دانلود مقاله ترجمه شده نقصهای فیزیکی در دستگاه گرافینی بر پایه اتصال pn – مجله IEEE

ieee2

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

بررسی چگونگی نقایص فیزیکی در دستگاه های گرافینی بر پایه اتصال pn با قابلیت پیکربندی مجدد

عنوان انگلیسی مقاله:

Investigating the Behavior of Physical Defects in pn-Junction Based Reconfigurable Graphene Devices

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار ۲۰۱۳ 
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۶ صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله مهندسی برق 
گرایش های مرتبط با این مقاله مهندسی الکترونیک، سیستمهای الکترونیک دیجیتال، مدارهای مجتمع الکترونیک و مکاترونیک 
مجله کارگاه تست آمریکایی – American Test Workshop 
دانشگاه پلی تکنیک دی تورینو، ایتالیا 
شناسه شاپا یا ISBN ISBN ۹۷۸-۱-۴۷۹۹-۰۵۹۵-۹
رفرنس دارد
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در سایت IEEE
نشریه IEEE

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۱۶ صفحه
ترجمه عناوین تصاویر و جداول ترجمه شده است
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه نشده است
ترجمه متون داخل جداول ترجمه نشده است
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس درج شده است

 


  • فهرست مطالب:

 

چکیده
۱-مقدمه
۲٫ مدل های خرابی برای مدارهای دیجیتال
۳٫ دستگاه گرافینی با قابلیت پیکربندی مجدد
الف- اتصال pn گرافینی
ب. ساختار و سودمندی دستگاه RG
ث. مدل الکتریکی معادل
۴٫ درک و مدلسازی نقایص فیزیکی در دستگاه های RG
الف. مشخص سازی نقایص فیزیکی
ب. مدلسازی و شبیه سازی نقص
۱)مدل های الکتریکی تحت نقایص از نوع اتصال کم مقاومت
۲) مدل های الکتریکی تحت نقایص نوع باز (قطع شدگی در مسیر جریان الکتریکی)
ث. به تصویر کشیدن خرابی های فیزیکی برای مدل های خرابی
۵- نتیجه گیری و نکات نهایی

 


  • بخشی از ترجمه:

 

۵- نتیجه گیری و نکات نهایی
این مقاله یک مطالعه در مورد اثرات خرابی های فیزیکی در یک رده جدید از گیت های منطقی با قابلیت پیکربندی مجدد پیشنهاد نمود. جدا از معرفی مدل های الکتریکی معادل دستگاه های معیوب، این مطالعه هم چنین ترسیم نقص تا خرابی را با استفاده از مدل های خرابی مناسب پیشنهاد نمود.
نتایج حاصل شده این امر را به اثبات رساندند که همانند مدل های که در فناوری های CMOS مشاهده می گردد، مدل های خرابی در سطوح مختلف فشردگی برای پوشش کامل نقایص فیزیکی نیاز است. همانند مدل های سطح ترانزیستوری در فناوری های CMOS که به پوشش خرابی های خاصی که اثر آنها در مقدار منطقی قابل ملاحظه نیست، کمک می کنند، suck-at-0V نیز برای دستگاه های RG نیز این کار را می کند. مدل suck-at-0V، یادآوری از مدل فرورفتگی-اتصال کم مقاومت استفاده شده در مدل های CMOS است تا اتصالات کم مقاومت Vdd به Gnd را پوشش دهد که این باعث می شود خروجی های گیت های منطقی به مقادیر متوسطی برسند. متفاوت از CMOS، هرچند مقدار خروجی واقعی با نسبت های مقاومت ظاهری بین شبکه های pull up/down یا خرابی های مرتبط تعیین نمی شود، با این حال در یک ولتاژ دقیق قرار می گیرد . این امر عمدتاً ناشی از ساختار متقارن دستگاه گرافینی است.

 


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

 

V. CONCLUSIONS AND FINAL REMARKS

This paper proposes a study on the effects of physical failures in a new class of graphene based reconfigurable logic gates. Apart from introducing the equivalent electrical models of the faulty devices, it also proposes possible defect-to-fault mapping using proper fault models. The obtained results demonstrate that, as for the CMOS technologies, faults models at different levels of abstraction are needed for the full coverage of the physical defects. As transistor-level models in the CMOS technologies helped to cover specific failures whose effect was not observable at the logic value, so does the suck-at-0V for the RG-devices. The suck-at-0V model is reminiscent of the stuck-short model used in CMOS circuits to cover the Vdd-to-Gnd shorts that cause the outputs of logic gates to reach intermediate values. Differently from CMOS, however, the actual output value is not determined by the impedance ratios between pull-up/down networks or the the associated faults, indeed, it is stuck at a precise voltage. This is manly due to the symmetric structure of the graphene device.

 


 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

بررسی چگونگی نقایص فیزیکی در دستگاه گرافینی بر پایه اتصال pn با قابلیت پیکربندی مجدد

عنوان انگلیسی مقاله:

Investigating the Behavior of Physical Defects in pn-Junction Based Reconfigurable Graphene Devices

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

 

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *