این مقاله انگلیسی ISI در نشریه اسپرینگر در 9 صفحه در سال 2016 منتشر شده و ترجمه آن 18 صفحه میباشد. کیفیت ترجمه این مقاله ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️ بوده و به صورت کامل ترجمه شده است.
| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
دستگاه CMOS‑MEMS IR مبتنی بر ترموکوپل های دو لایه ای |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
A CMOS‑MEMS IR device based on double‑layer thermocouples |
|
|
| مشخصات مقاله انگلیسی (PDF) | |
| سال انتشار مقاله | 2016 |
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی | 9 صفحه با فرمت pdf |
| رشته های مرتبط با این مقاله | مهندسی برق و مکانیک |
| گرایش های مرتبط با این مقاله | مهندسی مکانیک گرایش مکاترونیک، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک، تولید، انتقال و توزیع، برق قدرت و مهندسی الکترونیک |
| مجله مربوطه | فناوری میکروسیستم |
| دانشگاه تهیه کننده | مرکز سنجش هوش، موسسه ریز الکترونیک، دانشگاه علوم، پکن، چین |
| رفرنس | دارد |
| نشریه اسپرینگر |  |
| مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word) | |
| کیفیت ترجمه | ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️ |
| تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت 14 B Nazanin | 18 صفحه |
| ترجمه عناوین تصاویر و جداول | ترجمه شده است |
| ترجمه متون داخل تصاویر | ترجمه نشده است |
| ترجمه متون داخل جداول | ترجمه شده است |
| درج تصاویر در فایل ترجمه | درج شده است |
| درج جداول در فایل ترجمه | درج شده است |
| درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس | درج شده است |
- فهرست مطالب:
چکیده
1. مقدمه
2. طرح ساختاری
2.1. نظریه ی ترموپیلی
2.2. طراحی ترموپیل
3. تولید و ساخت
4. سنجش ها و بحث و گفتگو
4.1 حس کنندگی تشعشعات IR
4.2 سنجش دمایی
4.3 سنجش فشار خلاء
5. نتیجه گیری
تقدیر و تشکرات
- بخشی از ترجمه:
5. نتیجه گیری:
در این مقاله، یک افزار IR ِ مبتنی بر DLTS با بهره گیری از پروسه ی CMOS طرح ریزی و ساخته شد. آنالیزها و تحلیل های تئوریکی نشان داد که افزار DLTS نسبت به نوع SLTS ـ از جنبه قابلیت های پاسخ دهندگی، آشکارکنندگی و نیز ابعادی ــ از مزیت هایی برخوردار است. چنانکه با بهره گیری از ساختارهای TCEI در پیوندگاه های سرد و گرم، سطح کارکردی ِ افزارهای DLTS بهتر خواهد شد. در هر حال، در اینجا نتایج حاصله از سنجش های اولیه مبین این نکته بود که افزار IR ِ مبتنی بر DLTS مربوطه از قابلیت پاسخ دهندگی ِ 1151.15 V/W، آشکارکنندگی 4.15 × 108 cm Hz1/2/W و ثابت زمانی ِ 14.46 ms برخوردار بوده است. در هر صورت، چنین دستگاهی را می توان به عنوان سنجشگر دما و فشار خلاء (با قابلیت حساسیت سنجی بالا) نیز در نظر گرفت.
- بخشی از مقاله انگلیسی:
5 Conclusion In this work, a DLTS-based IR device is designed and fabricated using a CMOS-compatible process. Theoretical analysis suggests that the DLTS device has advantages over a SLTS device in aspects of responsivity, detectivity as well as in size-control. With the usage of TCEI structures at the cold junctions and the hot junctions, the performances of the DLTS devices are further improved. Preliminary measurement results demonstrate that the DLTS-based IR device achieves a responsivity of 1151.15 V/W, a detectivity of 4.15 × 108 cm Hz1/2/W, and a time constant of 14.46 ms. Moreover, such a DLTS-based IR device can also function as a temperature sensor and a vacuum sensor with high sensitivities
| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
دستگاه CMOS‑MEMS IR مبتنی بر ترموکوپل های دو لایه ای |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
A CMOS‑MEMS IR device based on double‑layer thermocouples |
|
|