دانلود ترجمه مقاله تقویت کننده کم نویز LNA) UWB) جهت استفاده ۳٫۱-۱۰٫۶ GHz در پروسه CMOS – مجله الزویر

elsevier

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

یک تقویت کننده کم نویز LNA) UWB) با حالت خطی بالا و کم توان برای کاربرد های ۳٫۱-۱۰٫۶ GHz در فرآیند های CMOS با ابعاد ۰٫۱۳ um

عنوان انگلیسی مقاله:

A low power and high linearity UWB low noise amplifier (LNA) for 3.1–۱۰٫۶ GHz wireless applications in 0.13 mm CMOS process

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار  ۲۰۱۳
تعداد صفحات مقاله انگلیسی  ۹ صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله  مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله  مهندسی الکترونیک، الکتروتکنیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، مدارهای مجتمع الکترونیک و مکاترونیک
مجله  Microelectronics Journal
دانشگاه  دانشکده مهندسی برق، دانشگاه شهید باهنر کرمان، ایران
کلمات کلیدی  CMOS خطی بودن بالا، تقویت کننده کم نویز، پهنای باند فوق العاده، بي سيم، Cascode
شناسه شاپا یا ISSN ISSN ۰۰۲۶-۲۶۹۲
رفرنس دارد
نشریه الزویر – Elsevier

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۲۲ صفحه
ترجمه عناوین تصاویر و جداول ترجمه شده است
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه نشده است
ترجمه متون داخل جداول ترجمه نشده است
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس درج شده است

 


  • فهرست مطالب:

 

چکیده
۱٫ مقدمه
۲٫ شبکه تطبیق امپدانس ورودی
۳٫ شرایط بایاس و تحلیل خطی بودن
۳٫۱ تحلیل تکنیک های FBB
۳٫۲ تحلیل خطی بودن
۴٫ تحلیل بهره و نویز
۴٫۱ تحلیل های بهره مرحله اول
۴٫۲ تحلیل نویز
۴٫۲٫۱ منبع نویز
۴٫۲٫۲ نویز خروجی مرحله اول
۵٫ ملاحظات طراحی
۶٫ نتایج شبیه سازی و مباحث
۷٫ جمع بندی


  • بخشی از ترجمه:

 

۷٫ جمع بندی
یک تقویت کننده ی کم نویز CMOS سه مرحله ای (LNA) با استفاده از طراحی آبشاری برای بهره ی بالا و نویز کم در مرحله ی اول پیشنهاد شده است. در مرحله ی دوم یک طراحی کششی فشاری تکمیلی برای بهبود عملکرد خطی استفاده شده است. یک طراحی سورس مشترک برای افزایش بهره ی کلی LNA پیشنهاد شده در مرحله ی دوم استفاده شده است. تکنیک های بایاس بدنه به صورت مستقیم برای کاهش ولتاژ سرحد، تامین توان و مصرف توان در LNA استفاده شده است.
یک ساختار بالاگذر با خریب القایی منبع برای کاهش تعداد القا دهنده ها استفاده میشود؛ ازین رو، این موضوع موجب کاهش سایز قالب گیری و شکل نویز مدار طراحی شده میباشد. UWB CMOS LNA پیشنهاد شده یک کاندید خوب برای کاربرد های UWB میباشد زیرا مصرف توان و ولتاژ پایینی نیاز دارد.


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

۷٫ Conclusion

A three-stage CMOS low noise amplifier (LNA) was proposed using a cascode topology for its high gain and low noise figure at the first stage. At the second stage a complementary push–pull topology was used to enhance the linearity performance. A simple common source topology was used to increase the total gain of the proposed LNA as the third stage. Forward Body-Biased technique was chosen to reduce the threshold voltage, power supply and as well power consumption of the LNA.

A high pass filtering structure with source inductive degeneration technique was employed to reduce the number of inductors; therefore, reduces the die area and the noise figure of the designed circuit. The proposed UWB CMOS LNA is a good candidate for UWB wireless applications due to its low voltage and low power consumption.


 

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

تقویت کننده کم نویز LNA) UWB) جهت استفاده ۳٫۱-۱۰٫۶ GHz در پروسه CMOS

عنوان انگلیسی مقاله:

A low power and high linearity UWB low noise amplifier (LNA) for 3.1–۱۰٫۶ GHz wireless applications in 0.13 mm CMOS process

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

 

خرید ترجمه فارسی مقاله

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *