دانلود مقاله ترجمه شده خصوصیات اینورتر CMOS غیر مرسوم جدید متشکل از NMOSFET و یک بدون اتصال – مجله IEEE

ieee2

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

تعیین مشخصه های اینورتر تراشه هاى نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک بدون اتصال و یک ترانزیستور کنترل شده

عنوان انگلیسی مقاله:

Characterization for Novel Non-traditional CMOS Inverter Composed of a Junctionless NMOSFET and a Gated N + -N–P Transistor

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی و ترجمه فارسی
سال انتشار  ۲۰۱۰
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۳ صفحه با فرمت pdf
تعداد صفحات ترجمه مقاله ۸ صفحه با فرمت word به صورت تایپ شده با قابلیت ویرایش
رشته های مرتبط با این مقاله  مهندسی برق و مهندسی انرژی
گرایش های مرتبط با این مفاله برق قدرت، برق صنعتی و  انرژی های تجدید پذیر
دانشگاه  گروه مهندسی برق، دانشگاه ملی Sun yat-Sen، کائوسیونگ، تایوان
کلمات کلیدی  CMOS ,Inverter، Junctionless
شناسه شاپا یا ISSN ISBN ۹۷۸-۱-۴۲۴۴-۶۶۹۴-۸
رفرنس دارد
نشریه آی تریپل ای

 

 


  • بخشی از ترجمه:

 

چکیده
١.مقدمه:
همزمان با ادامه توسعه ی تکنولوژی نیمه هادی ها، وسایل منطقی نیمه هادی اکسید-فلزی مکمل (CMOS)، در مدارات دیجیتال و نیز ساخت آی-سی ها در مقیاس های بسیاربزرگ (VLSI)، استفاده می شود؛ و این بدلیل مصرف توان استاتیک کم و کاهش نویز خوب آن می باشد. بدبختانه، پردازش پیچیده، هزینه های ساخت زیاد، و پویایی تطبیق نیافته، مسایل جدی وسایل منطقی CMOS سیلیکونی می باشند. همچنین، زمانی که ابعاد وسایل کوچک می شوند، به نظر می رسد که پهنای بیشتر PMOSFETها به سختی بتوانند به چگالی زیاد ساخت مدار مجتمع، دست یابند. تعدادی چند از مطالعات بر روی CMOS گزارش شدند که می توانند مشکلات گفته شده در بالا را _مثلا ساخت وسیله بر روی لایه سلیکون-روی-عایق (SOI) [١]، و روی سطح ژرمانیوم روی عایق (GeOI)[٢]، و یا روی مواد III-V [٣] و [۴]، یا استفاده از تکنولوژی مهندسی فشار و ساخت آی-سی سه بعدی [۵] _ را آسان کنند. با این حال، مسایل مربوط به جبران سازی پهنای PMOSFET و فرآیندهای پیچیده ی آن هنوز باقی است.
در دهه ١٩٨٠، Yasuhisa Omura ترانزیستور گیت-جدا نوع-دوقطبی غیر مستقیم جانبی (LUBISTOR) را [۶] و [٧] که همانند یک دیود P-I-N کنترل شده کار می کرد، معرفی کرد. همچنین، ترانزیستورهای اثر میدان تونلی P-I-N(TFET) بخاطر مصرف توان پایینشان، تا بامروز مورد استقبال قرار گرفته اند. این به خاطر نوسان زیرآستانه ی سراشیبی (S.S.) و نسبت جریان ION/loFF بالای [٨] و [٩] مزایای TFETها برای مقیاس بندی ولتاژ منبع توان، می باشد. اخیرا، JL NMOSFTها [١٠] هم بسیار پر طرفدار بوده اند. نداشتن اتصال، ساخت آنها را به دلیل نبود اتصالات سورس/درین S/D آسانتر کرده است. به علاوه، زمانی که ابعاد وسیله کوچکتر می شوند، اثرات کانال-کوتاه (SCE) و کاهش مانع القای-درین (DIBL)، می تواند به اندازه ی کافی در JL NMOSFETها کاهش داده شود.

 


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

 

Abstract

We present a non-traditional CMOS inverter composed a junctionless (JL) NMOSFET and an N+ -N–P transistor which with simple process and high integration density in this paper. In the non-traditional CMOS inverter the JL NMOSFET serves as driver and the �-N–P transistor serves as load, respectively. Based on the measurement date of the N+ -N–P transistor published, we draw the load line of the non-traditional CMOS inverter and we found out that the �­ N–P transistor can be used in the COMS circuit to advance the issues of the conventional CMOS today. Besides, the area reduced more than 46.1 % are also be achieved.

I. INTRODUCTION

As the semiconductor technology developed continues, the complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) logical devices have been used in the digital circuits as well as the very-large-scale integration (VLSI) generally, because of its low static power consumption and good noise margin. Unfortunately, the complicated process, high fabrication cost, and the non-matched mobility are the serious issues of the silicon-based CMOS logical devices. Also, when the device dimensions are scaled-down, the wider width of PMOSFETs appears to be difficult to achieve the high integration density. A number of CMOS studies have been reported to ease the issues mentioned above, including the device fabricated on silicon-oninsulator (SOl) substrate [1], and on germanium-oninsulator (GeOl) substrate [2], on III-V materials [3] [4], or use of stress engineering and three-dimensional (3-D) integration technology [5]. However, the width compensation of PMOSFETs and its complicated processes still exist.

 


 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

خصوصیات اینورتر CMOS غیر مرسوم جدید متشکل از NMOSFET و یک بدون اتصال

عنوان انگلیسی مقاله:

Characterization for Novel Non-traditional CMOS Inverter Composed of a Junctionless NMOSFET and a Gated N + -N–P Transistor

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی          خرید ترجمه فارسی مقاله

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *