این مقاله انگلیسی ISI در نشریه الزویر در 6 صفحه در سال 2022 منتشر شده و ترجمه آن 20 صفحه میباشد. کیفیت ترجمه این مقاله ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️ بوده و به صورت کامل ترجمه شده است.

نوشته دانلود ترجمه مقاله مجموعه ای از سلول های خورشیدی ریز چند پیوندی (ساینس دایرکت – الزویر 2022) (ترجمه ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️) اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

این مقاله انگلیسی ISI در نشریه آی تریپل ای در 5 صفحه در سال 2022 منتشر شده و ترجمه آن 11 صفحه میباشد. کیفیت ترجمه این مقاله ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️ بوده و به صورت کامل ترجمه شده است.

نوشته دانلود ترجمه مقاله شبیه سازی کارایی سلول خورشیدی پرووسکیت بدون سرب (آی تریپل ای 2022) (ترجمه ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️) اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

این مقاله انگلیسی ISI در نشریه هینداوی در 6 صفحه در سال 2017 منتشر شده و ترجمه آن 11 صفحه میباشد. کیفیت ترجمه این مقاله ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️ بوده و به صورت کامل ترجمه شده است.

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار مقاله	2017
تعداد صفحات مقاله انگلیسی	6 صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله	مهندسی برق و مهندسی انرژی
گرایش های مرتبط با این مقاله	برق مخابرات، مهندسی الکترونیک، مکاترونیک، انرژی های تجدیدپذیر ، سیستم های انرژی و مخابرات سیستم
مجله مربوطه	مجله بین المللی اپتیک – International Journal of Optics
دانشگاه تهیه کننده	دانشکده الکترونیک، مهندسی برق و ارتباطات، دانشگاه آکادمی علوم چین، پکن
لینک مقاله در سایت مرجع	لینک این مقاله در سایت Hindawi
نشریه هینداوی

• فهرست مطالب:

1- معرفی
2- تحلیل مدل
2-1 مدل منبع نوری LED
2-2 مدل سلول خورشیدی
2-3 مدل سیستم
3- تحلیل نتایج و بحث
4- نتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

4- نتیجه گیری
ما در کار خود یک مدل برای سلول خورشیدی سیستم VLC ارایه کرده ایم که در Matlab/Simulink شبیه سازی شده است. ما صحت مدل خود را اثبات کرده ایم و طراحی قابل قبولی برای بهینه سازی سیستم ارایه کرده ایم.
سیستم جمع آوری انرژی و آشکارسازی سیگنال ارایه شده است. نرخ داده آن 19200 بیت درثانیه است. ولتاژ DC سلول نوری 2.77V است که برای مدارات با منبع تغذیه پایین کافی است. ولتاژ AC سلول نوری حدود 410 mV است که می تواند با استفاده از مدار تقویت کننده یک طبقه بهبود یابد. نشان داده شده است که سلول خورشیدی می تواند به عنوان مبدل انرژی و آشکار ساز به طور همزمان در سیستم VLC مورد استفاده قرار گیرد.
تاثیرات کانال [6] ، پاسخ سلول خورشیدی به فرکانس، شرایط تابش در اتاق، و پارامترهای دیگر در مدل ما نادیده گرفته شده اند. مطالعات بعدی می تواند این پارامترها را در نظر بگیرد. در همان زمان ما می توانیم طراحی برای کاربرد عملی را بهینه کنیم.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

4. Conclusion

In our works, we set up a model of solar cell VLC system which was simulated in Matlab/Simulink. We had verified the correction of the model and gave reasonable design to optimize the system. The energy gathering and signals detecting system was demonstrated. The data rate of it is 19200 bps. The DC voltage of photocell was about 2.77 V which is enough for low voltage power supply circuits. The AC voltage of photocell was about 410 mV and could be optimized by one stage amplifier circuit. It was proved that solar cell can act as energy converting and detecting device simultaneously in VLC system. The channel influences [6], response of solar cell to frequency, room lighting conditions, and other factors were ignored in our model. Further studies can take these factors into consideration. At the same time, we will optimize the design for the actual application.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی          خرید ترجمه فارسی مقاله

نوشته دانلود ترجمه مقاله کاربرد سیلیکون فتوسل در سیستم ارتباطی نور قابل مشاهده (هینداوی 2017) (ترجمه ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️) اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

این مقاله انگلیسی ISI در نشریه ساینس دایرکت (الزویر) در 4 صفحه در سال 2017 منتشر شده و ترجمه آن 7 صفحه میباشد. کیفیت ترجمه این مقاله ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️ بوده و به صورت کامل ترجمه شده است.

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار	2017
تعداد صفحات مقاله انگلیسی	4 صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله	مهندسی مواد
گرایش های مرتبط با این مقاله	نانومواد و مهندسی مواد و متالوژی
چاپ شده در مجله (ژورنال)	اسناد مواد – Materials Letters
کلمات کلیدی	سلول خورشیدی، نانوکامپوزیت، فوتوولتائی، روش پولیول، نیمه رسانا
ارائه شده از دانشگاه	گروه فیزیک، دانشگاه اردبیل، دانشگاه آزاد اسلامی، اردبیل
نویسندگان	Mina Pourabdollah , Hossein Zeynali , Hossein Akbari
شناسه شاپا یا ISSN	ISSN 0167-577X
شناسه دیجیتال – doi	https://doi.org/10.1016/j.matlet.2017.03.107
رفرنس	دارد ✓
کد محصول	9379
لینک مقاله در سایت مرجع	لینک این مقاله در نشریه Elsevier
نشریه الزویر

نوشته دانلود ترجمه مقاله سنتز کنترل شده، خصوصیات و خواص اپتیکی نانوساختارهای ZnIn2S4 و CdIn2S4 (ساینس دایرکت – الزویر 2017) (ترجمه ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️) اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار	2010
تعداد صفحات مقاله انگلیسی	86صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله	مهندسی مواد و فیزیک
گرایش های مرتبط با این مقاله	بیومواد، نانو مواد، فیزیک کاربردی گرایش مواد، نانو فیزیک
مجله	مواد – Materials
دانشگاه	گروه علوم و مهندسی مواد، دانشگاه فلوریدا، ایالات متحده آمریکا
کلمات کلیدی	سلول های خورشیدی، نقاط کوانتومی، نانومتریال های نیمه رسانا، الکترولومینسانس، فتولومینسانس، تصویر برداری بیولوژیکی
شناسه شاپا یا ISSN	ISSN 1996-1944
رفرنس	دارد
لینک مقاله در سایت مرجع	لینک این مقاله در سایت MDPI
نشریه MDPI

فهرست مطالب:

چکیده

فهرست مطالب

مخفف ها

1. مقدمه

2. ساختار نقاط کوانتومی

2.1 ساختار هسته

3. 2.1.1 اندازه نسبت به چگالی حالت ها

4. 2.1.2 فاز ها و انتقال فازی

5. 2.1.3 ناخالص سازی در نقاط کوانتومی

6. 2.1.4 آلایش نقاط کوانتومی

6.1 ساختار سطحی

6.1.1 غیر فعال سازی سطحی

6.1.1.1 نقاط کوانتومی غیر فعال غیر ارگانیک

6.1.1.1.1 رشد همبافته

6.1.1.1.2 رشد غیر هم بافته

6.1.1.2 ساختار چند پوسته ای

6.1.2 تعیین مشخصات ساختار های پوسته

7. خصوصیات

7.1 اثرات محصور شدگی کوانتوم و شکاف باند

7.1.1 مدل تقریب جرم موثر

7.1.2 ترکیب خطی تئوری اوربیتال اتمی- تئوری اوربیتال مولکولی

7.2 خصوصیات لومینسانس

7.2.1 واهلش تابشی

7.2.1.1 انتشار لبه باند

7.2.1.2 انتشار ناقص

8. 3.2.1.3 تابش فعال ساز

8.1.1 بازده کوانتومی نقاط کوانتومی

9. 3.2.2.2 تغییر بازدهی کوانتومی تحت تابش فرابنفش

10. 4 فرآیند های سنتز

11. 4.1 فرآیند های سنتز بالا- پایین

12. 4.2 روش پایین- بالا

13. 4.2.1 روش های شیمیایی تر

14. 4.2.1.1 فرآیند سل-ژل

15. 4.2.1.2 فرآیند میکروامولسیون

16. 4.2.1.3 فرآیند تجزیه محلول داغ

17. 4.2.1.4 فرآیند های سنتز دیگر

18. 4.2.2 روش های فاز بخار

19. 5 . کاربرد

20. 5.1 نقاط کوانتومی برای ساخت دستگاه الکترو لومینسانس

5.2 کاهش تبدیل آبی یا نور فرا بنفش

5.3 نقطه کوانتومی در ساخت دستگاه های سلول خورشیدی

5.3.2 سلول خورشیدی پراکنده نقطه کوانتومی

5.4 نقطه کوانتومی در سایر دستگاه های نوری

5.5 استفاده از نقاط کوانتومی در برنامه های کاربردی تصویر زیستی

5.3.1 سلول خورشیدی حساس به نقطه کوانتومی

5.5.1 فلورسانس برای تصویر برداری بیولوژیکی

.5.5.2. استفاده از انتقال انرژي رزونانس فلورسانس در تصویر برداری بیولوژیکی

5.5.3 اسپکتروسکوپ رامان سطح پیشرفته

5.5.4 امواج رادیویی و خواص پارامغناطیس

5.5.5 بیوشیمی مبتنی بر رزونانس مغناطیسی

6. چشم انداز

بخشی از ترجمه:

6. چشم انداز

در این بررسی، جنبه های انتخاب شده از ساختار، خواص، کاربرد و عملکرد Qdots بحث شده است. در میان شاخه های مختلف در فناوری نانو، ابعاد صفر نانوساختارها راه را برای پیشرفت های متعدد در علوم بنیادی و کاربردی هموار کرده اند.این به دلیل این واقعیت است که Qdot به طور قابل توجهی خواص نوری، الکترونیکی و فیزیکی متفاوتی در مقایسه با مواد فله نمایش می دهد. با توجه به سنتز Qdots، در مطالعات سینتیک رشد از طریق مدل های نظری و داده های تجربی، پیشرفت قابل توجهی صورت گرفته است. روشهای مختلفی که از روشهای ساده شیمیایی مرطوب استفاده می شود تا تکنیک های رسوب لایه اتمی بسیار پیچیده و کاربردی برای سنتز Qdots استفاده می شود. رویکردهای “پایین به بالا” به طور گسترده ای مورد بررسی قرار می گیرند و در نتیجه روش های مختلفی برای تولید Qdots به وجود می آیند.

بخشی از مقاله انگلیسی:

6. Perspective

In this review, selected aspects of the structure, properties, application and performance of Qdots have been discussed. Among the various branches in nanotechnology, these zero dimension nanostructures have paved the way for numerous advances in both fundamental and applied sciences. This is due to the fact that the Qdot exhibit significantly different optical, electronic and physical properties as compared to bulk materials. With respect to synthesis of Qdots, significant progress has been made in studies of the growth kinetics through both theoretical models and experimental data. Procedures ranging from simple wet chemical methods to very sophisticated and equipment-intensive atomic layer deposition techniques are being used to synthesize Qdots. The ‘bottom-up’ approaches are being widely explored resulting in a wider variety of methods to generate Qdots.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله با فرمت ورد

نوشته دانلود ترجمه مقاله مروری بر نقاط کوانتومی و کاربرد های چندگانه آنها – MDPI 2010 اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار	2009
تعداد صفحات مقاله انگلیسی	5صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله	مهندسی انرژی
گرایش های مرتبط با این مقاله	انرژی های تجدیدپذیر و فناوری های انرژی
چاپ شده در مجله (ژورنال)	انرژی خورشیدی – Solar Energy
کلمات کلیدی	سلول خورشیدی HIT. مقاومت زیرلایه. شبیه سازی
ارائه شده از دانشگاه	آزمایشگاه فن آوری سلول خورشیدی، موسسه مهندسی برق، آکادمی علوم چین
نویسندگان	L. Zhao, H.L. Li, C.L. Zhou, H.W. Diao, W.J. Wang
شناسه شاپا یا ISSN	ISSN 0038-092X
شناسه دیجیتال – doi	https://doi.org/10.1016/j.solener.2008.11.007
رفرنس	دارد ✓
کد محصول	9238
لینک مقاله در سایت مرجع	لینک این مقاله در نشریه Elsevier
نشریه الزویر

نوشته دانلود ترجمه مقاله مقاومت بهینه شده زیر لایه Si از نوع P برای سلول خورشیدی ناهمگون با لایه-نازک ذاتی – الزویر 2009 اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

• فهرست مطالب:

چکیده
1- مقدمه
2-روش آزمایش
2.1 پردازش سلول CIGS
2-2 روش مشخصه یابی
3- تحلیل نتایج
4-نتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

-4نتیجه گیری:
خصوصیات جدیدترین سلول های خورشیدی CIGS با بازده 21.7% یک افزایش قابل توجه در چگالی جریان اتصال کوتاه و ولتاژ آستانه و ضریب FF نشان میدهد. افزایش چگالی جریان به دلیل بهره نوری در یک لایه CdS نازکتر و کاهش مینیمم GGI در دو لایه¬ی جذب کننده¬ی CIGS اتفاق می افتد. به نظر میرسد که تغییر سریع ترکیب ماده ها در قسمت جلو به عملکرد سلول خورشیدی آسیب نمی رساند. نتایج پیشنهاد  میدهد که فرآیند PDT اثرات ناشی از شبکه را کاهش میدهد. همچنین فرآیند PDT باعث بهبود چگالی جریان اشباع میشود. مقایسه نتایج ما با سلول خورشیدی 20.9% شرکت Solar Frontier نشان می¬دهد که ترکیب فرآیند PDT و لایه¬ی بافر در یک سلول خورشیدی حتی باعث بازده بالاتر از چیزی که در این گزارش ارایه شده است میشود.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

3 Conclusion

The properties of the most recent CIGS solar cells with conversion efficiencies up to 21.7% show a remarkable increase in Jsc, a high Voc level and improved FF when compared to former record results. The significant increase in Jsc can be explained by an optical gain through a thinner CdS buffer layer and a lower GGI minimum in the double-graded CIGS absorber. Seemingly, the very steep front grading does not harm the solar cell performance. The results may suggest that the PDT procedure has a passivating effect on (lattice-induced) defects. In addition, a general trend towards lower ideality factors and saturation current densities can be observed for PDT treated cells. The comparison of our results with the results of Solar Frontier (20.9%) permits the conclusion that a combination of PDT procedures and alternative buffer layers in one cell system has the potential for even higher efficiencies than reported here.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله

نوشته دانلود ترجمه مقاله ویژگی سلول خورشیدی CIGS با راندمان نزدیک به 21.7% – انتشارات وایلی اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

• فهرست مطالب:

چکیده
1.مقدمه
2.تئوری
3. بررسی روش
3.1 طبقه بندی F
3.1.1 روش F
3.1 طبقه بندی f ́
3.2 روش f ́
3.2.2 روش f ́f
3.3. دسته F
3.3.1 روشƒƒ
2.3.3.روشSwanson
.3.3.3روش Aberle et al
.4.3.3روشWolf&Rauschenbach
.5.3.3روشMialhe&Charette
4-بحث ونتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

4-بحث ونتیجه گیری :
مطالعه کنونی یک روش سیستماتیک برای مشتق فراهم می¬کند که مجموعه بزرگی از روش ها برای تعیین مقاومت های سری سلول خورشیدی است.
در روش دو بعدی ارائه شده در جدول 1 امکان مقایسه آسان را می¬دهد و نشان می¬دهد که بسیاری از روش های منتشر شده قبلی در نگاه اول بیش از حد ممکن است یکسان به نظر برسد. هر روش به حداقل برخی از فرضیات و یا تقریب ها نیاز دارد و نسبت به سایر روش ها نفوذپذیرتراست بررسی اجمالی تمام مفروضات و تقریب برای روش در جدول 2 مورد بحث قرار داده شده است تقریبی که انتظار می رود که بزرگترین اثر گذاری روی R_s داشته باشد که در آن مدل کلی برای سلول های خورشیدی در مدل تک دیود ارائه شده است از آنجا که روش¬های Swanson, Aberleetal, Wolf&Rauschenbach نیاز به تقریب دارد انتظار می¬رود که این روش¬ها دقیق ترین روش باشدازآنجا که این سه روش نیاز به دو منحنی که در تابش¬های مختلف اندازه گیری شود با فرض اینکه ƞ_αوI_0 مستقل از E هستند اعمال می¬شود در روش Swansonفرض می¬شود مستقل R_sازE باشد در حالی که در روش Aberle et al متکی بر این فرض است . R_s2≪(V_2-V_1)(I_L1-I_L2) از آنجایی که روشWolf&Rauschenbachنیاز به هیچ یک از این دوفرض گذشته ندارد انتظار می¬رود که ایمن ترین این روش ها باشد یک تئوری نظری است کمیسیون بین المللی علوم الکترونیکی ترجیح می¬دهد. این روش به عنوان تعیین مقاومت سری استاندارد به جای روش Swanson اتخاذ کند.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

