دانلود ترجمه مقاله انتقال فاز برگشت پذیر ناشی از فوتون در پروسکایت CsPbBr3 (وایلی ۲۰۱۹) (ترجمه ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️)
این مقاله انگلیسی ISI در نشریه وایلی در ۸ صفحه در سال ۲۰۱۹ منتشر شده و ترجمه آن ۱۷ صفحه میباشد. کیفیت ترجمه این مقاله ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️ بوده و به صورت کامل ترجمه شده است.
دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی | |
عنوان فارسی مقاله: |
انتقال فاز برگشت پذیر ناشی از فوتون در پروسکایت CsPbBr3 |
عنوان انگلیسی مقاله: |
Photon-Induced Reversible Phase Transition in CsPbBr3 Perovskite |
|
مشخصات مقاله انگلیسی (PDF) | |
سال انتشار مقاله | ۲۰۱۹ |
تعداد صفحات مقاله انگلیسی | ۸ صفحه با فرمت pdf |
نوع مقاله | ISI |
نوع نگارش | مقاله پژوهشی (Research Article) |
نوع ارائه مقاله | ژورنال |
رشته های مرتبط با این مقاله | فیزیک |
گرایش های مرتبط با این مقاله | فیزیک کاربردی، بیوفوتونیک، فیزیک ماده چگال |
چاپ شده در مجله (ژورنال) | مواد کاربردی پیشرفته – Advanced Functional Materials |
کلمات کلیدی | اختلاف پتانسیل انتشار، پویای مولکولی، پروسکایت، فاز انتقال، ساختار حجمی |
کلمات کلیدی انگلیسی | diffusion potential difference – molecular dynamic – perovskite – phase transition – volumetric striction |
ارائه شده از دانشگاه | گروه علوم و مهندسی مواد، دانشگاه علوم و فناوری نانجینگ ، چین |
نمایه (index) | Master ISC – Scopus – Master journals – JCR |
نویسندگان | Jie Xue، Dandan Yang، Bo Cai، Xiaobao Xu، Jian Wang، He Ma، Xuechao Yu، Guoliang Yuan، Yousheng Zou، Jizhong Song، and Haibo Zeng |
شناسه شاپا یا ISSN | ISSN ۱۶۱۶-۳۰۲۸ |
شناسه دیجیتال – doi | https://doi.org/10.1002/adfm.201807922 |
بیس | نیست ☓ |
مدل مفهومی | ندارد ☓ |
پرسشنامه | ندارد ☓ |
متغیر | ندارد ☓ |
رفرنس | دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله ✓ |
کد محصول | ۹۹۶۵ |
لینک مقاله در سایت مرجع | لینک این مقاله در سایت Wiley |
نشریه وایلی |
مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word) | |
وضعیت ترجمه | انجام شده و آماده دانلود در فایل ورد و PDF |
کیفیت ترجمه | ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️ |
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش | ۱۷ صفحه (شامل ۱ صفحه رفرنس انگلیسی) با فونت ۱۴ B Nazanin |
ترجمه عناوین تصاویر و جداول | ترجمه شده است ✓ |
ترجمه متون داخل تصاویر | ترجمه شده است ✓ |
ترجمه متون داخل جداول | ترجمه شده است ✓ |
درج تصاویر در فایل ترجمه | درج شده است ✓ |
درج جداول در فایل ترجمه | درج شده است ✓ |
منابع داخل متن | درج نشده است ☓ |
منابع انتهای متن | به صورت انگلیسی درج شده است ✓ |
فهرست مطالب |
۱- مقدمه ۲- نتایج و بحث ۳- نتیجه گیری منابع |
بخشی از ترجمه |
سازماندهی مجدد ساختار در مواد پروسکایت بعلت ویژگی های جذاب (مساعدتی) خود در دستگاه های الکترونیک نوری – مانند تحقق لیزر موج متداوم و بهبود عملکرد در دستگاه های فتوولتاییک – مورد توجه زیادی قرار گرفته است. متأسفانه دشواری کنترل پردازش سازماندهی مجدد و مکانیزم های بنیادی غیر واضح، مانعی را بر سر راه «بهره گیری از سازماندهی مجدد ساختاری در پی عملکردهای متمایز در دستگاه های مبتنی بر پروسکایت» ایجاد میکند. در مقاله حاضر ابتدا تحریک انتقال فاز از ارتورومبیک (راست محوری) به چهار وجهی در CsPbBr3، با استفاده از روشنایی بالاتر از گاف نواری (شکاف باند) با یک آستانه انرژی کوچک (۱٫۶ mW cm 2) گزارش می گردد. این انتقال از ارتورومبیک به چهار ضلعی، معکوس پذیر است و پاسخ سریع و قابل کنترلی (<0.5 s) را نسبت به روشن/خاموش شدن لامپ نشان میدهد. محاسبات تئوری کارکردی چگالی و طیف نمایی رامان نشان میدهد که این سازماندهی مجدد پویای ساختار توسط انتقال جهت پیچش در هشت وجهی Pb-Br ایجاد میشود، در حالیکه اثبات شده است که «میدان کولنی محلی القا شده با تفاوت اختلاف پتانسیل نفوذ» این فرآیند را تحریک میکند. یافته های تحقیق حاضر درک عمیقی از سازماندهی مجدد جهانی ساختار تحت تابش دهی در مواد پروسکایت را فراهم می سازند و مطالعه بیشتر «عملکردهای جدید همراه با سازماندهی مجدد ساختار القا کننده رفتارهای موقتی در دستگاه های الکترونیک نوری را ترغیب میکنند: بعنوان مثال تغییرات در ثابت دی الکتریک و اثرات راشبا القا شده با نوسان لبه نوار، که تأثیر مهمی را بر روی دستگاه های الکترونیک نوری مبتنی بر پروسکایت نشان میدهند.
۳- نتیجه گیری بطور خلاصه، ما انتقال فاز معکوس پذیر از ارتورومبیک به چهار وجهی در تک بلورهای CsPbBr3 را تحت روشنایی بالاتر از گاف نواری با یک آستانه انرژی کوچک (۱٫۶ mW cm-2) گزارش می دهیم. با مقاومت محاسبه تئوری کارکردی چگالی و اندازه گیری های سیستماتیک، پی بردیم که انتقال فاز از تغییر حالت حرکت در هشت وجهی Pb-Br ناشی می گردد که از انبساط متقارن پیوند مخالف حالت B1g ارتعاضی به حالت E تغییر می کند. در ضمن اختلاف پتانسیل نفوذ ناشی از عدم تعادل تحرک حامل، یک میدان الکتریکی محلی را تحریک میکند که اثبات شده است انرژی لازم برای تغییر حالت حرکت را فراهم می سازد. این یافته ها تفسیر اساسی برای سازماندهی مجدد ساختار در CsPbBr3 را (روشن و) فراهم می سازند. ما بر این باور هستیم که این کار سبب ترغیب کاوش و بررسی عملکردهای جدید در دستگاه های الکترونیک نوری پروسکایت می گردد که بر مبنای سازماندهی ساختاری پروسکایت و رفتارهای همراه با آن هستند. |
بخشی از مقاله انگلیسی |
Structure reorganization within perovskite materials has attracted much attention due to its assisted appealing features in optoelectronic devices, such as achieving continue-wave laser and performance enhancement in photovoltaic devices. Unfortunately, the difficulty of controlling reorganization processing and unclear underlying mechanisms impose an impediment for taking advantage of the structural reorganization in pursuit of distinctive functions in perovskite-based devices. In this work, using above-bandgap illumination with a small energy threshold (1.6 mW cm−۲ ) triggering phase transition from orthorhombic to tetragonal in CsPbBr3 is first reported. This photon-induced structure reorganization is reversible and presents a fast and controllable response (<0.5 s) to light on/off. Raman spectroscopy and density functional theory calculations reveal that such a dynamic structure reorganization is caused by the transition of torsion direction in Pb–Br octahedral, while the diffusion potential difference induced local Coulombic field is proved to drive this process. The findings provide a deep understanding for universal structure reorganization under irradiation in perovskite materials and encourage further study of the novel functions associated with structure reorganization inducing temporal behaviors in optoelectronic devices, for example variations in dielectric constant and band edge fluctuation induced Rashba effects, which show a significant influence on perovskite-based optoelectronic devices.
۳- Conclusion In summary, we report on reversible phase transition from orthorhombic to tetragonal in CsPbBr3 SCs under above bandgap illumination with a small energy threshold (1.6 mW cm−۲). With the assistance of DFT calculation and systematic measurements, we found the phase transition originated from the variation of motion mode in Pb–Br octahedra, changing from the symmetric stretch of opposite bond of vibrational B1g mode to E mode. Meanwhile, the diffusion potential difference due to unbalance of carrier mobility induces a local electric field, which is proved to provide energy for this motion mode changing. These findings clarify and provide the fundamental interpretation for structure reorganization in CsPbBr3. We believe this work will motivate the exploration of novel functions in perovskite optoelectronic devices basing on perovskite structural reorganization and its associating behaviors. |
تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد |
دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی | |
عنوان فارسی مقاله: |
انتقال فاز برگشت پذیر ناشی از فوتون در پروسکایت CsPbBr3 |
عنوان انگلیسی مقاله: |
Photon-Induced Reversible Phase Transition in CsPbBr3 Perovskite |
|