دانلود مقاله ترجمه شده مدلسازی دستگاه‌ الکترونیکی پایه گرافینی – مجله IEEE

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار	۲۰۱۵
تعداد صفحات مقاله انگلیسی	۸ صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله	مهندسی مواد و مهندسسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله	بیومواد، مهندسی مواد و متالوژی، مهندسی الکترونیک، نانومواد و افزاره های میکرو و نانو الکترونیک
مجله	مجله موضوعات منتخب و در حال ظهور در مدارات و سیستم
دانشگاه	گروه مهندسی مواد، موسسه فن آوری ایرپواتو، گوانخواتو، مکزیک
کلمات کلیدی	نانوتیوب های کربنی، ترانزیستورهای اثر میدانی، گرافین، گیت‌های منطقی، نانوالکترونیک، نانومواد
شناسه شاپا یا ISSN	ISSN ۲۱۵۶-۳۳۶۵
رفرنس	دارد
لینک مقاله در سایت مرجع	لینک این مقاله در سایت IEEE
نشریه آی تریپل ای

• فهرست مطالب:

چکیده
۱٫مقدمه
۲٫مفاهیم اولیه گرافین
الف. انواع گرافین
ب. مشخصات الکتریکی گرافین
۳٫مدلسازی دستگاه‌های الکترونیکی
الف. مقاومت تفاضلی منفی (NDR)
ب. طول مؤثر پرده
پ. شکاف باند قابل تنظیم گرافین دولایه
د. ولتاژ درین در مقابل مقاومت درین و توان استاتیکی در مقابل مقاومت درین
ی. فرکانس بیشینه و فرکانس قطع جریان
ف. مدل با سیگنال کوچک
ج. زمان تأخیر اصلی
۴٫پیشرفت‌های کنونی و چشم اندازهای آینده
الف. پیشرفت‌های کنونی
ب. روندها در مدلسازی الکتریکی دستگاه‌های گرافینی
۵٫نتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

۵٫ نتیجه گیری
گرافین ماده‌ای جدید با کاربردهای بالقوه در صنعت الکترونیک است که علت استفاده از آن موبیلیته حامل بالا، سرعت اشباع بالا، چگالی جریان بالا و ضخامت بسیارنازک آن در ساخت ترانزیستورهای فوق پرسرعت با فرکانس قطع جریان بیش از ۱ تراهرتز است. تاکنون درک تئوریک گسترده‌ای درمورد انتقال الکتریکی در SLG حاصل شده است، اما با این حال، کار زیادی باید صورت گیرد تا مشخصات الکتریکی سیستم‌های BLG و MLG مشخص شود. کاربرد گرافین در دستگاه‌های الکتزیکی به سبب اینکه بسیاری از ایده‌های دستگاه‌ها در مراحل طرح اولیه هستند در دوران نوپایی خود بسر می‌برد، با این حال مدلسازی ریاضی ابزاری عالی برای پیش بینی مشخصات الکتریکی دستگاه‌های ساخته شده با گرافین محسوب می‌شود. جهت نیل به این هدف، لازم است که شبیه سازهای جدیدی برای پیش بینی رفتار الکترونیکی دستگاه‌های پایه گرافینی ساخته شود و تأکید ویژه‌ای روی فرکانس‌های بسیار بالا در هر دو مدارهای یکپارچه آنالوگ و دیجیتال باشد.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

V. CONCLUSION

Graphene is an emerging material with potential applications in electronic devices due to its high carrier mobility, high saturation velocity, high current densities, and ultra-thin thickness to fabricate ultra-high speed transistors with cutoff frequency exceeding 1 THz. Until now a broad theoretical understanding of the electrical transport in SLG has been achieved, however, a lot of work must be done to determine electrical properties of BLG and MLG systems. The application of graphene in electronic devices is at its infancy due to that many device ideas are at proposal stages, however, the mathematical modeling is an excellent tool to forecast electrical properties of devices fabricated with graphene. To achieve this objective, it is necessary to develop new simulators for predicting the electronic behavior of the devices based on graphene with a special emphasis to very high frequencies both in analog and digital integrated circuits.