دانلود رایگان ترجمه مقاله مدل های آمار حامل و ظرفیت کوانتومی نانواسکرول گرافن – هینداوی 2014

مقالات انگلیسی و ترجمه های فارسی رایگان با فرمت PDF آماده دانلود رایگان میباشند

همچنین ترجمه مقاله با فرمت ورد نیز قابل خریداری و دانلود میباشد

مقاله انگلیسی رایگان (PDF)

ترجمه فارسی رایگان (PDF)

خرید ترجمه با فرمت ورد

فهرست مقاله:

1- مقدمه
2- مدل تحلیلی خازن کوانتوم برای ZNGS
3-نتیجه گیری

بخشی از ترجمه فارسی مقاله:

1- مقدمه
این مسئله به خوبی شناخته شده است که مواد مبتنی بر گرافن انتقال الکتریکی بهتری را دارند. تولید ابزار های الکترونیکی در ابعاد بسیار کوچک کم تر از 100 نانومتر به دلیل پیشرفت های مدرن در ساخت رسانا های اندازه اتم امکان پذیر بوده است.تا کنون، اکثریت مطالعاتدانجام شده بر CNT و GNR تاکید داشته اند. این مسئله مشخص است که نانواسکرول هایگرافن در واقع نانوریبون های گرافن کوچکی هستند که به به صورت مارپیچی درامده اند(3-4). مکانیسم های تشکیل CNG به شدت مشابه با مکانیسم های مربوط به گرافن بزرگ و نانو اسکرول های نیتریدی می باشند. سطوح دارای هم پوشانی لایه ها در GNS ها قادر به بهبود پایداری ساختاری می باشند. نانواسکرول های گرافن مواد مناسبی برای نسل آینده ابزار های نانو الکترونیکی نظیر کانال و ارتباطات درونی در EET و MOSFET(6-7) می باشند. ضمن تشریح ساختار نانو اسکرول ها، میکروسکوپ الکترونیکی و انکسار را می توان به صورت رویکرد های بسیار کارامد در نظر گرفت(8-9).CNG ها را می توان به عنوان حامل های انتقال الکترونی مورد استفاده قرار داد. امروزه، نانوکربن های شبه تک بعدی یعنی نانول ها، نانو وایر ها، نانو بلت ها و نانواسکرول هاا با استفاده از روش های هیدروترمال یا بازجذب بخار شمیایی پلاسما سنتز شده اند. استفاده از محلول الکل ایزوتروپ برای تا کردن گرافن تک لایه ای بر روی سوبسترا های سیلیسیم اکسید/ سیلیسیم به عنوان روش ساده برای ساخت نانو اسکرول های کربن با کیفیت در نظر گرفته شده است. به علاوه این روش قادر به رنگ امیزی با تراکم جریان 5 × 107 A/cm2 است. از این روی یک کاندید مناسب برای معابر نانوساختار است.س دیگر دسته مهم از نانوساتار هاف نانوله های نیترید برون و نانو اسکرول های نیترید برون می باشند. اگرچه تعداد زیادی از کار های ازمایشی و نظری برای BNNTکزارش شده است، BNS تا کتون مورد بررسی قرار نگرفته است. در اصل، اخیرا روش های ازمایشی برای تولید CNS هایی استفاده می شود. به طور مشابه با CNS ها، تشکیل BNS با افزایش انرژی الاستیگ ناشی از خمش لایه BN و کاهش انرژی ازاد تولید شده با انرژی وان در والسی مناطق هم پوشانی لایه همراه است. این نشان می دهد که اثرات متقابل وان در والسی برای BNS مناسب تر از مورد CNS است.

نتیجه گیری
می توان گفت که نانواسکرول گرافن با خواص انتشار میدانی و ریخت شناسی نواری را می توان در نانو الکترونیک اینده به عنوان حامل انتقال الکترون مورد استقاده قرار داد. مدل های تحلیلی مختلف برای خواص الکترونی CNS ارایه شده است نظیر غلظت حامل و تراکم حالت. به علاوه تحقیقات نشان داده است که عدد کایرال و پارامتر های ساختاری نانو اسکرول نظیر طول نانو اسکرول بر تراکم وضعیت و غلظت حامل اثر دارد. این نتایج با نتایج مربوط به نانولوله کربن و گرافن هم خوانی دارد. اثرات دمایی بر روی خازن کوانتوم نشان می دهد که ظرفیت کوانتوم سریعا به مقدار N پایین می رسد.

بخشی از مقاله انگلیسی:

1. Introduction

It is well agreed that the graphene based materials do reveal better electrical transmission. Fabricating the electronic devices in tremendously small dimensions (fewer than 100 nanometers) has become possible owing to the modern advances in the construction of atomic-sized conductors. Up till now, the majority of surveys conducted formerly have focused on CNT and GNR [1, 2]. It is known that the graphene nanoscrolls are indeed small graphene nanoribbons which have been rolled up into the spiral [3, 4]. The GNS formation mechanisms greatly resemble the mechanisms associated with the characteristic large graphene and boron nitride nanoscrolls. The overlapping surface of the rolled layers in GNSs is potent of enhancing the structural stability [5]. Graphene nanoscrolls are reported to be auspicious materials for the subsequent generation of the nanoelectronic devices, like the channel and interconnection in FETs and MOSFETs [6, 7]. While outlining the structure of the nanoscrolls, the electron microscopy and diffraction can be measured as very efficient approaches [8, 9]. GNSs have the potential being used as electron-transport carrier [10, 11]. Currently, the quasi-one-dimensional nanocarbons, namely, the nanowall, nanowire, nanobelt, and nanoscroll, are being synthesized using the hydrothermal method or the plasma enhanced chemical vapor deposition (CVD) [12– 14]. Utilizing the isotropy alcohol solution for rolling up the monolayer graphene predefined on SiO2/Si substrates has been considered as a simple and efficient method for constructing the high-quality carbon nanoscrolls (CNSs). Additionally, it is confirmed that the GNS attained throughout this method would be capable of sustaining a high current density up to 5 × 107 A/cm2 . This in turn proves that it can be taken as a proper candidate for microcircuit interconnect [15, 16]. Another important class of nanostructures is boron nitride nanotubes (BNNTs) and boron nitride nanoscrolls (BNSs). Although a large number of theoretical and experimental works have been reported to BNNTs, BNSs have not been explored so far. In principle, the recently reported experimental techniques used to produce CNSs can be used to produce BNSs using cubic boron nitride crystals as starting materials. Similar to CNSs, BNS formation is dominated by two major energetic contributions, the elastic energy increase caused by bending the BN layer (decreasing stability) and the free energy decrease generated by the van der Waals interaction energy of overlapping regions of the layer (increasing stability). This suggests that the van der Waals interactions are more relevant for the BNS than for the CNS case. [17, 18].

3. Conclusion

It is acknowledged that the graphene nanoscrolls with outstanding field emission properties and strip morphology are claimed to be capable of being employed in the future nanoelectronics as the electron transport carriers. Numerous analytical models have been recommended in the current paper for the GNSs electronic properties, such as the state density and the carrier concentration as well as the quantum capacitance. Furthermore, the current research approved that the chirality number (?) and structural parameters of nanoscroll, such as length of nanoscroll (?), affect the state density of states and carrier concentration. It is confirmed here that the results are consistent with the ones related to the carbon nanotube and graphene nanoribbon. Besides, the temperature effects on the quantum capacitance were examined, indicating that once there is a rise in the temperature,the quantum capacitance will reach its limit more quickly at low n.