دانلود رایگان ترجمه مقاله ترانزیستور بدون پیوند گیت-دوبل دی الکتریک-گیت-گوناگون (نشریه IOP 2014) (ترجمه ارزان – نقره ای ⭐️⭐️)

iop1

 

 

این مقاله انگلیسی ISI در نشریه IOP در ۷ صفحه در سال ۲۰۱۴ منتشر شده و ترجمه آن ۱۸ صفحه میباشد. کیفیت ترجمه این مقاله ارزان – نقره ای ⭐️⭐️ بوده و به صورت کامل ترجمه شده است.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
عنوان فارسی مقاله:

ترانزیستور بدون پیوند گیت-دوبل دی الکتریک-گیت-گوناگون (HGJLT) با اثرات تونل باند-به-باند کاهش یافته در رژیم زیرآستانه

عنوان انگلیسی مقاله:

Hetero-gate-dielectric double gate junctionless transistor (HGJLT) with reduced band-to-band tunnelling effects in subthreshold regime

 
 
 
 
 

 

مشخصات مقاله انگلیسی
فرمت مقاله انگلیسی pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش 
سال انتشار ۲۰۱۴
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۷ صفحه با فرمت pdf
نوع مقاله ISI
نوع ارائه مقاله ژورنال
رشته های مرتبط با این مقاله مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله سیستم های قدرت، برق قدرت، مهندسی الکترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک
چاپ شده در مجله (ژورنال) مجله نیم رساناها – Journal of Semiconductors
کلمات کلیدی ترانزیستور بدون پیوند گیت-دوبل دی الکتریک-گیت-گوناگون، تونل زنی باند به باند. حالت خاموش
کلمات کلیدی انگلیسی hetero-gate-dielectric double gate junctionless transistor – band-to-band tunnelling – off-state
ارائه شده از دانشگاه  
شناسه دیجیتال – doi https://doi.org/10.1088/1674-4926/35/6/064001
بیس  نیست 
مدل مفهومی  ندارد 
پرسشنامه  ندارد 
متغیر  ندارد 
رفرنس دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله
کد محصول F1685
نشریه IOP

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله
فرمت ترجمه مقاله pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش
وضعیت ترجمه انجام شده و آماده دانلود
کیفیت ترجمه ترجمه ارزان – نقره ای ⭐️⭐️
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش  ۱۸ صفحه (۱ صفحه رفرنس انگلیسی) با فونت ۱۴ B Nazanin
ترجمه عناوین تصاویر و جداول ترجمه شده است  
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه نشده است 
ترجمه متون داخل جداول ترجمه نشده است 
ترجمه ضمیمه ندارد 
ترجمه پاورقی ندارد 
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است 
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است  
منابع داخل متن به صورت عدد درج شده است  
منابع انتهای متن ندارد / به صورت انگلیسی درج شده است  
کیفیت ترجمه کیفیت ترجمه این مقاله متوسط میباشد.

 

فهرست مطالب
چکیده
۱- مقدمه
۲- ساختار و شبیه سازی دستگاه
۳- نتیجه و بحث
۴- نتیجه گیری ها
 

 

بخشی از ترجمه
 چکیده
ما ترانزیستور بدون پیوند گیت-دوبل دی الکتریک-گیت-گوناگون (HGJLT) را با اتخاذ یک عایق گیت با k-بالا در سمت سورس و عایق گیت با K-پایین در سمت درین پیشنهاد نموده ایم که باعث کاهش اثرات تونل زنی باند به باند (BTBT) در منطقه زیر آستانه می شود. یک ترانزیستور بدون پیوند (JLT) توسط تهی شدن حامل ها در کانال نازک بسیار دوپ شده (لایه دستگاه) خاموش می شود که منجر به همپوشانی چشمگیر باند بین باند ظرفیت منطقه کانال و باند هدایت منطقه درین می شود که ناشی از بایاس حالت خاموش درین است و باعث تحریک الکترون ها برای تونل زنی از باند ظرفیت منطقه کانال به باند هدایت منطقه درین می شود که حفره ها را در کانال پشت سر می گذارندس. این اثرات تونل زنی باند به باند موجب افزایش جریان نشتی زیر آستانه می شود و تجمع حفره ها در کانال موجب شکل گیزی یک ترانزیستور اتصال دو قطبی پارازیتی (N-P-N BJT برای کانال JLT) در جهت جانبی توسط نواحی سورس (امیتر)، کانال (بیس) و درین (کلکتور) در ساختار JLT در حالت خاموش می شود. HGJLT پیشنهادی, جریان نشتی زیرآستانه را کاهش می دهد و عمل BJT پارازیتی در حالت خاموش را با کاهش احتمال تونل زنی باند به باند سرکوب می کند.
 
۱- مقدمه
به تازگی، ترانزیستورهای بدون پیوند (JLT), [1]، بر اساس دستگاه Lilienfeld [2]، برای غلبه بر محدودیت مقیاس بندی ماسفت ها با توجه به مرحله های ساخت ساده JLTها در مقایسه با همین موارد در ماسفت های معمولی مطالعه شده اند. بر خلاف ماسفت ها, ترانزیستورهای بدون پیوند, هیچ اتصال p-n متالورژی ندارند. آنها دارای ساختارهای N+N+N+ یا P+P+P+ با بدنه نازک هستند و کانال بسیار دوپ شده و سورس، کانال و درین دارای دوپینگ یکنواخت هستند. یک JLT توسط تهی سازی حامل ها در کانال توسط تفاوت تابع کاری مناسب ماده گیت و کانال خاموش می شود و توسط رسانایی حجمی جریان از طریق نازک کانال بسیار دوپ شده روشن می شود. انواع مختلف ساختارها برای ترانزیستور بدون پیوند نیز پیشنهاد شده و ساخته شده اند، مانند معماری های (GAA) بدون پیوند نانوسیم گیت- همه طرفه. [۳] معماری های نانوسیم چند-گیت با سیلیکون روی عایق (SOI) [4] و با بستر حجمی [۵], ترانزیستور بدون پیوند مسطح روی بستر حجمی [۶], ترانزیستور بدون پیوند مسطح با دوپینگ غیر یکنواخت. [۷] و غیره.
بسیاری از کارهای تحقیقاتی, فیزیک ترانزیستور بدون پیوند [۴,۵,۸,۹] را بررسی نموده اند و اثر تونل زنی باند به باند (BTBT) بر روی مشخصات در مراجع [۱۰-۱۵] مطالعه شده است. اثر تونل زنی باند به باند، در حالت خاموش JLT، با جزئیات در مرجع [۱۰] مطالعه شده است. در حالت خاموش، جریان خاموش مناسب توسط تهی سازی حامل ها در کانال روی استفاده از تفاوت تابع کار در بین فلز گیت و کانال و کاربرد بایاس درین حفظ می شود، باند هدایت درین با باند ظرفیت کانال همپوشانی می کند که باعث تحریک الکترون به تونل از باند ظرفیت کانال به باند هدایت درین (JLT کانال-n) می شود. هنگامی که یک الکترون از باند ظرفیت کانال به باند هدایت درین تونل زنی می کند، در کانال ایجاد حفره می شود و به دلیل تجمع حفره در کانال، ترانزیستور اتصال دو قطبی پارازیتی (N-P-N BJT برای کانال JLT) 10. در جهت جانبی توسط مناطق سورس (امیتر) ، کانال (بیس) و درین (کلکتور) در ساختار JLT در حالت خاموش تشکیل می شود. تجمع حفره ها موجب افزایش پتانسیل یک کانال بدنه- شناور (بیس BJT پارازیتی) می شود و BJT پارازیتی را توسط بایاس مستقیم بیس-امیتر روشن می کند و منجر به جریان بزرگ درین (جریان کلکتور BJT) در حالت خاموش JLT می شود. در این زمینه، اتلاف بزرگ توان استاتیک با توجه به جریان نشتی بزرگ در حالت خاموش، که با کاهش طول گیت از یک گره فن آوری به بعدی افزایش می یابد، به یک مشکل بزرگ برای توان آماده به کار کم (LSTP) برنامه های کاربردی تبدیل می شود. در اینجا، تونل زنی باند به باند (BTBT) در حالت خاموش به طور قابل توجهی جریان نشتی زیر آستانه را تحت تاثیر قرار می دهد و باید به دقت برای کاهش اتلاف توان استاتیک حل و فصل شود.
به تازگی، ترانزیستورهای اثر میدانی تونل دی الکتریک-گیت-گوناگون (HGTFETs) به لحاظ نظری. ۱۶ پیشنهاد شده اند. ۱۷٫ و همچنین از تجربی. ۱۸ به منظور بهبود ویژگی های الکتریکی مورد بررسی قرار گرفته اند. نشان داده شده است که ترانزیستورهای اثر میدانی تونل دی الکتریک-گیت-گوناگون (HGTFETs) دارای جریان نشتی آمبیپولار پایین تر و شیب زیرآستانه کوچکتر بدون به خطر انداختن چگالی تراشه هستند. فیزیک جریان نشتی آمبی پولار در TFETs, همان اثر تونل زنی باند به باند در JLTs است. از این رو، با ترکیب مزایای استفاده از ساختار دی الکتریک-گیت-گوناگون و ترانزیستور بدون پیوند، ما یک ترانزیستور دی الکتریک-گیت-گوناگون گیت-دوبل بدون پیوند (HGJLT) را برای بهینه سازی ویژگی های الکتریکی با کاهش جریان تونل زنی باند به باند (BTBT) در رژیم های زیر آستانه پیشنهاد می دهیم. نشان داده شده است که HGJLT دارای جریان نشتی کمتر زیر آستانه است و عمل BJT پارازیتی را سرکوب می کند. ۱۰٫٫

