دانلود ترجمه مقاله تغییر دهنده سطح ولتاژ زیر آستانه سطح کارآمد با یک ویلسون اصلاح شده (۲۰۱۹ Taylor & Francis) (ترجمه ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️)

یک تغییر دهنده سطح ولتاژ زیر آستانه سطح کارآمد با استفاده از یک ویلسون اصلاح شده برای کاربرد هایی با توان پایین

An Area Efficient Sub-threshold Voltage Level Shifter using a Modified Wilson Current Mirror for Low Power Applications

چکیده

مقدمه

مطالعات قبلی

طرح LS پیشنهادی

تجزیه و تحلیل منطقی

ویژگی ها

نتایج شبیه سازی

تجزیه و تحلیل تاخیر

تجزیه و تحلیل انرژی در هر گذار

تجزیه و تحلیل قدرت

تجزیه و تحلیل قیاسی

نتیجه گیری

چکیده

در ارتباطات فعلی، یک تکنیک جدید برای پیاده سازی مدار تعویض کننده سطح ولتاژ آستانه کارآمد ناحیه کم توان (LS) معرفی شده است. مدار LS پیشنهادی تنها شامل نه ترانزیستور است و می تواند تا ۱۰۰ مگاهرتز فرکانس ورودی با موفقیت عمل کند. LS پیشنهادی از ترانزیستور های ولتاژ تک آستانه ساخته شده است که نشان دهنده کم ترین پیچیدگی در ساخت و عملکرد بهتر از نظر تجزیه و تحلیل تاخیر و مصرف برق در مقایسه با سایر طرح های موجود می باشد. شبیه سازی مبتنی بر ابزار CAD در فناوری TSMC 180 نانومتر و مقایسه بین طرح پیشنهادی و سایر طرح های موجود نشان می دهد که طرح پیشنهادی برای طیف مشابهی از تبدیل ولتاژ با بیش ترین بهره وری ناحیه، بهتر از سایر طرح های جدید عمل می کند.

نتیجه گیری

در این مطالعه، محققان یک LS مبتنی بر نه ترانزیستور کم انرژی ارائه کرده اند که می تواند از ولتاژ زیر آستانه عمیق به ولتاژ تغذیه VDDH 1.8 ولت در فرکانس ۱۰ مگاهرتز تبدیل شود. طرح پیشنهادی نشان دهنده تاخیر انتشار ۱۹٫۹ ns در محدوده گسترده ای از ولتاژ های عامل است. محدوده ولتاژبالا برای فناوری CMOS 180 نانومتر، ۱٫۸ ولت است. LS از ترانزیستور های آستانه متعدد اجتناب می کند، بنابراین، پیچیدگی های ساخت کاهش می یابند. LS پیشنهادی مبتنی بر آینه جریان ویلسون اصلاح شده، نشان دهنده پاسخ منطقی و کارکردی عالی در محدوده گسترده ای از فرکانس ها می باشد. مساحت طرح ۹۲٫۳ μm2 در فناوری TSMC 180 نانومتر است. بنابراین، می توان نتیجه گرفت که LS پیشنهادی محققان نشان دهنده PDP بهتر و کارآمدی سطح در مقایسه با سایر طرح های موجود می باشد.

Abstract

In the present communication, a new technique has been introduced for implementing low-power area efficient sub-threshold voltage level shifter (LS) circuit. The proposed LS circuit consists of only nine transistors and can operate up to 100 MHz of input frequency successfully. The proposed LS is made of single threshold voltage transistors which show least complexity in fabrication and better performance in terms of delay analysis and power consumption compared to other available designs. CAD tool-based simulation at TSMC 180 nm technology and comparison between the proposed design and other available designs show that the proposed design performs better than other state-of-the-art designs for a similar range of voltage conversion with the most area efficiency.

۶- CONCLUSION

In this paper, the authors have presented a low-power nine transistor-based LS which can up-convert from the deep sub-threshold voltage to the VDDH supply voltage of 1.8 V at a frequency of 10 MHz. The proposed design shows the propagation delay of 19.9 ns over a wide range of operating voltages. The high voltage range is 1.8 Volt for CMOS 180 nm technology. The LS avoids multiple threshold transistors, thereby reducing the fabrication complexities. The modified Wilson current mirrorbased proposed LS shows excellent logical and functional response over a wide range of frequencies. The layout area is 92.3 μm2 at TSMC 180 nm technology. Therefore it can be concluded that authors’ proposed LS shows better PDP and area efficiency compared to available other designs.

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

یک تغییر دهنده سطح ولتاژ زیر آستانه سطح کارآمد با استفاده از یک ویلسون اصلاح شده برای کاربرد هایی با توان پایین

An Area Efficient Sub-threshold Voltage Level Shifter using a Modified Wilson Current Mirror for Low Power Applications