4. Discussion and conclusions

The present study provides a systematic approach to derive a large collection of methods to determine the series resistance of a solar cell. Representation of the methods in the two-dimensional array presented in Table 1 allows for easy comparison and reveals that many previously published methods are more alike than might appear at first sight. Each method requires at least some assumptions and/or approximations, some more influential than others. An overview of all the assumptions and approximations for the discussed methods is presented in Table 2. The approximation that is expected to have the largest influence on the value of Rs to be determined is the one where the general solar cell model is represented by the single-diode model. Since the methods of Swanson, Aberle et al. and Wolf & Rauschenbach do not require this approximation, it is expected that these methods will be the most accurate. Because these three methods all require two IV-curves measured at a different irradiance, they do rely on the assumption that nα and I0;α are independent of E. The method of Swanson also assumes that Rs is independent of E, while the method of Aberle et al. relies on the assumption that Rs2 5ðV2 V1Þ=ðIL1 I1Þ. Since the method of Wolf & Rauschenbach requires neither of these last two assumptions, it is expected to be the most secure of these three methods. From a theoretical point of view it would, therefore, be preferable if the International Electrotechnical Commission adopted this method as its series resistance determination standard, instead of the method of Swanson [17]. One practical advantage that the method of Aberle et al. has over that of Wolf & Rauschenbach is that its second IV-curve does not require an (accurate) change in irradiance settings, but is simply measured under dark condi

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله

نوشته دانلود ترجمه مقاله متد تعیین مقاومت سری جهت سلول خورشیدی‌ – مجله الزویر اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

• فهرست مطالب:

چکیده
مقدمه
روش شبیه سازی عددی
سطح جلویی: آرایش‌های نانوذرات نقره
سطح پشتی: آرایش‌های شبکه پرتودیده
بازدهی بدام اندازی نور
نتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

نتیجه گیری
براساس آرایش‌های نانوذره نقره و آرایش‌های شبکه پرتودیده، ساختارهای سلول‌های خورشیدی سیلیکونی غشاء نازک را در هر دو سطح جلویی و پشتی طراحی کردیم. در طراحی سطح جلویی سلول‌ها، آرایش‌های نانوذرات نقره برای افزایش انتقال نور در بالا تعبیه شدند تا از اثر تشدید پلاسمون سطحی که در اثر نانوذرات فلزی ایجاد می‌شود استفاده شود. در سطح پشتی سلول‌ها، آرایش‌های شبکه پرتودیده برای کاهش انتقال نور در پائین استفاده شد. ما هم چنین دو طرح سطح را ترکیب و مقادیر میانگین وزندار فوتون‌هایی که به وسیله سیلیکون در کل طول موج‌های موردمطالعه جذب شده بود محاسبه کردیم. نتایج نشان از آن دارند که بازدهی بدام اندازی نور می‌تواند تحت ترکیب‌های خاصی از پارامترهای ساختاری بهینه شود.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

Conclusions

Based on silver nanoparticle arrays and blazed grating arrays, we have designed structures of thin film silicon solar cells both at the front and the rear surfaces. In the design of the front surface of the cells, silver nanoparticle arrays have been placed in order to increase the light transmittance at top, utilizing the surface plasmon resonance effect induced by the metallic nanoparticles. At the rear surface of the cells, blazed grating arrays have been used to decrease light transmittance at bottom. We have also combined both surface designs and calculated the weighted mean values of the photons absorbed by silicon over all the wavelengths studied. The results indicate that the light trapping efficiency can be optimized under certain combinations of the structural parameters.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله

نوشته دانلود ترجمه مقاله طراحی سطحی برای افزایش بازده تله نور در سلول خورشیدی سیلیکونی – نشریه اسپرینگر اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.

• فهرست مطالب:

چکیده
مدل شبیه سازی
نتایج و تشریح مطالب
الف. سلول 1J GaAs روی سیلیسیم
ب. سلول 2J InGaP/GaAs روی سیلیسیم
ث. تطبیق جریان در سلول 2J InGaP/GaAs روی سیلیسیم
د. اثر بازترکیب سطحی بر سلول 2J InGaP/GaAs
نتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

4. نتیجه گیری
ما اثر TDD را بر عملکرد سلول های 1J n+/p GaAs و 2J n+/p InGaP/GaAs روی سیلیسیم در طیف AM1.5G مورد بررسی قرار دادیم. این تحلیل نشان می دهد که در یک سلول 1J GaAs روی سیلیسیم با یک پایه GAAS به ضخامت 2.5 میکرومتر، یک بازدهی بیشتر از 23% را می توان در یک TDD برابر 106cm-2 بدست آورد. برای هر دو آرایش سلول 1J و 2J، شروع کاهش در VOC این طور که مشخص گردید در یک TDD کمتر نسبت به JSC رخ می دهد که نشان دهنده آن است که V¬OC نسبت به TDD حساس تر است. سلول 2J InGaP/GaAs در یک TDD برابر 106cm-2 یک بازدهی 26.22% در ازای پایه GAAS 2.5 میکرومتری و پایه InGaP 0.9میکرومتری نشان داد. طرح سلول 2J InGaP/GaAs روی سیلسیم در یک TDD برابر 106cm-2 بهینه سازی گردید تا تطبیق جریان بین دو سلول فرعی انجام شود. با باریک شدن سلول فوقانی InGaP از 0.9 به 0.38 میکرومتر، بازدهی سلول 2J از %26.22 به 29.62% افزایش یافت. علاوه بر این، در لایه های میانی در سلول فرعی فوقانی GAP، SRVهای کمتر از 104cm/s اثر ناچیزی بر عملکرد سلول 2J داشتند. در نتیجه، حتی در یک سلول 2J InGaP/GaAs با شبکه تطبیق داده شده بطور نامناسب روی سیلیسیم با مقدار TDD برابر 106cm-2، یک بازدهی تبدیل تئوریک بیشتر از 29% در طیف AM1.5G با مناسب سازی طرح دستگاه قابل حصول است. زمانی که این امر بطور آزمایشگاهی تحقق یابد، فناوری سلول III–V روی سیلیسیم یک نمونه جدید برای پیشرفت سلول های خورشیدی III–V عرضه خواهد کرد و راه های خلاقانه را برای کاربرد در فضا و کاربردهای زمینی توسعه خواهد داد.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

IV. CONCLUSION

We have investigated the impact of TDD on the performance of 1J n+ /p GaAs and 2J n+ /p InGaP/GaAs cells on Si at AM 1.5G spectrum. The analysis indicates that in a 1J GaAs cell on Si with a 2.5-μm-thick GaAs base, an efficiency of greater than 23% can be realized at a TDD of 106 cm−2 . For both 1J and 2J cell configurations, the onset of degradation in Voc was found to occur at a lower TDD than in Jsc , indicating that Voc was more sensitive to TDD. The 2J InGaP/GaAs cell at a TDD of 106 cm−2 exhibited an efficiency of 26.22% with a 2.5- and 0.9-μm-thick GaAs and InGaP base, respectively. The design of the 2J InGaP/GaAs cell on Si was optimized at a TDD of 106 cm−2 to achieve current matching between the two subcells. By thinning the top InGaP cell from 0.9 to 0.38 μm, the 2J cell efficiency increased to 29.62% from 26.22%. In addition, at the interfaces in the top InGaP subcell, the SRVs below 104 cm/s had negligible impact on the 2J cell performance. Thus, even in a lattice-mismatched 2J InGaP/GaAs cell on Si with TDD of 106 cm−2 , a theoretical conversion efficiency of greater than 29% at AM1.5G is achievable by tailoring the device design. Once experimentally realized, the III–V cell technology on Si would offer a new paradigm for the advancement of low-cost III–V solar cells and foster innovative avenues for both space and terrestrial applications.

نوشته دانلود مقاله ترجمه شده اثر جابجاشدگی شیار در سلول خورشیدی GaAs و InGaP/GaAs بر سیلیسیم – مجله IEEE اولین بار در ترجمه فا پدیدار شد.