasing Si content, especially the bending strength. However, both the coefficient of thermal expansion (CTE) and thermal conductivity of the alloy decrease at the same time. The average CTE and thermal conductivity of the Al–Si alloys are 18.7–11.3 10−6/K and 184–145 W/m K, respectively, indicating excellent performance of these alloys. Theoretical models are used to predict the CTE and thermal conductivity of the alloys. Moreover, the thermal boundary resistance at the interface of Al and Si is also calculated.

4- Conclusions

In this work, Al–Si alloys were prepared by hot pressing of the gas atomized Al–Si alloy powder. The effects of Si content on the microstructure, mechanical and physical properties, and fracture mechanism were investigated, and the following conclusions were obtained. 1) Dense Al–Si alloys with the Si content of 22–50 wt.% could be obtained by hot pressing of the gas atomized alloy powder, of which the relative densities are higher than 99%. The alloys show a pore-free microstructure with homogeneously dispersed fine Si phase in the Al matrix. The alloys are composed of the α-Al and β-Si phases without any interfacial reactions. 2) The tensile response of the Al–Si alloys becomes increasingly brittle as the Si content increases. Additionally, the tensile strength, bending strength, and Young’s modulus of the alloys are significantly improved with increasing Si content. 3) The CTE and thermal conductivity of the Al–Si alloys decrease as the Si content increases. The Kerner model and H–J model could be used to predict the CTE and thermal conductivity of the alloys, even though some discrepancy still presented. The average CTE and thermal conductivity of the Al–Si alloys containing 22–50 wt.% Si are 18.7–11.3 10−6 /K and 184–145 W/m K, respectively, thus they are desirable for the applications in electronic packaging. 4) The Al–Si alloys exhibit brittle fracture features, especially the samples with high Si contents. No visible interfacial debonding is found in all broken tensile samples.

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

تولید آلیاژهای آلومینیوم Al-Si به وسیله روش های متالوژی پودر و انجماد سریع

Preparation of Al–Si alloys by a rapid solidification and powder metallurgy route

طراحی، ساخت و اعتبار سنجی آزمایشی حسگرهای خشک مبتنی بر سیلیکون جدید و منعطف برای اندازه گیری سیگنال الکتروانسفالوگرافی

Design, Fabrication, and Experimental Validation of Novel Flexible Silicon-Based Dry Sensors for Electroencephalography Signal Measurements

چکیده

1- مقدمه

2- مواد و روش ها

الف ) طراحی SBDS ها

ب) فرآیند تولید SBDS ها

3- نتایج

الف) عملکرد الکترود های SBDS پیشنهاد شده

ب) کیفیت امپدانس پوست – سنسور و مقایسه

ج) مقایسه سیگنال های EEG

د) آزمایش های عجیب EEG برای اعتبار سنجی کیفیت EEG

ه) تایید SGS

و) تست های مکانیکی

4- جمع بندی

چکیده

بسیاری از سنسور های تجاری موجود برای الکتروانسفالوگرافی EEG، شامل سنسور های خشک و تر متداول، باعث حساسیت بروز پوستی می شوند و به دلیل استفاده از مواد خارجی، کاربر احساس ناراحتی می کند. محصولات EEG، به خصوص سنسور ها باید سطح راحتی بیمار در زمان استفاده از این دستگاه ها را به عنوان یکی از اولویت ها در نظر بگیرند. برای رفع این مشکلات سنسور های EEG، این مقاله یک تحقیق عمومی با تایید SGS انجام می دهد تا سنسور های EEG خشک مبتنی بر سیلیکن (SBDS ها) را بررسی کند. بر اساس SGS و گزارش تست آن، SBDS ها در زمان خارج شدن از روی سر بیمار باعث ایجاد سایش و آزردگی در پوست نمی شوند و مطابق با استاندارد هایISO10993-5 هیچ تاثیر سمی سازی بر روی سلول های L929 ایجاد نمی کنند. این SBDS ها سبک، منعطف و بدون تاثیر آزردگی بر روی پوست هستند و همچنین می توانند به راحتی بر روی پوست سر قرار بگیرند و دیگر نیازی به آماده سازی های قبلی و یا استفاده از ژل های رسانا وجود ندارد. برای قسمت های جلوی سر و قسمت های مودار، سیگنال های EEG را می توان با استفاده از این سنسور ها به صورت قابل اعتماد به دست آورد. به صورت خاص، برای اندازه گیری سیگنال های EEG در قسمت های مو دار، این طراحی سوزنی شکل و منعطف از سنسور های SBDS می تواند وارد موها بشود تا تماس خوبی با پوست سر ایجاد کند و امپدانس بین پوست – الکترود را هم در سطح مناسبی نگاه می دارد. نتایج این مقاله نشان می دهد که سنسور های ارائه شده را می توان به خوبی در اندازه گیری های EEG مورد استفاده قرار داد و این سنسور ها کاربرد عملی دارند.

