دانلود ترجمه مقاله بررسی XPS و TEM در واکنش Ru-Si و ترکیب دوظرفیتی سیلیکون – مجله الزویر

elsevier

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

بررسی XPS و TEM در واکنش حالت جامد Ru-Si و رسوب شده ترکیب دوظرفیتی سیلیکون (سیلیسید) روتنیم رشد کرده بر روی سیلیکون

عنوان انگلیسی مقاله:

XPS and TEM study of deposited and Ru–Si solid state reaction grown ruthenium silicides on silicon

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار  ۲۰۱۵
تعداد صفحات مقاله انگلیسی  ۵ صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله  فیزیک و شیمی
گرایش های مرتبط با این مقاله  شیمی آلی، شیمی پلیمر، شیمی کاربردی، شیمی فیزیک، حالت جامد، نانو فیزیک و فیزیک کاربردی
مجله  علوم مواد در فرایندهای نیمه هادی
دانشگاه  گروه صنعتی و مهندسی سیستم، دانشگاه پلی تکنیک هنگ کنگ، چین
کلمات کلیدی  روتنیم سیلیسید ، XPS طیف سنجی رامان ، TEM، کندوپاش
شناسه شاپا یا ISSN ISSN ۱۳۶۹-۸۰۰۱
رفرنس دارد
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در نشریه Elsevier
نشریه الزویر Untitled

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۱۲ صفحه
ترجمه عناوین تصاویر و جداول ترجمه شده است
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه نشده است
ترجمه متون داخل جداول ترجمه نشده است
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است

 


  • فهرست مطالب:

 

چکیده
۱٫ مقدمه
۲٫ آزمایش
۳٫ بحث و نتایج
۴٫ استنتاج


  • بخشی از ترجمه:

 

۴٫ استنتاج
Silicide های واکنشی حالت جامد و رسوب شده بر Si بواسطه¬ی طیف نمای Raman، TEM و XPS بررسی شده اند. یافته های اصلی عبارتند از: الف) تائید شده است هر دو ترکیب دوظرفیتی سیلیکون ، ترکیب دو ظرفیتی سیلیکون قائم الزاویه هستند. ب) سطح هسته Ru ، برابر با ۲۷۹٫۷eV یافت شده است، یعنی کاهش حدود ۰٫۳eV انرژی اجباری فلزی آن. در همین زمان، مقدار هسته Si 2p برابر با ۹۹٫۴eV تعیین شده است، افزایش ۰٫۱eV از مقدار آن. ج) خواص ساختاری غشاء های رسوب شده در مقایسه با silicide رشد کرده توسط واکنش حالت جامد نامرغوب هستند. د) در لایه silicide اکسید شده، تشکیل اجزاء نانو روتنیم در برای اولین بار بواسطه¬ی تجزیه و تحلیل TEM نشان داده شده است. ه) بطورکلی، یافته ها برای بکارگیری عملی در دستگاههای رکتیفایر مبتنی بر سیلیکون حائز اهمیت هستند و ارزیابی مجدد مکانیزم اکسیداسیون را نشان می دهند.


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

۴٫ Conclusion

Deposited and solid state reacted silicides on Si are examined by XPS, TEM and Raman spectroscopy. The main findings are: (i) both silicides are confirmed to be orthorhombic Ru2Si3 silicide. (ii) The Ru 3d5/2 core level of Ru2Si3 is found to be 279.7 eV, a reduction of about 0.3 eV from its metal binding energy. At the same time, Si 2p core value is determined to be 99.4 eV, an increase of 0.1 eV from its Si0 value. (iii) The structural properties of the deposited films are inferior compared to the silicide grown by solid state reaction. (iv) In oxidized silicide layer, the formation of ruthenium nano-inclusions in SiOx are demonstrated by TEM analysis for the first time. (v) Overall, the findings are important for eventual application of Ru2Si3 in silicon based rectifying devices and suggest a reevaluation of the mechanism of Ru2Si3 oxidation.


 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

بررسی XPS و TEM در واکنش Ru-Si و ترکیب دوظرفیتی سیلیکون

عنوان انگلیسی مقاله:

XPS and TEM study of deposited and Ru–Si solid state reaction grown ruthenium silicides on silicon

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی          خرید ترجمه فارسی مقاله

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *