دانلود ترجمه مقاله تغییر دهنده سطح ولتاژ زیر آستانه سطح کارآمد با یک ویلسون اصلاح شده (۲۰۱۹ Taylor & Francis) (ترجمه ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️)

taylorfrancis2

 

 

این مقاله انگلیسی ISI در نشریه Taylor & Francis در ۸ صفحه در سال ۲۰۱۹ منتشر شده و ترجمه آن ۱۲ صفحه میباشد. کیفیت ترجمه این مقاله ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️ بوده و به صورت کامل ترجمه شده است.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
عنوان فارسی مقاله:

یک تغییر دهنده سطح ولتاژ زیر آستانه سطح کارآمد با استفاده از یک ویلسون اصلاح شده برای کاربرد هایی با توان پایین

عنوان انگلیسی مقاله:

An Area Efficient Sub-threshold Voltage Level Shifter using a Modified Wilson Current Mirror for Low Power Applications

 

 

مشخصات مقاله انگلیسی 
فرمت مقاله انگلیسی pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش 
سال انتشار مقاله ۲۰۱۹
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۸ صفحه با فرمت pdf
نوع مقاله ISI
نوع ارائه مقاله ژورنال
رشته های مرتبط با این مقاله مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک، سیستم های قدرت، مهندسی کنترل
چاپ شده در مجله (ژورنال) مجله تحقیقات IETE
کلمات کلیدی شبیه سازی CAD، ترانزیستور معمول (TT)، آینه جریان، تعویض کننده سطح (LS)، انرژی پایین، عملیات زیرآستانه
کلمات کلیدی انگلیسی Current mirror – CAD simulation – Level shifter (LS) – Low power – Sub-threshold operation – Typical transistor (TT)
ارائه شده از دانشگاه موسسه فناوری، مدیریت و علوم Neotia، جینگا، هند
نویسندگان Biswarup Mukherjee & Aniruddha Ghosal
شناسه دیجیتال – doi https://doi.org/10.1080/03772063.2019.1615389
بیس نیست 
مدل مفهومی ندارد 
پرسشنامه ندارد 
متغیر ندارد 
رفرنس دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله
کد محصول ۱۰۲۳۰
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در سایت Taylor & Francis
نشریه تیلور و فرانسیس  

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله 
فرمت ترجمه مقاله pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش
وضعیت ترجمه انجام شده و آماده دانلود
کیفیت ترجمه ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش  ۱۲ صفحه (۱ صفحه رفرنس انگلیسی) با فونت ۱۴ B Nazanin
ترجمه عناوین تصاویر و جداول ترجمه نشده است 
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه نشده است 
ترجمه متون داخل جداول ترجمه نشده است 
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است  
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است  
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه  به صورت عکس درج شده است  
منابع داخل متن درج نشده است 
منابع انتهای متن به صورت انگلیسی درج شده است

 

فهرست مطالب

چکیده

مقدمه

مطالعات قبلی

طرح LS پیشنهادی

تجزیه و تحلیل منطقی

ویژگی ها

نتایج شبیه سازی

تجزیه و تحلیل تاخیر

تجزیه و تحلیل انرژی در هر گذار

تجزیه و تحلیل قدرت

تجزیه و تحلیل قیاسی

نتیجه گیری

 

بخشی از ترجمه

چکیده

در ارتباطات فعلی، یک تکنیک جدید برای پیاده سازی مدار تعویض کننده سطح ولتاژ آستانه کارآمد ناحیه کم توان (LS) معرفی شده است. مدار LS پیشنهادی تنها شامل نه ترانزیستور است و می تواند تا ۱۰۰ مگاهرتز فرکانس ورودی با موفقیت عمل کند. LS پیشنهادی از ترانزیستور های ولتاژ تک آستانه ساخته شده است که نشان دهنده کم ترین پیچیدگی در ساخت و عملکرد بهتر از نظر تجزیه و تحلیل تاخیر و مصرف برق در مقایسه با سایر طرح های موجود می باشد. شبیه سازی مبتنی بر ابزار CAD در فناوری TSMC 180 نانومتر و مقایسه بین طرح پیشنهادی و سایر طرح های موجود نشان می دهد که طرح پیشنهادی برای طیف مشابهی از تبدیل ولتاژ با بیش ترین بهره وری ناحیه، بهتر از سایر طرح های جدید عمل می کند.

 

نتیجه گیری

در این مطالعه، محققان یک LS مبتنی بر نه ترانزیستور کم انرژی ارائه کرده اند که می تواند از ولتاژ زیر آستانه عمیق به ولتاژ تغذیه VDDH 1.8 ولت در فرکانس ۱۰ مگاهرتز تبدیل شود. طرح پیشنهادی نشان دهنده تاخیر انتشار ۱۹٫۹ ns در محدوده گسترده ای از ولتاژ های عامل است. محدوده ولتاژبالا برای فناوری CMOS 180 نانومتر، ۱٫۸ ولت است. LS از ترانزیستور های آستانه متعدد اجتناب می کند، بنابراین، پیچیدگی های ساخت کاهش می یابند. LS پیشنهادی مبتنی بر آینه جریان ویلسون اصلاح شده، نشان دهنده پاسخ منطقی و کارکردی عالی در محدوده گسترده ای از فرکانس ها می باشد. مساحت طرح ۹۲٫۳ μm2 در فناوری TSMC 180 نانومتر است. بنابراین، می توان نتیجه گرفت که LS پیشنهادی محققان نشان دهنده PDP بهتر و کارآمدی سطح در مقایسه با سایر طرح های موجود می باشد.

 

بخشی از مقاله انگلیسی

Abstract

In the present communication, a new technique has been introduced for implementing low-power area efficient sub-threshold voltage level shifter (LS) circuit. The proposed LS circuit consists of only nine transistors and can operate up to 100 MHz of input frequency successfully. The proposed LS is made of single threshold voltage transistors which show least complexity in fabrication and better performance in terms of delay analysis and power consumption compared to other available designs. CAD tool-based simulation at TSMC 180 nm technology and comparison between the proposed design and other available designs show that the proposed design performs better than other state-of-the-art designs for a similar range of voltage conversion with the most area efficiency.

 

۶- CONCLUSION

In this paper, the authors have presented a low-power nine transistor-based LS which can up-convert from the deep sub-threshold voltage to the VDDH supply voltage of 1.8 V at a frequency of 10 MHz. The proposed design shows the propagation delay of 19.9 ns over a wide range of operating voltages. The high voltage range is 1.8 Volt for CMOS 180 nm technology. The LS avoids multiple threshold transistors, thereby reducing the fabrication complexities. The modified Wilson current mirrorbased proposed LS shows excellent logical and functional response over a wide range of frequencies. The layout area is 92.3 μm2 at TSMC 180 nm technology. Therefore it can be concluded that authors’ proposed LS shows better PDP and area efficiency compared to available other designs.

 

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
عنوان فارسی مقاله:

یک تغییر دهنده سطح ولتاژ زیر آستانه سطح کارآمد با استفاده از یک ویلسون اصلاح شده برای کاربرد هایی با توان پایین

عنوان انگلیسی مقاله:

An Area Efficient Sub-threshold Voltage Level Shifter using a Modified Wilson Current Mirror for Low Power Applications

 

 

 

 

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *