دانلود مقاله ترجمه شده تقویت کننده توان دوهرتی گالیم نیترید با مدارهای جبران کننده (IEEE 2017) (ترجمه ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️)

ieee2

 

 

این مقاله انگلیسی ISI در نشریه IEEE در ۳ صفحه در سال ۲۰۱۷ منتشر شده و ترجمه آن ۷ صفحه میباشد. کیفیت ترجمه این مقاله ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️ بوده و به صورت کامل ترجمه شده است.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

تقویت کننده قدرت دوهرتی گالیم نیترید پهنای گسترده ۳-۳٫۶ گیگاهرتز با بازده بالای ۴۶% با مدارهای جبران ساز وابستگی به فرکانس

عنوان انگلیسی مقاله:

۳٫۰-۳٫۶ GHz Wideband, over 46% Average Efficiency GaN Doherty Power Amplifier with Frequency Dependency Compensating Circuits

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار ۲۰۱۷
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۳ صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله برق مخابرات و شبکه های مخابراتی
مجله

کنفرانس محلی در مورد تقویت کننده های RF / Microwave قدرت برای رادیو و برنامه های بی سیم

RF/Microwave Power Amplifiers for Radio and Wireless Applications

دانشگاه مرکز تحقیق و توسعه فناوری اطلاعات، شرکت برق میتسوبیشی، کاماکورا، ژاپن
کلمات کلیدی پهنای گسترده، تقویت کننده دوهرتی، HEMT گالیم نیترید، ایستگاه پایه، تقویت کننده توان
رفرنس دارد
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در سایت IEEE
نشریه آی تریپل ای

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word)
کیفیت ترجمه ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۷ صفحه
ترجمه عناوین تصاویر و جداول ترجمه شده است
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه نشده است
ترجمه متون داخل جداول ترجمه نشده است
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس درج شده است

 


  • فهرست مطالب:

 

چکیده
۱- معرفی
۲- ترکیب بندی مدار DPA پهنای گسترده
A. جذب خازن Cds ترانزیستور و راکتانس بسته به عنوان یک قسمت از اینورتر λ⁄۴
B. مدار جبران ساز وابستگی فرکانس
۳- نتایج اندازه گیری شده
۴- نتیجه گیری

 


  • بخشی از ترجمه:

 

۵- نتیجه گیری
برای دستیابی به DPA پهنای گسترده بالای ۳ گیگاهرتز مدار جبرانساز وابستگی فرکانسی و اینورتر λ⁄۴ شامل المان های پارازیتی داخل بسته ارایه شده است. امکان اجرای این دیدگاه با نتایج اندازه گیری اثبات شده است و بازدهی درین ۴۵٫۹-۵۰٫۲% با ACLR برابر -۵۰dBc روی فرکانس های ۳-۳٫۶ گیگاهرتز تحت شرایط سیگنال LTE با فرکانس ۲۰ مگاهرتز بعد از DPD را دارد. استفاده از DPA گالیم نیترید پهنای گسترده موثر می تواند پیچیدگی و مصرف انرژی رادیو را کاهش داده که باعث افزایش کمک به TCO ایستگاه پایه می شود.

 


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

 

IV. CONCLUSION

To realize the wideband DPA above 3GHz, the frequency dependency compensating circuit and the λ/۴ inverter incorporating parasitic elements inside package were proposed. The feasibility of the approach was verified by measurement results, and it achieved 45.9- 50.2 % drain efficiency with -50 dBc ACLR over the 3.0- 3.6 GHz under 20 MHz LTE signal after DPD. The use of the wideband efficient GaN DPA can reduce the complexity and energy consumption of radio, which further helps reducing TCO of base stations.

 


 

 

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

 

 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

تقویت کننده قدرت دوهرتی گالیم نیترید پهنای گسترده ۳-۳٫۶ گیگاهرتز با بازده بالای ۴۶% با مدارهای جبران ساز وابستگی به فرکانس

عنوان انگلیسی مقاله:

۳٫۰-۳٫۶ GHz Wideband, over 46% Average Efficiency GaN Doherty Power Amplifier with Frequency Dependency Compensating Circuits

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی          خرید ترجمه فارسی مقاله

 

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *