دانلود ترجمه مقاله سنسور دیود Schottky ناهمگون گرافن/سیلیکون با بایاس معکوس (وایلی ۲۰۱۳) (ترجمه ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️)

wiley3

 

 

این مقاله انگلیسی ISI در نشریه وایلی در ۱۲ صفحه در سال ۲۰۱۳ منتشر شده و ترجمه آن ۲۰ صفحه میباشد. کیفیت ترجمه این مقاله ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️ بوده و به صورت کامل ترجمه شده است.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
عنوان فارسی مقاله:

سنسور دیود Schottky ناهمگون گرافن/سیلیکون با بایاس معکوس قابل تنظیم

عنوان انگلیسی مقاله:

Tunable Reverse-Biased Graphene/Silicon Heterojunction Schottky Diode Sensor

 

 

مشخصات مقاله انگلیسی 
فرمت مقاله انگلیسی pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش 
سال انتشار مقاله ۲۰۱۳
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۱۲ صفحه با فرمت pdf
نوع مقاله ISI
نوع ارائه مقاله ژورنال
رشته های مرتبط با این مقاله مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله مهندسی الکترونیک، مهندسی کنترل
چاپ شده در مجله (ژورنال) Small
ارائه شده از دانشگاه گروه مهندسی برق، دانشگاه کارولینای جنوبی، کلمبیا، ایالات متحده آمریکا
نمایه (index) Scopus – Master Journals List – JCR – MedLine
نویسندگان Amol Singh، Ahsan Uddin، Tangali Sudarshan، and Goutam Koley
شناسه شاپا یا ISSN ISSN ۱۶۱۳-۶۸۲۹
شناسه دیجیتال – doi https://doi.org/10.1002/smll.201302818
ایمپکت فاکتور(IF) مجله ۱۰٫۱۶۶ در سال ۲۰۱۹
شاخص H_index مجله ۱۹۵ در سال ۲۰۲۰
شاخص SJR مجله ۳٫۵۴۹ در سال ۲۰۱۹
شاخص Q یا Quartile (چارک) Q1 در سال ۲۰۱۹
بیس نیست 
مدل مفهومی ندارد 
پرسشنامه ندارد 
متغیر ندارد 
رفرنس دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله
کد محصول ۱۰۵۸۰
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در سایت Wiley
نشریه وایلی

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله 
فرمت ترجمه مقاله pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش
وضعیت ترجمه انجام شده و آماده دانلود در فایل ورد و pdf
کیفیت ترجمه ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش  ۲۰ صفحه با فونت ۱۴ B Nazanin
ترجمه عناوین تصاویر و جداول ترجمه شده است  
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه نشده است 
ترجمه متون داخل جداول ترجمه نشده است 
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است  
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است  
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه  به صورت عکس درج شده است  
منابع داخل متن درج نشده است 
منابع انتهای متن به صورت انگلیسی درج شده است

 

فهرست مطالب

۱- مقدمه

۲- نتایج و بحث

۳- نتایج

۴- بخش آزمایشی

 

بخشی از ترجمه

یک نمونه سنسور شیمیایی جدید مبتنی بر دیود ناهمگون گرافن/ Si با بایاس معکوس، توسعه داده شده است که حساسیت تعیین مولکولی وابسته به بایاس فوق العاده بالا و توان اجرایی پایینی ارائه می دهد. این سنسور از مزیت نازک بودن لایه های گرافن که باعث جذب مولکولی در سطح می شود، بهره می برد تا به طور مستقیم ارتفاع مانع فصل مشترک گرافن/Si را تغییر دهد و بنابراین وقتی سنسور در بایاس معکوس عمل می کند، اتصال جریان حاصل می شود که نتیجه ی این امر ایجاد حساسیت فوق العاده بالاست. وقتی یک وسیله در بایاس معکوس عمل می کند، تابع کار گرافن و بنابراین ارتفاع مانع در فصل مشترک ناهمگون گرافن/Si می تواند به وسیله ی بزرگی بایاس کنترل شود که این منجر به تنظیم پذیری گسترده ایی در میزان حساسیت تشخیص مولکولی می شود. این کنترل حساسیت هم چنین ممکن است به وسیله ی انتخاب دقیق schottky ناهمگون گرافن/Si انجام شود. در مقایسه با سنسورهای جریان سنج گرافن مرسوم در تراشه های یکسان ، سنسور پیشنهاد شده ۱۳ برابر حساسیت بالاتری برای تشخیص NO2 و سه برابر برای تشخیص NH3 در شرایط محیط دارد. در حالی که توان مصرفی آن در یک ولتاژ بایاس یکسان تقریبا ۵۰۰ برابر کمتر است. مکانیزم تشخیص، مبتنی بر تغییر ارتفاع مانع schottky ناهمگون است که با استفاده از اندازه گیری های ظرفیت الکتریکی-ولتاژ ثابت شد.

 

۱- مقدمه

در چندین سال گذشته گرافن به دلیل خواص شگفت آور آن شامل تحرک فوق العاده بالای حاملان بار در آن به (اندازه ی cm2/Vs200000 در شکل سوسپانسیون)، داشتن نسبت سطح به حجم بسیار بالا -به دلیل بهره مندی از یک ساختار دو بعدی- و نویز جانسون بسیار پایین در محدوده ایی فاقد بارهای الکتریکی ،مورد توجه و تحقیق قرار گرفته است. این خواص گرافن را برای کاربردهای تشخیص مولکولی بسیار جذاب می سازد زیرا مولکول های جذب شده از طریق انتقال بار ،می توانند به سهولت رسانایی آن را تحت تاثیر قرار دهند. گرافن به دلیل داشتن حساسیت فوق العاده بالا و به دام انداختن حتی یک مولکول گاز این پتانسیل را دارد تا از آن برای تشخیص های مولکولی با استفاده از روش هایی مبتنی بر تغییر در میزان رسانایی، تابع کار سطح، فرکانس امواج صوتی، طیف فرکانس با نویز کم به طور گسترده استفاده شود.

 

۴- بخش آزمایشی

نمونه های گرافن مورد استفاده در این کار با روش رسوب شیمیایی بخار (CVD) روی فویل مسی ( کاتالیست) با خلوص%۹۹/۹۹ در یک کوره ی لوله کوارتز سنتز شد. سنتز در دمای ۱۰۳۵ درجه سانتیگراد و در فشار ۱۰ تور با CH4 به عنوان پیش ماده (با نرخ جریان اسمی Sccm 40) با H2 (با نرخ جریان اسمی Sccm 50) طبق گزارش های قبلی انجام شد.

 

بخشی از مقاله انگلیسی

A new chemical sensor based on reverse-biased graphene/Si heterojunction diode has been developed that exhibits extremely high bias-dependent molecular detection sensitivity and low operating power. The device takes advantage of graphene’s atomically thin nature, which enables molecular adsorption on its surface to directly alter graphene/Si interface barrier height, thus affecting the junction current exponentially when operated in reverse bias and resulting in ultrahigh sensitivity. By operating the device in reverse bias, the work function of graphene, and hence the barrier height at the graphene/Si heterointerface, can be controlled by the bias magnitude, leading to a wide tunability of the molecular detection sensitivity. Such sensitivity control is also possible by carefully selecting the graphene/Si heterojunction Schottky barrier height. Compared to a conventional graphene amperometric sensor fabricated on the same chip, the proposed sensor demonstrated 13 times higher sensitivity for NO 2 and 3 times higher for NH 3 in ambient conditions, while consuming ∼ ۵۰۰ times less power for same magnitude of applied voltage bias. The sensing mechanism based on heterojunction Schottky barrier height change has been confi rmed using capacitance-voltage measurements.

 

۱- Introduction

Graphene has drawn a huge research interest in the past several years due to its extraordinary material properties [1] including remarkably high charge carrier mobility of 200 000 cm 2 V −۱ s −۱ in suspended form, [2] very high surface to volume ratio due to its essentially two-dimensional (2D) nature, [3] and very low Johnson noise in the limit of no charge carriers. [3–۵] These properties make graphene very attractive for molecular sensing applications, since the adsorbed molecules can readily affect its conductivity through charge transfer. [3] Demonstration of its ultra-high sensitivity, down Tunable Reverse-Biased Graphene/Silicon Heterojunction Schottky Diode Sensor Amol Singh ,* Md. Ahsan Uddin , Tangali Sudarshan , and Goutam Koley to a single gas molecule, [3] has generated widespread interest in its potential application for molecular detection based on changes in conductance, [3,6,7] surface work function, [6] frequency of the surface acoustic waves, [8] as well as low frequency noise spectra. [7,9]

 

۴- Experimental Section

Graphene samples used in this work were synthesized through chemical vapor deposition (CVD) on Cu (catalyst) foils (Alfa Aesar, 99.999% purity) in a quartz tube furnace. The synthesis was performed at 1035 °C and 10 Torr pressure with CH 4 as the precursor (nominal fl ow rate of 40 sccm) along with H 2 (nominal fl ow rate 50 sccm), following earlier reports. [35,36]

 

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
عنوان فارسی مقاله:

سنسور دیود Schottky ناهمگون گرافن/سیلیکون با بایاس معکوس قابل تنظیم

عنوان انگلیسی مقاله:

Tunable Reverse-Biased Graphene/Silicon Heterojunction Schottky Diode Sensor

 

 

 

 

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *