| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
ترانزیستور اثر میدانی بر اساس پروتون |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Field effect transistor based on protons as charge carriers |
|
|
| مشخصات مقاله انگلیسی (PDF) | |
| سال انتشار | 2010 |
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی | 4صفحه با فرمت pdf |
| رشته های مرتبط با این مقاله | مهندسی برق |
| گرایش های مرتبط با این مقاله | سیستمهای قدرت، مهندسی الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی |
| مجله | مقالات Eurosensors |
| دانشگاه | گروه فناوری میکروسیستم، موسسه سنسورها و سیستمهای فعال کننده، دانشگاه تکنولوژی وین، اتریش |
| کلمات کلیدی | نانوسیالیت، انتقال الکترون، ترانزیستور اثر میدانی |
| شناسه شاپا یا ISSN | ISSN 1877-7058 |
| رفرنس | دارد ✓ |
| لینک مقاله در سایت مرجع | لینک این مقاله در نشریه Elsevier |
| نشریه الزویر |  |
| مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word) | |
| تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت 14 B Nazanin | 5 صفحه |
| ترجمه عناوین تصاویر و جداول | ترجمه شده است ✓ |
| ترجمه متون داخل تصاویر | ترجمه نشده است ☓ |
| ترجمه متون داخل جداول | ترجمه نشده است ☓ |
| درج تصاویر در فایل ترجمه | درج شده است ✓ |
| درج جداول در فایل ترجمه | درج شده است ✓ |
| درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس | درج شده است ✓ |
| منابع داخل متن | درج نشده است ☓ |
- فهرست مطالب:
چکیده
1.مقدمه
2.نظریه تئوری انتقال یون در نانوکانال¬های محدود شده
3. طراحی و ساخت
4. خصوصیات دستگاه و اندازه گیری ها
5. نتیجه گیری
- بخشی از ترجمه:
5. نتیجه گیری
نتایج آزمایشات ما محدود شدگی سطح مقطع نانوکانال ها را با میدان الکتریکی خارجی، تایید می کنند که سبب نوسان جریان پروتون در نانوکانال می شود. دستگاه جدید در ولتاژ ورودی پایین کوچکتر از 1 ولت کار می کند و به خاطر انزوای ورودی نازکش، رسانایی انتقالی بالاتری (یعنی 10 برابر) نسبت به مواردی که در مقالات قبلی منتشر شده اند، دارد. آزمایشات بیشتری در دست انجام است.
- بخشی از مقاله انگلیسی:
5. Conclusion
The results of our experiments confirm the confinement of the effective cross-section of nanochannels via external electrical field, causing a modulation of the proton flow in the nanochannel. The novel device works at a low gate voltage of < 1 V and has a higher transconductance (i.e. by a factor of 10) than those reported in previous publications, due to thin gate isolation used in our device. Further experiments are currently underway.
|
تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد |
|
|
| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
ترانزیستور اثر میدانی بر اساس پروتون |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Field effect transistor based on protons as charge carriers |
|
|
خرید ترجمه فارسی مقاله با فرمت ورد