دانلود ترجمه مقاله تحلیل سنسور نوری بر اساس ترانزیستور ماسفت (ساینس دایرکت – الزویر ۲۰۱۶) (ترجمه ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️)

elsevier

 

 

این مقاله انگلیسی ISI در نشریه ساینس دایرکت (الزویر) در ۷ صفحه در سال ۲۰۱۶ منتشر شده و ترجمه آن ۱۴ صفحه میباشد. کیفیت ترجمه این مقاله ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️ بوده و به صورت کامل ترجمه شده است.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

طراحی و تحلیل سنسور نوری با حساسیت بالا مبتنی بر ترانزیستور ماسفت با گیت احاطه کننده استوانه ای برای کاربردهای با توان مصرفی کم

عنوان انگلیسی مقاله:

Design and analysis of high sensitivity photosensor using Cylindrical Surrounding Gate MOSFET for low power applications

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار ۲۰۱۶
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۷ صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله مهندسی کنترل، ابزار دقیق، برق مخابرات و مخابرات نوری
مجله علوم مهندسی و فناوری، نشریه بین المللی – Engineering Science and Technology
دانشگاه گروه ECE، پنجاب، هند
کلمات کلیدی ATLAS 3D، جریان تاریکی، ماسفت با گیت احاطه کننده استوانه ای (CSG MOSFET)، سنسور نوری، بازده کوانتمی، پاسخ ده
شناسه شاپا یا ISSN ISSN ۲۲۱۵-۰۹۸۶
رفرنس دارد
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در نشریه Elsevier
نشریه الزویر

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word)
کیفیت ترجمه ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۱۴ صفحه
ترجمه عناوین تصاویر و جداول ترجمه شده است
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه نشده است
ترجمه متون داخل جداول ترجمه نشده است
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس درج شده است

 


  • فهرست مطالب:

 

چکیده
۱- معرفی
۲- ساختار قطعه و ساختار شبیه سازی
۳- نتایج شبیه سازی و تحلیل
۴- نتیجه گیری


  • بخشی از ترجمه:

 

۴- نتیجه گیری
ماسفت CSG با اکسیدر وی به عنوان ماده گیت و دی اکسید سیلیسیوم به عنوان عایق گیت در ناحیه ی مطلوب طیف دارای حساسیت بالایی است. حساسیت ماسفت CSG در مقایسه با ماسفت دوگیتی ۴٫۵ برابر است و بیشینه حساسیت در ?=۴۵۰nm برای R=0.25µm مشاهده می شود و می تواند به طور موثری به عنوان سنسور نوری با حساسیت بالا در این ناحیه از طیف مورد استفاده قرار گیرد. قطعه ارایه شده جریان تحت تابش بالا در ناحیه¬ی زیر آستانه ، ولتاژ آستانه پایین و نسبت Ion/Ioff بالا نشان می دهد و بنابراین می تواند به عنوان یک قطعه با توان مصرفی کم برای عملکرد بهینه در ناحیه¬ی زیر آستانه بایاس شود اکسید روی به عنوان ماده گیت می تواند به عنوان فیلتر نوری عمل کند که فقط به طول موج های نور مرئی اجازه عبور می دهد و مانع از رسیدن بقیه طول موج ها به کانال زیری سیلیسیومی می شود و بنابراین حداکثر جذب نوری در محدوده¬ی نور مرئی اتفاق می افتد و می تواند به طور موثری به عنوان آشکار ساز نور مرئی کار کند.


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

۴٫ Conclusion

CSG MOSFET with ZnO as a gate material and SiO2 as a gate dielectric is highly sensitive in the desired region of spectrum. The sensitivity of CSG MOSFET is 4.5 times as compared to DG MOSFET and peak sensitivity is observed at k = 450 nm for channel radius R = 0.25 lm and hence can be effectively used as a highly sensitive photosensor in this region of spectrum. The proposed device also shows higher illumination current in the subthreshold region under incident radiation, lower threshold voltage and higher Ion/Ioff ratio so for low power operation the device can be biased in subthreshold region for optimum performance. ZnO as a gate material act as an optical filter which allows only visible region wavelengths to pass through it and blocks other wavelengths from reaching the Si channel underneath and hence maximum photoabsorption takes place for visible wavelength which make this device to work efficiently for Photodetection in the visible region.


 

 

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

 

 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

طراحی و تحلیل سنسور نوری با حساسیت بالا مبتنی بر ترانزیستور ماسفت با گیت احاطه کننده استوانه ای برای کاربردهای با توان مصرفی کم

عنوان انگلیسی مقاله:

Design and analysis of high sensitivity photosensor using Cylindrical Surrounding Gate MOSFET for low power applications

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی          خرید ترجمه فارسی مقاله

 

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *