این مقاله انگلیسی ISI در نشریه IEEE در 4 صفحه در سال 2018 منتشر شده و ترجمه آن 12 صفحه میباشد. کیفیت ترجمه این مقاله ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️ بوده و به صورت کامل ترجمه شده است.

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار	2018
تعداد صفحات مقاله انگلیسی	4 صفحه با فرمت pdf
نوع مقاله	ISI
نوع ارائه مقاله	ژورنال
رشته های مرتبط با این مقاله	مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله	مهندسی الکترونی، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، سیستمهای الکترونیک دیجیتال
چاپ شده در مجله (ژورنال)	یافته ها در حوزه الکترونیک قدرت – Transactions on Power Electronics
ارائه شده از دانشگاه	آزمایشگاه سیستم های الکترونیکی ower، موسسه فن آوری فدرال (ETH)، سوئیس
کلمات کلیدی	لرزش نمونه برداری ADC، القاگر نیم پل، سمت بالا، حسگری جریان مجزاشده، نسبت سیگنال به نویز (SNR)
کلمات کلیدی انگلیسی	ADC Sampling Jitter, Half-Bridge Inductor, High-Side, Isolated Current Sensing, Signal to Noise Ratio (SNR)
نمایه (index)	Master journals – JCR
نویسندگان	Mario Mauerer, Arda Tuysuz, Johann Walter
شناسه شاپا یا ISSN	ISSN 0885-8993
شناسه دیجیتال – doi	https://doi.org/10.1109/TPEL.2017.2744806
ایمپکت فاکتور(IF) مجله	8.554 در سال 2018
شاخص H_index مجله	222 در سال 2019
شاخص SJR مجله	2.510 در سال 2018
شاخص Q یا Quartile (چارک)	Q1 در سال 2018
بیس	نیست ☓
مدل مفهومی	ندارد ☓
پرسشنامه	ندارد ☓
متغیر	ندارد ☓
رفرنس	دارد ✓
لینک مقاله در سایت مرجع	لینک این مقاله در سایت IEEE
نشریه آی تریپل ای

• فهرست مطالب:

چکیده

I. مقدمه

II. لرزش مجزاساز سیگنال

III. سنجش جریان نیم پل با نویز کم

IV. نتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

نتیجه گیری

سیگنال های سنسور نویز پایین برای لوپ های کنترل دیجیتالی تقویت کننده توان مد سویچ یافته دقیق مورد نیاز می باشند تا سیگنال های خروجی توان را با SNR > 100 dB ارائه دهند. در کانورترهای الکترونیک توان، ADCs مجزاشده اغلب برای اتخاذ سیگنال های جریان/ولتاژ در یک پتانسیل مختلف بکار گرفته می شوند. مجزاسازهای سیگنال دیجیتال معمولا برای تسهیل انتقال سیگنال های خروجی/کنترل ADC در برابر سد مجزاشده استفاده می شوند. لرزش سیگنال کنترل تبدیل ADC، که با برخی مجزاسازها معرفی می شوند، بایستی با دقت کافی به منظور جلوگیری از مازاد بودن نویز پهنای باند برای سیگنال مد نظر بررسی شوند. در نتیجه اینکه، این مقاله در ابتدا سنجش های لرزش RMS از یک دامنه عریض مجزاسازهای سیگنال دیجیتالی مورد استفاده را با نرخ های مجزاسازی بیش از 5 kV_RMS معرفی می نماید. این لرزش ها بصورت قابل توجهی از مقادیر بسیار پایین 13 ps به بیش از 250 ps تغییر می نمایند، که انتخاب هایشان بیشتر نامناسب صورت می گیرد، در صورتی که این مقادیر می توانند بصورت مناسب تغییر یابند، حتی بین مجزاسازها با استفاده از فناوری مجزاسازی مشابه نیز این وضعیت رخ می دهد.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

IV. CONCLUSION

Low-noise sensor signals are important for digital control loops of precision switched-mode power amplifiers required to provide power output signals with an SNR of >100 dB. In power electronics converters, isolated ADCs are often employed to acquire current/voltage signals at a different potential. Digital signal isolators are commonly used to facilitate the transfer of the digital ADC output/control signals across the isolation barrier. The jitter of the ADC conversion control signal, which is introduced by such isolators, has to be carefully considered in order to prevent the addition of wideband noise to the acquired signal. Consequently, this work first presents RMS jitter measurements of a wide range of commonly used digital signal isolators with isolation ratings up to 5 kVRMS. Their jitter varies greatly from values as low as 13 ps up to 250 ps, which renders their selection more tedious, as these values can vary considerably, even between isolators using the same isolation technology.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله با فرمت ورد

نوشته دانلود مقاله ترجمه شده شنت دیجیتالی جدا شده کم نویز (IEEE 2018) (ترجمه ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️) اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

این مقاله انگلیسی ISI در نشریه IEEE در 3 صفحه در سال 2016 منتشر شده و ترجمه آن 9 صفحه میباشد. کیفیت ترجمه این مقاله ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️ بوده و به صورت کامل ترجمه شده است.

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار	2016
تعداد صفحات مقاله انگلیسی	3 صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله	مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله	مدارهای مجتمع الکترونیک، سیستم های قدرت، مهندسی الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی و مهندسی کنترل
مجله	سمپوزیوم بین المللی فناوری یکپارچه سازی فرکانس رادیویی International Symposium on performance science Radio-Frequency Integration Technology (RFIT)
دانشگاه	گروه مهندسی برق، دانشگاه ملی چیائو تونگ تایوان
کلمات کلیدی	CMOS، کم نویز، کم توان، LNA، گیرنده مستقیم، القایی دیفرانسیل، VGA
رفرنس	دارد
لینک مقاله در سایت مرجع	لینک این مقاله در سایت IEEE
نشریه آی تریپل ای

• فهرست مطالب:

چکیده

I. معرفی

II. طراحی مدار

III. نتایج اندازه گیری

IV. نتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

III. نتایج اندازه گیری:
شکل 4 عکس I/Q DRC کم نویز کم توان در محدوده 5-6GHz در تکنولوژی 0.18µm CMOS را نشان میدهد و اندازه آن برابر 1.5 × 1〖mm〗^2 شامل پدهای DC/RF میباشد. با اندازه گیری روی سطح ویفر، جریان مصرفی مجموع برابر 4.75mA در ولتاژ تغذیه 1.8V میباشد. شکل 5 گین تبدیل و تلفات بازگشتی ورودی با توجه به فرکانس RF را نشان میدهد. گین حداکثر برابر 50dB در 5.4GHz است و پهنای باند 3-dB از 5.1GHz تا 5.9GHz میباشد. همچنین تلفات بازگشتی برای محدوده فرکانس راه اندازی کامل بهتر از 10dB است. توسط بایاس صحیح هسته میکسر، توان پمپاژ LO برای دستیابی به تعلیق جریان کامل همانطور که در شکل 6 نشان داده شده، برابر 6dBm است. شکل 7 عملکرد نویز این کار را نشان میدهد. در نقاط فرکانس اندازه گیری 5.2/5.5/5.8 GHz، گوشه نویز فیلیکر همانطور که برای میکسر MOS فعال انتظار میرود، حدود 1MHz میباشد و کف نویز میتواند به ترتیب کمتر از 6/5/5 dB باشد.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

III. MEASUREMENT RESULTS

Fig. 4 shows the die photo of a 5-6 GHz low-noise lowpower I/Q DRC in 0.18μm CMOS technology, and the die-size is 1.5 x 1 mm2 including the DC/RF pads. By on-wafer measurement, the total current consumption is 4.75mA at the supply voltage of 1.8 V. Fig. 5 indicates the conversion gain and the input return loss with respect to RF frequency. The peak gain is 50 dB at 5.4 GHz and the 3-dB bandwidth is from 5.1 GHz to 5.9 GHz. Also, the return loss is better than 10 dB for the whole operating frequency range. By properly biasing the mixer core, the LO pumping power is about 6 dBm to achieve fully current commutation as shown in Fig. 6. Fig. 7 shows the noise performance of this work. At the measurement frequency point of 5.2/5.5/5.8 GHz, the flicker noise corner is around 1 MHZ as expected for the active MOS mixer [1] and the noise floor can be less than 6/5/5 dB, respectively.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله با فرمت ورد

نوشته دانلود مقاله ترجمه شده گیرنده انتقال مستقیم کم نویز CMOS با RF VGA دیفرانسیلی (IEEE ۲۰۱۶) (ترجمه ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️) اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

این مقاله انگلیسی ISI در نشریه IEEE در 7 صفحه در سال 2011 منتشر شده و ترجمه آن 11 صفحه میباشد. کیفیت ترجمه این مقاله ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️ بوده و به صورت کامل ترجمه شده است.

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار	2011
تعداد صفحات مقاله انگلیسی	7صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله	مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله	مهندسی الکترونیک، سیستم های قدرت و مدارهای مجتمع الکترونیک
مجله	نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران  19th Iranian Conference on Electrical Engineering
دانشگاه	گروه مهندسی برق، دانشگاه صنعتی سهند، تبریز، ایران
کلمات کلیدی	RF CMOS LNA، تقویت کننده کم نویز، RF-front end، باند فوق عریض (UWB)، خنثی سازی القایی
شناسه شاپا یا ISSN	ISSN 2164-7054
رفرنس	دارد
لینک مقاله در سایت مرجع	لینک این مقاله در سایت IEEE
نشریه آی تریپل ای

• فهرست مطالب:

چکیده

معرفی

فرآیند طراحی

تشدید ورودی/خروجی

تاثیر Lf در پایداری و ایزولاسیون معکوس(S21)

تطابق امپدانس خروجی

تطابق امپدانس ورودی

عدد نویز

خطینگی

پارامترهای S و نتایج شبیه سازی

نتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

نتیجه گیری:
یک CMOS LNA تمام مجتمع برای اپلیکیشن WLAN IEEE 802.11a ارائه شده و در تکنولوژی 0.18µm استاندارد شبیه سازی شده است. LNA اشاره شده تعادل و مصالحه بهتری میان همه پارامترها مانند S11، S22، S12، S21، K و NF دارد.پایداری و ایزولاسیون معکوس بهبود یافته اند در حالیکه NF پایین نگه داشته شده است. برای فراهم کردن الزاماتمان شبکه تطابق امپدانس ورودی همچنین بهبود یافته است.این شبکه درجه آزادی بیشتری دارد، بنابراین طراحان میتوانند بخش حقیقی و موهومی Z_11 را بطور مستقل کنترل کنند. LNA ارائه شده با دیگر کارهای منتشر شده مقایسه شده است و نتایج در جدول II ارائه شده است.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

3. Conclusion

A fully integrated CMOS LNA for IEEE 802.11a WLAN application is presented and simulated in standard 0.18µm by CMOS technology. Cited LNA has better balance and trade-off among all parameters such as S11, S22, S12, S21, K, NF. Stability and reverse isolation are improved while NF is kept low. For providing our requirements, input impedance matching network is also improved. This network has more degree of freedom, so designers can control real and image part of Z11 independently. The presented LNA is compared with other published works, and results are represented in Table II.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله با فرمت ورد

نوشته دانلود مقاله ترجمه شده آمپلی فایر کم نویز CMOS کاملا یکپارچه – مجله IEEE اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

گروه آموزشی ترجمه فا اقدام به ارائه ترجمه مقاله با موضوع ” تقویت کننده بایو کم نویز کم توان 1 ولتی ” در قالب فایل ورد نموده است که شما عزیزان میتوانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و نیز مطالعه نمونه ترجمه و سایر مشخصات، ترجمه را خریداری نمایید.

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار	2015
تعداد صفحات مقاله انگلیسی	4 صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله	مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله	مهندسی الکترونیک، سیستم های قدرت، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی و مدارهای مجتمع الکترونیک
مجله	کنفرانس بین المللی الکترونیکها، مدارها و سیستم ها – International Conference on Electronics
دانشگاه	گروه مهندسی الکترونیک، دانشکده فنی Military، مصر
کلمات کلیدی	نویز کم،تقویت کننده های بایو، طراحی مدار کم قدرت، تقویت کننده عصبی
رفرنس	دارد
لینک مقاله در سایت مرجع	لینک این مقاله در سایت IEEE
نشریه آی تریپل ای

• فهرست مطالب:

چکیده

معرفی

OTA ارایه شده

نتایج شبیه سازی تقویت کننده بایو

نتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

نتیجه گیری:
سلول دنبال کننده ی ولتاژ فلیپ شده برای ساختن یک سلول gm با هدایت انتقالی موثر Gm مستقل از جریان بایاس بکار میرود.با استفاده از سلول gm یک تقویت کننده ی کم نویز،کم ولتاژ و کم توان مناسب برای ثبت سیگنال عصبی طراحی شده است.این تقویت کننده نویز ولتاژ ارجاع به ورودی برابرμ V_rms 3.7 داردو همچنین توان مصرفی آن برابر 2.2 μW است.در ولتاژ تغذیه ی 1V راه اندازی میشود.پهنای باند آن 25-9.9kHz است.NEF آن برابر 2.13 میباشد.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

V. CONCLUSION

The flipped voltage follower cell is used to build a gm-cell with effective transconductance Gm independent of the bias current. Using this gm-cell a low-voltage low-power low-noise amplifier suitable for neural recording has been designed. The amplifier has an input referred voltage noise of 3.7 μVrms. It consumes 2.2 μW. it is able to operate at 1V supply voltage. Its bandwidth is 25-9.9k Hz. The NEF is 2.13.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله

نوشته دانلود مقاله ترجمه شده تقویت کننده بایو کم نویز کم توان 1 ولتی – مجله IEEE اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

• فهرست مطالب:

چکیده
1. مقدمه
2. شبکه تطبیق امپدانس ورودی
3. شرایط بایاس و تحلیل خطی بودن
3.1 تحلیل تکنیک های FBB
3.2 تحلیل خطی بودن
4. تحلیل بهره و نویز
4.1 تحلیل های بهره مرحله اول
4.2 تحلیل نویز
4.2.1 منبع نویز
4.2.2 نویز خروجی مرحله اول
5. ملاحظات طراحی
6. نتایج شبیه سازی و مباحث
7. جمع بندی

• بخشی از ترجمه:

7. جمع بندی
یک تقویت کننده ی کم نویز CMOS سه مرحله ای (LNA) با استفاده از طراحی آبشاری برای بهره ی بالا و نویز کم در مرحله ی اول پیشنهاد شده است. در مرحله ی دوم یک طراحی کششی فشاری تکمیلی برای بهبود عملکرد خطی استفاده شده است. یک طراحی سورس مشترک برای افزایش بهره ی کلی LNA پیشنهاد شده در مرحله ی دوم استفاده شده است. تکنیک های بایاس بدنه به صورت مستقیم برای کاهش ولتاژ سرحد، تامین توان و مصرف توان در LNA استفاده شده است.
یک ساختار بالاگذر با خریب القایی منبع برای کاهش تعداد القا دهنده ها استفاده میشود؛ ازین رو، این موضوع موجب کاهش سایز قالب گیری و شکل نویز مدار طراحی شده میباشد. UWB CMOS LNA پیشنهاد شده یک کاندید خوب برای کاربرد های UWB میباشد زیرا مصرف توان و ولتاژ پایینی نیاز دارد.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

7. Conclusion

A three-stage CMOS low noise amplifier (LNA) was proposed using a cascode topology for its high gain and low noise figure at the first stage. At the second stage a complementary push–pull topology was used to enhance the linearity performance. A simple common source topology was used to increase the total gain of the proposed LNA as the third stage. Forward Body-Biased technique was chosen to reduce the threshold voltage, power supply and as well power consumption of the LNA.

A high pass filtering structure with source inductive degeneration technique was employed to reduce the number of inductors; therefore, reduces the die area and the noise figure of the designed circuit. The proposed UWB CMOS LNA is a good candidate for UWB wireless applications due to its low voltage and low power consumption.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله

نوشته دانلود ترجمه مقاله تقویت کننده کم نویز LNA) UWB) جهت استفاده 3.1-10.6 GHz در پروسه CMOS – مجله الزویر اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.