 

بخشی از مقاله انگلیسی

Abstract

We propose a hetero-gate-dielectric double gate junctionless transistor (HGJLT), taking high-k gate insulator at source side and low-k gate insulator at drain side, which reduces the effects of band-to-band tunnelling (BTBT) in the sub-threshold region. A junctionless transistor (JLT) is turned off by the depletion of carriers in the highly doped thin channel (device layer) which results in a significant band overlap between the valence band of the channel region and the conduction band of the drain region, due to off-state drain bias, that triggers electrons to tunnel from the valence band of the channel region to the conduction band of the drain region leaving behind holes in the channel.These effects of band-to-band tunnelling increase the sub-threshold leakage current, and the accumulation of holes in the channel forms a parasitic bipolar junction transistor (n–p–n BJT for channel JLT) in the lateral direction by the source (emitter), channel (base) and drain (collector) regions in JLT structure in off-state. The proposed HGJLT reduces the subthreshold leakage current and suppresses the parasitic BJT action in off-state by reducing the band-to-band tunnelling probability.

 

۱ Introduction

Recently, junctionless transistors (JLT)Œ۱, based on Lilienfeld’s device, are being studied to overcome the scaling limitation of MOSFETs due to the simple fabrication steps of JLTs compared with those in conventional MOSFETs. Junctionless transistors do not have any metallurgical p–n junction unlike MOSFETs. They have NCN CN C or PCP CP C structures with thin body and highly doped channel and the source, channel and drain have uniform doping. A JLT is turned off by the depletion of carriers in the channel by a suitable work function difference of gate material and channel and turned on by bulk conduction of current through the thin highly doped channel. Different types of structures for junctionless transistor have also been proposed and fabricated, such as, junctionless nanowire gate-all-around (GAA) architectures, multi-gated nanowire architectures with silicon-on-insulator (SOI) and with bulk substrate, planar junctionless transistor on bulk substrate, planar junctionless transistor with non-uniform doping etc.

Many research works explore the physics of the junctionless transistorŒ۴; ۵; ۸; ۹ and the effect of band-to-band tunnelling (BTBT) on their characteristics has been studied in Refs. [10– ۱۵]. The effect of band-to-band tunnelling, in off-state of JLT, has been studied in detail in Ref. [10]. In off-state, the suitable off current is maintained by the depletion of carriers in the channel on applying the work function difference in between the gate metal and the channel (MS/ and on application of drain bias, the conduction band of drain overlaps the valence band of the channel that triggers the electron to tunnel from the valence band of the channel to the conduction band of the drain (n-channel JLT). When an electron tunnels from the valence band of the channel to the conduction band of the drain, it creates holes in the channel and due to accumulation of holes in the channel, a parasitic bipolar junction transistor (n–p–n BJT for channel JLT) is formed in the lateral direction by the source (emitter), channel (base) and drain (collector) regions in JLT structure in off-state.The accumulation of holes increases the potential of a floating-body channel (base of parasitic BJT) and turns on the parasitic BJT by forward biasing the base-emitter junction, resulting in a large drain current (collector current of the BJT) in off-state of JLT. In this context, large static power dissipation due to large leakage current in off-state, which increases with the decrease of gate length from one technological node to the next one, has become a big problem for low standby power (LSTP) applications. Here, band-to-band tunnelling (BTBT) in off-state significantly affects the sub-threshold leakage current, and has to be handled carefully to reduce the static power dissipation.

Recently, the hetero-gate-dielectric tunnel field effect transistors (HGTFETs) have been theoretically proposed16; 17 and also experimentally investigatedŒ۱۸ to improve electrical characteristics. It has been shown that the hetero-gate-dielectric tunnel field effect transistors (HGTFETs) have higher on current, lower ambipolar leakage current and smaller subthreshold slope without sacrificing chip density. The physics of ambipolar leakage current in TFETs is the same as the effect of bandto-band tunnelling in JLTs. Hence, combining the advantages of the hetero-gate-dielectric structure and junctionless transistor, we propose a hetero-gate-dielectric double gate junction- less transistor (HGJLT) to optimize electrical characteristics by reducing the band-to-band tunnelling (BTBT) current in sub threshold regimes. It has been shown that HGJLT has lower sub threshold leakage current and it suppresses the parasitic BJT action.

 

 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
عنوان فارسی مقاله:

ترانزیستور بدون پیوند گیت-دوبل دی الکتریک-گیت-گوناگون (HGJLT) با اثرات تونل باند-به-باند کاهش یافته در رژیم زیرآستانه

عنوان انگلیسی مقاله:

Hetero-gate-dielectric double gate junctionless transistor (HGJLT) with reduced band-to-band tunnelling effects in subthreshold regime

 
 
 
 
 

 

 

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *