دانلود ترجمه مقاله تقویت کننده CMOS کم نویز کم مصرف برای کاربردهای ثبت عصبی (آی تریپل ای ۲۰۰۳)
این مقاله انگلیسی ISI در نشریه آی تریپل ای در سال ۲۰۰۳ منتشر شده که ۸ صفحه می باشد، ترجمه فارسی آن نیز ۲۰ صفحه میباشد. کیفیت ترجمه این مقاله عالی بوده و به صورت کامل ترجمه شده است.
| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی | |
| عنوان فارسی مقاله: |
تقویت کننده CMOS کم نویز کم مصرف برای کاربردهای ثبت عصبی |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
A Low-Power Low-Noise CMOS Amplifier for Neural Recording Applications |
|
|
|
| مشخصات مقاله انگلیسی | |
| نشریه | آی تریپل ای – IEEE |
| سال انتشار | ۲۰۰۳ |
| فرمت مقاله انگلیسی | pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش |
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی | ۸ صفحه |
| نوع مقاله | ISI |
| نوع ارائه مقاله | ژورنال |
| رشته های مرتبط با این مقاله | مهندسی برق |
| گرایش های مرتبط با این مقاله | مهندسی الکترونیک – مدارهای مجتمع الکترونیک – افزاره های میکرو و نانو الکترونیک – بیوالکتریک |
| چاپ شده در مجله (ژورنال) | Journal of Solid-State Circuits |
| کلمات کلیدی | مدارات مجتمع آنالوگ – تقویت کننده سیگنال حیاتی – طراحی مدار کم توان – کم نویز – تقویت کننده عصبی – ضریب کارایی نویز – طراحی مدار زیرآستانه – وارونگی ضعیف |
| کلمات کلیدی انگلیسی | Analog integrated circuits – biosignal amplifier – low noise – low-power circuit design – neural amplifier – noise efficiency factor – subthreshold circuit design – weak inversion |
| نمایه (index) | scopus – master journals – JCR |
| نویسندگان | R.R. Harrison – C. Charles |
| شناسه شاپا یا ISSN | ۰۰۱۸-۹۲۰۰ |
| شناسه دیجیتال – doi | https://doi.org/10.1109/JSSC.2003.811979 |
| لینک سایت مرجع | https://ieeexplore.ieee.org/document/1201998 |
| ایمپکت فاکتور (IF) مجله | ۶٫۰۸۸ در سال ۲۰۲۲ |
| شاخص H_index مجله | ۲۳۰ در سال ۲۰۲۳ |
| شاخص SJR مجله | ۳٫۰۴۳ در سال ۲۰۲۲ |
| شاخص Q یا Quartile (چارک) | Q1 در سال ۲۰۲۲ |
| بیس | نیست ☓ |
| مدل مفهومی | ندارد ☓ |
| پرسشنامه | ندارد ☓ |
| متغیر | ندارد ☓ |
| فرضیه | ندارد ☓ |
| رفرنس | دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله ✓ |
| کد محصول | ۱۲۶۲۰ |
| مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله | |
| فرمت ترجمه مقاله | ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش و pdf |
| وضعیت ترجمه | ترجمه شده و آماده دانلود |
| کیفیت ترجمه | عالی (مناسب استفاده دانشگاهی و پژوهشی) |
| تعداد صفحات ترجمه | ۲۰ صفحه با فونت ۱۴ B Nazanin |
| ترجمه عناوین تصاویر و جداول | ترجمه شده است ✓ |
| ترجمه متون داخل تصاویر | ترجمه نشده است ☓ |
| ترجمه متون داخل جداول | ترجمه نشده است ☓ |
| ترجمه ضمیمه | ندارد ☓ |
| درج تصاویر در فایل ترجمه | درج شده است ✓ |
| درج جداول در فایل ترجمه | درج شده است ✓ |
| درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه | تایپ شده است ✓ |
| منابع داخل متن | به صورت عدد درج شده است ✓ |
| منابع انتهای متن | به صورت انگلیسی درج شده است ✓ |
| فهرست مطالب |
|
چکیده |
| بخشی از ترجمه |
|
چکیده طراحی تقویت کننده عصبی
شکل ۱ شماتیک طرح تقویت کننده زیستی ما را نشان می دهد. این مدار نخستین بار در [۱۸] شرح داده شده است. بهره باند میانی AM توسط C1/C2 تنظیم شده است و برای حالتی که C1,CL≫C2 پهنای باند تقریبا برابر با g_m/(A_M C_L) است که در آن g_m هدایت انتقالی تقویت کننده هدایت انتقالی عملیاتی (OTA) است.
عناصر شبه مقاومت ماسفت-دوقطبی
ترانزیستورهای Ma-Md قطعات ماسفت-دوقطبی ای هستند که به عنوان شبه مقاومت عمل می کنند. با VGS منفی، هر قطعه به عنوان ترانزیستور PMOS با اتصال دیودی عمل می کند. با VGS مثبت، ترانزیستور پیوند دو قطبی p-n-p سورس-چاه-درین پارازیتی فعال می شود و قطعه به عنوان یک BJT با اتصال دیودی عمل می کند [۱۹] شکل ۲ را ببینید. هر ترانزیستور دارای اندازه μm4μm×۴ است. برای ولتاژهای کوچک در دو سر این قطعه مقاومت افزایشی آن rinc بسیار بالا است (شکل ۳ را ببینید). برای |∆V|<0.2 V ما dV/dI>〖۱۰〗^۱۱ Ω را بدست آوردیم. اندازه گیری دقیق dV/dI در این ناحیه، به دلیل جریان کم که نزدیک به حد توانایی های اندازه گیری ما بود، مشکل بود.
ما از دو قطعه ماسفت-دوقطبی بصورت سری با هم، به منظور کاهش اعوجاج برای سیگنال های خروجی بزرگ استفاده کردیم. فرکانس قطع پایین Lω تقویت کننده با کوپلاژ AC بصورت ۱/(۲r_inc C_2 ) بدست می-آید. علی رغم ثابت زمانی بزرگ، یک تغییر بزرگ در ورودی سبب ایجاد یک ولتاژ بزرگ در طول عناصر ماسفت-دوقطبی می شود و مقاومت افزایشی آن ها را کاهش می دهد و یک زمان نشست سریع ایجاد می کند. طرح های تقویت کننده زیستی اخیر از ترانزیستورهای بایاس شده در ناحیه زیرآستانه برای تقریب زدن مقاومت های با مقدار بزرگ استفاده کرده است [۱۳]، [۱۴]. این تکنیک نتایج مشابهی را بدست می دهد اما احتیاج به مدار بایاس اضافی دارد. طرح دیگر از ترانزیستورهای nMOS با اتصال دیودی به عنوان شبه مقاومت ها برای دستیابی به یک مقاومت معادل بزرگ تر از 〖۱۰〗^۱۱ Ω استفاده می کند، گرچه بیان نشده است که آیا از اتصال بدنه-سورس برای ایجاد یک ترانزیستور دو قطبی با اتصال دیودی استفاده شده است یا خیر [۱۵].
|