4- جمع بندی

این مطالعه یک سنسور SBDS بدون آسیب پوستی، منعطف، سبک و جدید را ارائه می کند و روند طراحی، ساخت و تست آن را بررسی می کند. SBDS های پیشنهاد شده دارای مزیت های زیر می باشد. نخست، مواد این سنسور ها مطابق با استاندارد های SGS می باشد که نشان می دهد این سنسور ها سازگار با محیط زیست هستند و منجر به آسیب پوستی و یا شکل گیری تاثیرات سمی نمی شود. دوما، SBDS ها دارای طراحی ارگونومیک می باشند و پایه آن ها منعطف می باشد و بدون ژل می توان آن ها را استفاده کرد. SBDS های پیشنهاد شده به راحتی بدن ایجاد درد پوشیده می شوند. سوما، SBDS های پیشنهاد شده به صورت مشابه با سنسور های خیس در اندازه گیری های EEG عمل می کنند. SBDS های پیشنهاد شده نسبت به سنسور های خیس از نظر کاربرد در طولانی مدت برای اندازه گیری EEG، بهتر هستند. چهارما، SBDS های پیشنهاد شده برای دو مکان مختلف در سر برای اندازه گیری های EEG مورد استفاده قرار گرفت به خصوص برای قسمت های مو دار. در نهایت، SBDS های پیشنهاد شده می توانند امپدانس سطح پوست و سنسور خوبی را برای کسب سیگنال های EEG ایجاد کند . نتایج تجربی نشان می دهد که این سنسور ها برای اندازه گیری EEG در مغز انسان مناسب می باشند.

Abstract

Many commercially available electroencephalography (EEG) sensors, including conventional wet and dry sensors, can cause skin irritation and user discomfort owing to the foreign material. The EEG products, especially sensors, highly prioritize the comfort level during devices wear. To overcome these drawbacks for EEG sensors, this paper designs Societe Generale de Surveillance S · A · (SGS)-certified, silicon-based dry-contact EEG sensors (SBDSs) for EEG signal measurements. According to the SGS testing report, SBDSs extract does not irritate skin or induce noncytotoxic effects on L929 cells according to ISO10993-5. The SBDS is also lightweight, flexible, and nonirritating to the skin, as well as capable of easily fitting to scalps without any skin preparation or use of a conductive gel. For forehead and hairy sites, EEG signals can be measured reliably with the designed SBDSs. In particular, for EEG signal measurements at hairy sites, the acicular and flexible design of SBDS can push the hair aside to achieve satisfactory scalp contact, as well as maintain low skin-electrode interface impedance. Results of this paper demonstrate that the proposed sensors perform well in the EEG measurements and are feasible for practical applications.

IV- CONCLUSION

This study describes a novel, lightweight, flexible and nonskin irritating SBDS, including its design, fabrication and testing. The proposed SBDSs have the following advantages. First, the sensor material has passed the standard SGS certifications, showing that it was biocompatible and did not irritate skin or induce cytotoxic effects in the test. Second, SBDSs have an ergonomic design with a flexible base and can be used in non-gel applications. The proposed SBDBs are also comfortable to wear without causing pain. Third, the proposed SBDSs perform similarly to wet conventional sensors in the EEG measurements. The proposed SBDSs are superior to wet sensors in their use in longterm EEG measurements. Fourth, the proposed SBDSs are made for two different brain sites for the EEG measurements, especially for the hairy sites. Finally, the proposed SBDSs can achieve the necessary skin-sensor interface impedance to provide EEG signals of sufficient quality for brain dynamics research. Experimental results indicate that the designed sensors are applicable for EEG signals measurement in the human brain.

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

طراحی ، ساخت و اعتبار سنجی آزمایشی حسگرهای خشک مبتنی بر سیلیکون جدید ومنعطف برای اندازه گیری سیگنال الکتروانسفالوگرافی

Design, Fabrication, and Experimental Validation of Novel Flexible Silicon-Based Dry Sensors for Electroencephalography Signal Measurements

سنسور دیود Schottky ناهمگون گرافن/سیلیکون با بایاس معکوس قابل تنظیم

Tunable Reverse-Biased Graphene/Silicon Heterojunction Schottky Diode Sensor

1- مقدمه

2- نتایج و بحث

3- نتایج

4- بخش آزمایشی

یک نمونه سنسور شیمیایی جدید مبتنی بر دیود ناهمگون گرافن/ Si با بایاس معکوس، توسعه داده شده است که حساسیت تعیین مولکولی وابسته به بایاس فوق العاده بالا و توان اجرایی پایینی ارائه می دهد. این سنسور از مزیت نازک بودن لایه های گرافن که باعث جذب مولکولی در سطح می شود، بهره می برد تا به طور مستقیم ارتفاع مانع فصل مشترک گرافن/Si را تغییر دهد و بنابراین وقتی سنسور در بایاس معکوس عمل می کند، اتصال جریان حاصل می شود که نتیجه ی این امر ایجاد حساسیت فوق العاده بالاست. وقتی یک وسیله در بایاس معکوس عمل می کند، تابع کار گرافن و بنابراین ارتفاع مانع در فصل مشترک ناهمگون گرافن/Si می تواند به وسیله ی بزرگی بایاس کنترل شود که این منجر به تنظیم پذیری گسترده ایی در میزان حساسیت تشخیص مولکولی می شود. این کنترل حساسیت هم چنین ممکن است به وسیله ی انتخاب دقیق schottky ناهمگون گرافن/Si انجام شود. در مقایسه با سنسورهای جریان سنج گرافن مرسوم در تراشه های یکسان ، سنسور پیشنهاد شده 13 برابر حساسیت بالاتری برای تشخیص NO2 و سه برابر برای تشخیص NH3 در شرایط محیط دارد. در حالی که توان مصرفی آن در یک ولتاژ بایاس یکسان تقریبا 500 برابر کمتر است. مکانیزم تشخیص، مبتنی بر تغییر ارتفاع مانع schottky ناهمگون است که با استفاده از اندازه گیری های ظرفیت الکتریکی-ولتاژ ثابت شد.

1- مقدمه

در چندین سال گذشته گرافن به دلیل خواص شگفت آور آن شامل تحرک فوق العاده بالای حاملان بار در آن به (اندازه ی cm2/Vs200000 در شکل سوسپانسیون)، داشتن نسبت سطح به حجم بسیار بالا -به دلیل بهره مندی از یک ساختار دو بعدی- و نویز جانسون بسیار پایین در محدوده ایی فاقد بارهای الکتریکی ،مورد توجه و تحقیق قرار گرفته است. این خواص گرافن را برای کاربردهای تشخیص مولکولی بسیار جذاب می سازد زیرا مولکول های جذب شده از طریق انتقال بار ،می توانند به سهولت رسانایی آن را تحت تاثیر قرار دهند. گرافن به دلیل داشتن حساسیت فوق العاده بالا و به دام انداختن حتی یک مولکول گاز این پتانسیل را دارد تا از آن برای تشخیص های مولکولی با استفاده از روش هایی مبتنی بر تغییر در میزان رسانایی، تابع کار سطح، فرکانس امواج صوتی، طیف فرکانس با نویز کم به طور گسترده استفاده شود.

4- بخش آزمایشی

نمونه های گرافن مورد استفاده در این کار با روش رسوب شیمیایی بخار (CVD) روی فویل مسی ( کاتالیست) با خلوص%99/99 در یک کوره ی لوله کوارتز سنتز شد. سنتز در دمای 1035 درجه سانتیگراد و در فشار 10 تور با CH4 به عنوان پیش ماده (با نرخ جریان اسمی Sccm 40) با H2 (با نرخ جریان اسمی Sccm 50) طبق گزارش های قبلی انجام شد.

A new chemical sensor based on reverse-biased graphene/Si heterojunction diode has been developed that exhibits extremely high bias-dependent molecular detection sensitivity and low operating power. The device takes advantage of graphene’s atomically thin nature, which enables molecular adsorption on its surface to directly alter graphene/Si interface barrier height, thus affecting the junction current exponentially when operated in reverse bias and resulting in ultrahigh sensitivity. By operating the device in reverse bias, the work function of graphene, and hence the barrier height at the graphene/Si heterointerface, can be controlled by the bias magnitude, leading to a wide tunability of the molecular detection sensitivity. Such sensitivity control is also possible by carefully selecting the graphene/Si heterojunction Schottky barrier height. Compared to a conventional graphene amperometric sensor fabricated on the same chip, the proposed sensor demonstrated 13 times higher sensitivity for NO 2 and 3 times higher for NH 3 in ambient conditions, while consuming ∼ 500 times less power for same magnitude of applied voltage bias. The sensing mechanism based on heterojunction Schottky barrier height change has been confi rmed using capacitance-voltage measurements.

1- Introduction

Graphene has drawn a huge research interest in the past several years due to its extraordinary material properties [1] including remarkably high charge carrier mobility of 200 000 cm 2 V −1 s −1 in suspended form, [2] very high surface to volume ratio due to its essentially two-dimensional (2D) nature, [3] and very low Johnson noise in the limit of no charge carriers. [3–5] These properties make graphene very attractive for molecular sensing applications, since the adsorbed molecules can readily affect its conductivity through charge transfer. [3] Demonstration of its ultra-high sensitivity, down Tunable Reverse-Biased Graphene/Silicon Heterojunction Schottky Diode Sensor Amol Singh ,* Md. Ahsan Uddin , Tangali Sudarshan , and Goutam Koley to a single gas molecule, [3] has generated widespread interest in its potential application for molecular detection based on changes in conductance, [3,6,7] surface work function, [6] frequency of the surface acoustic waves, [8] as well as low frequency noise spectra. [7,9]

4- Experimental Section

Graphene samples used in this work were synthesized through chemical vapor deposition (CVD) on Cu (catalyst) foils (Alfa Aesar, 99.999% purity) in a quartz tube furnace. The synthesis was performed at 1035 °C and 10 Torr pressure with CH 4 as the precursor (nominal fl ow rate of 40 sccm) along with H 2 (nominal fl ow rate 50 sccm), following earlier reports. [35,36]

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

سنسور دیود Schottky ناهمگون گرافن/سیلیکون با بایاس معکوس قابل تنظیم

Tunable Reverse-Biased Graphene/Silicon Heterojunction Schottky Diode Sensor

طراحی سطحی برای ارتقای بازدهی به دام اندازی نور در سلول های خورشیدی سیلیکونی غشا نازک

A Surface Design for Enhancement of Light Trapping Efficiencies in Thin Film Silicon Solar Cells

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

طراحی سطحی برای ارتقای بازدهی به دام اندازی نور در سلول های خورشیدی سیلیکونی غشا نازک

A Surface Design for Enhancement of Light Trapping Efficiencies in Thin Film Silicon Solar Cells

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

بررسی XPS و TEM در واکنش حالت جامد Ru-Si و رسوب شده ترکیب دوظرفیتی سیلیکون (سیلیسید) روتنیم رشد کرده بر روی سیلیکون

XPS and TEM study of deposited and Ru–Si solid state reaction grown ruthenium silicides on silicon

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

بررسی XPS و TEM در واکنش Ru-Si و ترکیب دوظرفیتی سیلیکون

XPS and TEM study of deposited and Ru–Si solid state reaction grown ruthenium silicides on silicon

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

روان کنندگی سیلیکون های پلی کریستالهای MEMS از طریق یک پوشش نازک کاربید سیلیکون

Lubrication of polycrystalline silicon MEMS via a thin silicon carbide coating

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

روان کنندگی سیلیکون های پلی کریستالهای MEMS از طریق یک پوشش نازک کاربید سیلیکون

Lubrication of polycrystalline silicon MEMS via a thin silicon carbide coating

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

تکنولوژی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و مستقل به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد

Dopant-Independent and Voltage-Selectable SiliconNanowire-CMOS Technology for Reconfigurable Logic Applications

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 فناوری نانو سیم سیلیکونی با قابلیت تنظیم ولتاژ جهت برنامه های کاربردی منعطف

Dopant-Independent and Voltage-Selectable SiliconNanowire-CMOS Technology for Reconfigurable Logic Applications

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.