دانلود مقاله ترجمه شده مدل SPICE برای ترانزیستور اثر میدانی نانوریبون توان سطح مدار – مجله IEEE

ieee2

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

مدلی سازگار با SPICE برای ترانزیستورهای اثر میدانی نانوریبون و میسر کننده تحلیل تاخیر و توان سطح مدار تحت شرایط تغییر فرآیند

عنوان انگلیسی مقاله:

A SPICE-Compatible Model of Graphene Nano-Ribbon Field-Effect Transistors Enabling Circuit-Level Delay and Power Analysis Under Process Variation

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار  ۲۰۱۳
تعداد صفحات مقاله انگلیسی  ۷ صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله  مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله  مدارهای مجتمع الکترونیک، مهندسی الکترونیک، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک و بیوالکتریک، سیستم های الکترونیک دیجیتال
مجله  طراحی، اتوماسیون و تست در کنفرانس و نمایشگاه اروپا
دانشگاه  گروه مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه ایلینوی اوربانا شامپاین
شناسه شاپا یا ISSN ISSN ۱۹۴۱-۰۰۸۵
رفرنس دارد
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در سایت IEEE
نشریه IEEE

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۲۱ صفحه
ترجمه عناوین تصاویر و جداول ترجمه شده است
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه شده است
ترجمه متون داخل جداول ترجمه شده است
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس درج شده است

 


  • فهرست مطالب:

 

چکیده
۱) مقدمه
۲٫ ساخت مدارهای دارای GNRFETها
الف. خواص و تکنیک‌های ساخت گرافین
ب. ساختار شبکه و معماری سطح مدار
۳٫ مدلسازی مدارهای GNR
الف. مدل GNR تکی
۱) محاسبه زیرباندها
۲) یافتن پتانسیل کانال
۳) یافتن بار کانال QCH
الف) تقریب نمایی
ب) تقریب پلکانی
ث) تقریب ترکیبی
د) محاسبه بار کانال QCH
.یافتن QCAP
خازن‌های اصلی
مدلسازی جریان
درنظرگیری زبری لبه
ب. مدل GNRFET کامل، Vias و اتصالات میانی
۴٫ نتایج آزمایشگاهی
الف. صحت آزمایی مدل ترانزیستور
۱) دستگاه پیش فرض
۲) تغییر در پارامترهای طراحی
۳) مقایسه با داده‌های اندازه گیری حاصل از GNRFETهای ساخته شده
ب. ارزیابی سطح مدار
۱) تأثیر ولتاژ ورودی
۲) تأثیر تغییر فرآیند
۳) مقایسه عملکرد GNR و Si-CMOS
۵٫ نتیجه گیری


  • بخشی از ترجمه:

 

۵٫ نتیجه گیری
ما مدل فشرده پارامتری شده ای سازگار با SPICE از GNRFET نوع MOSFET معرفی کردیم. در این مدل اثرات N(WCH)، LCH، Tox، fdop و زبری لبه بر جریان و بار منظور گردید. هم چنین، ما معماری مدار مبتنی بر GMR را معرفی کردیم که تلفیقی از گیت‌ها و اتصالات میانی بود. این مدل و معماری اجازه می‌دهند تا عملکرد سطح مدار GNRFETها تحت شرایط تغییر فرآیند ارزیابی شود. ما شاهد بودیم که GNFETها نسبت به CMOS برای کاربردهای کم مصرف امیدوارکننده اند. چون تأخیری مشابه با توان نشتی کمتر دارند. این امکان وجود دارد که GNRFETها فرکانس عملیاتی بیشتری حاصل می‌کند مشروط براینکه ولتاژهای آستانه تنظیم شده باشند تا توان نشتی مشابه CMOS حاصل شود. ما نیز نشان دادیم که زبری لبه می‌تواند بطور اساسی مزایای عملکرد و توان نشت GNRFETها را تقلیل دهد.

 


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

 

V. CONCLUSION

We presented a parameterized, SPICE-compatible compact model of a MOSFET-type GNRFET. It captured the effects of N(WCH ), LCH , Tox , fdop, and edge roughness on current and charge. In addition, we presented a GNR-based circuit architecture that integrates gates and interconnects. The model and the architecture allow circuit-level performance evaluations of GNRFETs under process variation. We observed that GNRFETs are promising compared to CMOS for low power applications, since they have similar delay with smaller leakage power. It is possible that GNRFETs would provide higher operating frequency if the threshold voltages were tuned to achieve the same leakage power as CMOS. We also showed that edge roughness can critically reduce the performance and leakage power advantages of GNRFETs.


 

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

مدل SPICE برای ترانزیستور اثر میدانی نانوریبون توان سطح مدار

عنوان انگلیسی مقاله:

A SPICE-Compatible Model of Graphene Nano-Ribbon Field-Effect Transistors Enabling Circuit-Level Delay and Power Analysis Under Process Variation

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

 

خرید ترجمه فارسی مقاله

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *