دانلود ترجمه مقاله کاربرد منبع با ناخالصی کم در کاهش جریان نشت در FET تونل بدون اتصال – نشریه اسپرینگر

گروه آموزشی ترجمه فا اقدام به ارائه ترجمه مقاله با موضوع ” کاربرد منبع با ناخالصی کم در کاهش جریان نشت در FET تونل بدون اتصال ” در قالب فایل ورد نموده است که شما عزیزان میتوانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و نیز مطالعه نمونه ترجمه و سایر مشخصات، ترجمه را خریداری نمایید.

• فهرست مطالب:

چکیده
مقدمه
ساختار دستگاه و پارامترهای شبیه سازی
نتایج و مباحث

• بخشی از ترجمه:

۳٫ نتیجه گیری
در ابتدا، مسئله نشتی عظیم از طریق مرکز دستگاه برای JLTFETهای سیلیکونی با ضخامت بدنه عریض تر از ۱۰ نانومتری را گزارش میکنیم. دلیل نشتی عمدتا به جهت تزریق حامل در منطقه منبع است. برای توسعه منطقه تخلیه زیر گیت- p، مفهومی از منبع با ناخالصی کم را معرفی می کنیم. جریان نشتی بطور موفقیت آمیزی تا ۸ مرتبه برای یک JLTFET از ضخامت بدنه ی ۲۰ نانومتری کاهش می یابد. تغییرپذیری در ویژگی های انتقال دستگاه برای موقعیت های مختلف از پیوند n+-n مطالعه می شود. این نتیجه حاصل می شود که پیوند را می توان بطور انعطاف پذیری بدور از هر تغییر قابل توجه در عملکرد دستگاه تنظیم نمود. به منظور اجتناب از هر پیوند ناگهانی، JLTFET با تزریق ناخالصی جانبی غیر یکنواخت تحت شرایط پروفیل گاوسی را ارائه می کنیم. دستگاه نتایج بهبود یافته ی قابل مقایسه با JLTFET پیوند ناگهانی را نشان می دهد. بنابراین، از مسئله نشتی در JLTFET با استفاده از معماری تزریق ناخالصی غیر یکنواخت اجتناب می کنیم. با استفاده از ساختار تزریق ناخالصی غیر یکنواخت، می توانیم ساختارهای JLTFET انبوه در تنظیمات FInFET یا SOI را پیاده سازی کنیم.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

۳ Conclusion

Firstly, we report the problem of excessive leakage through the center of the device for Si JLTFETs with body thickness wider than 10 nm. The reason for the leakage is mainly due to carrier injection in the source region. To extend the depletion region below the p-gate, we introduce a concept of lightly doped source. The leakage current was successfully reduced by eight orders of magnitude for a JLTFET of body thickness of 20 nm. The variability in the transfer characteristics of the device for different positions of the n?-n junction is studied. It is found that the position of the junction can be flexibly adjusted without any significant change in the device performance. In order to avoid any abrupt junction, we propose the JLTFET with lateral non-uniform doping following the Gaussian profile. The device shows improved results comparable to abrupt junction JLTFET. Thus, we can avoid the problem of leakage in JLTFET by using the non-uniformly doped architecture. Using the non-uniformly doped structure, we can try to implement bulk JLTFET structures in SOI or FInFET configurations.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله