شبیه سازی کارایی سلولهای خورشیدی پرووسکیت بدون سرب

Performance simulation of lead-free perovskite solar cells

چکیده

1. مقدمه

2. آزمایش

3. نتایج و بحث

4. نتیجه گیری

منابع

چکیده

از نرم افزار شبیه سازی سلول های خورشیدی SCAPS برای شبیه سازی سلول خورشیدی پروسکایت مبتنی بر Sn با ساختار طراحی زیرلایه شیشه ای/FTO/ZnO/CH3NH3Snh/Cu2O/Au استفاده شد. اثرات ضخامت لایه جاذب و تراکم نقص و همچنین غلظت پذیرنده بر عملکرد سلول خورشیدی مورد بررسی قرار گرفت. از نتایج شبیه سازی، مشخص شده است که کاهش تراکم نقص لایه جاذب و بهبود پایداری Sn2+ از موضوعات کلیدی برای تحقیقات آینده هستند. هنگامی که ضخامت CH3NH3SnI3 500 nm باشد و حالت نقص 1×1014cm-3 باشد، عملکرد سلول بیشتر بهبود می یابد و ویِژگیهای بهینه خروجی سلول Voc = 0.917V ، Jsc = 33.148 mA-cm-2، FF = 80.02% و PCE = 23.93٪ می باشد.

آزمایش

     این مقاله مبتنی بر شبیه ساز ظرفیت سلول خورشیدی (SCAPS) (9)، یک نرم افزار شبیه سازی تک بعدی برای انواع سلول های خورشیدی است. این نرم افزار کاربرد گسترده ای در شبیه سازی پارامترهای دستگاه PSC و سایر ساختارهای سلول خورشیدی دارد. از معادله پواسون (معادله (1))، معادله پیوستگی الکترون (معادله (2))، و معادله پیوستگی حفره (معادله (3)) برای به دست آوردن سطح انرژی شبه فرمی حامل، ویژگی های سلول J-V و پاسخ طیفی استفاده شده است.

     که در اینجا ε گذردهی نسبی، NA+ و No+ غلظت پذیرنده و دهنده یونیزه، ψپتانسیل الکترواستاتیکی هستند، Pi و n1 به ترتیب نشاندهنده حفره های گرفته شده و الکترون های گرفته شده هستند، p و n به ترتیب نشان دهنده حفره های آزاد و الکترون های آزاد هستند، x مختصات موقعیت است، Jn و Jp به ترتیب چگالی جریان الکترون ها و حفره ها را نشان می دهند، Rn(x) و Rp(x) به ترتیب نرخ های پیچیده الکترون ها و حفره ها را نشان می دهند، G(x) نرخ تولید و q بار الکتریکی است.

     ساختار سلول خورشیدی پروسکایت بدون سرب که در این مقاله مورد بررسی قرار گرفته، در شکل 1 (a) نشان داده شده است. این ساختار از بالا به پایین شامل یک لایه انتقال حفره/Au الکترود پشتی، لایه جذب نور Cu2O/، لایه انتقال الکترون/ CH3NH3SnI3 ، ZnO/شیشه رسانای شفاف FTO است. در مقایسه با Ti2O، ZnO به عنوان یک لایه انتقال الکترون می تواند فیلم های بزرگتری را بدون تفجوشی در دمای بالا را تهیه کند، و از تحرک الکترونی بالاتری برخوردار است (10). Cu2O به عنوان یک لایه انتقال حفره در مقایسه با sprio-OMeTAD دارای مزایای غیر سمی بودن، هزینه کم و ساخت آسان است. شکل 1 (b) ساختار سطح انرژی و نمودار مهاجرت حامل را نشان می دهد. از شکل مشخص است که از ساختار سطح انرژی، موقعیت باند رسانای (CB) لایه جاذب نور CH3NH3SnI3 بالاتر از سطح نوار رسانایی ZnO است، و موقعیت باند ظرفیت (VB) بالاتر از سطح باند ظرفیت Cu2O است. وقتی نور لایه جذبی را تحریک می کند، حامل های جریان تولید شده نوری می توانند به طور موثری به باند هدایت ETM و باند ظرفیت HTM منتقل شوند. مشاهده می شود که ZnO، CH3NH3SnI3 و Cu2O می تواند به هماهنگی خوبی در سطح انرژی دست یابد که الزامات مهم طراحی ساختار سلول خورشیدی را برآورده می سازد.

طراحی مدارهای منطقی آتوماتای سلولی نقطه کوانتومی مبتنی بر یک مدل جایگزین

Designing ternary quantum-dot cellular automata logic circuits based upon an alternative model

چکیده

1. مقدمه

2. پس زمینه QCA دوگانه و سه گانه

3. طرح منطق سه گانه مطرح شده

4. گیت های سه گانه ساده پیشنهادی

5. مدارهای سه گانه پیشنهادی

6. نتیجه گیری

منابع

چکیده

     در حال حاضر در زمینه منطق چند گانه از منطق سه گانه به دلیل داشتن مزایای رقابتی نسبت به منطق دو گانه، در توسعه پیشرفته ترین سیستم های دیجیتال استفاده می شود. با وجود پیشرفت های حاصل شده در این حوزه، هنوز مدلی جامع که بتواند تاثیری عمیق بر روند چنین سیستم تازه تاسیسی داشته باشد ارائه نشده است. از این رو، در این مقاله سعی داریم با استفاده از مدل پیشنهادیمان به طراحی گیت های منطقی ماشین های خودکار سلولی کوانتومی-نقطه ای سه گانه ساده و مدارهای ترکیبی مانند افزایشگر ها بپردازیم. به منظور تایید مدارهای طراحی، مدارهای منطقی سه گانه را با استفاده از نرم افزار جدید TQCAsim شبیه سازی کردیم، تا بتوانیم بهره وری روش شبیه سازی را بدقت بررسی کنیم، همچنین برخی از گیت های مرسوم پیشین نیز شبیه سازی شدند. بعلاوه، عوامل موثری مانند، حوزه، مصرف انرژی، خطاپذیری، و هزینه نیز در مدارهای ارائه شده بررسی شدند. نتایج نشانگر این هستند که علاوه بر تعیین مشخصات، مدارهای طراحی شده نیز به آسانی در سیستم های دیجیتال قابل اجرا هستند.

پس زمینه QCA دوگانه و سه گانه

     سلول دوگانه کوانتومی-نقطه ای یک سلول مربعی شکل با 4 نقطه کوانتومی می باشد که 4 نوک سلول را اشغال کرده اند. بر اساس قانون دفع کولن دو الکترون فقط می توانند دو سمت مخالف یکدیگر را در سلول اشغال کنند. بنابر این هر سلول می تواند دارای حالت قطبی p=1 یا p=2 با حالت دوگانگی 1 و 0 باشد. برخلاف حوزه دوگانه، در MVL، هر ذره می تواند دارای بیش از یک عدد باشد و در مقایسه با دوگانگی اطلاعات بیشتری می تواند در حافظه MVL ذخیره شود. هزینه کم و آنالیز عددی سریعتر از دیگر مزایای مدارهای MVL می باشند. یک بحث مهم در رابطه با MVL، منطق سه گانه (3) می باشد که می تواند دارای مقادیر “صحیح”، “غلط” و “ناشناخته” (یعنی منطق لوکاسیویتز، کلین و پریست) باشد. منطق سه گانه با منطق دو گانه مساویست و حتی از برخی جهات بهتر از آن است. منطق سه گانه دارای این مزیت ها می باشد: (1) دارای کمترین پیچیدگی میان MVL ها (سادگی)؛ (2) توانایی ذخیره اطلاعات بیشتر در مقایسه با منطق دوگانه مرسوم؛ (3) سرعت بالا؛ (4) عملکرد عالی؛ (5) پایین بودن هزینه. بنابر این استفاده از این منطق می تواند دارای مزایایی در دستگاه های محاسباتی مدرن باشد.

     شایان ذکر است که، یکی از سیستم های منطقی سه گانه کم هزینه قابل مقایسه با سه گانه متعادل، منطق کلین است. گیت های منطق ساده ای همچون گیت های اقلیت (and)، اکثریت (or)، و معکوس کننده (not) در منطق کلین و منطق سه گانه متعادل یکسان می باشند. طبیعتا، تمامی مدارهای سه گانه با استفاده از این گیت های ساده بکارگیری می شوند، از این رو نتایج مدارهای ارائه شده ما در منطق کلین نیز صحیح می باشند. اطلاعات بیشتر در رابطه با این منطق را می توانید از طریق (11) بدست آورید.

     مشهورترین سلول سه گانه کوانتومی-نقطه ای دارای 8 چاه کوانتومی در یک شکل دایره ای و یک جفت الکترون است که می توانند بین این چاه ها به راحتی حرکت کنند. بر اساس نیروی دفعی کولن، یک جفت الکترون همیشه در دورترین فاصله ممکن از یکدیگر به سر می برند. به سبب ساختار سلول، این الکترون ها می توانند در 4 موقعیت مختلف قرار گیرند. هر موقعیت مساویست با یک حالت منطقی مانند -1, +1, و 0 (سه گانه متعادل) و یا 0، 1، 2/1، 2/1 یا 0، 0، 1، 2 (سه گانه نا متعادل). توجه کنید که، دو موقعیت متفاوت دارای مقادیر یکسانی هستند. الکترون ها اجازه دارند داخل یک سلول حرکت کنند، بنابراین، میان سلولهای QCA مجاور هیچ انتقال الکترونی انجام نمی گیرد، از این رو جریان از یک سلول به سلول دیگر در حال گردش است.

روشن سازی مکانیزم رسوب پاشش سرد با استفاده از ارزیابی طیف بینی الکترون اوژه از سطح مشترک پیوندی قشر اکسیدی

Elucidation of Cold-Spray Deposition Mechanism by Auger Electron Spectroscopic Evaluation of Bonding Interface Oxide Film

چکیده

1 مقدمه

2 روش آزمایشی

2.1 شرایط پاشش سرد

2.2 آزمایش چسبندگی کششی کوچک

2.3 تجزیه طیف بین الکترون اوژه (AES)

3 نتایج و شرح مطلب

3.1 استحکام چسبندگی رسوب سرد پاشش شده

3.2 مشاهده SEMسطح مشترک شکستگی

3.3 ارزیابی AES درمورد اکسید باقیمانده برروی سطح مشترک رسوب

3.4 خصوصیات منطقه خوب پیوند شده

3.5 منطقه خوب پیوند یافته که در آن اکسید حذف می شود

4 نتیجه گیری

منابع

چکیده

رابطه بین مکانیزم رسوب پاشش سرد، ریز ساختار، و استحکام حاصل از قشر باید برای این فرآیند ابتکاری فهمیده شود تا بتواند عملی شود. مطالعات قبلی نشان داده که مکانیسم پوشش دهی بر قطع شدگی قشر اکسید طبیعی متکی است، به طوری که پیوند فلزی از طریق تماس مستقیم بین سطوح فلز رخ می دهد. در این مطالعه، مدل پیشنهادی بصورت آزمایشی با استفاده از آزمایش چسبندگی کششی کوچک و تجزیه طیف بین الکترون اوژه از سطح مشترک پیوندی تایید شده است. از آنجا که تغییر شکل برشی در نوک ( قطب جنوب) ذرات ورودی اتفاق نمی افتد، قشر اکسیدی شکسته نمی شود، بطوریکه استحکام پیوند ضعیف است. در مقابل، در لبه بیرونی ذره با حفظ سطح استحکامی که به علت تغییر شکل خمیری بزرگ از ماده مبنا تجاوز می کند پیوند فلزی رخ می دهد. این پدیده به عنوان «مشکل قطب جنوب» شناخته می شود و با وجود اینکه چسبندگی موضعی قوی است می تواند منجر به کاهش استحکام چسبندگی کلی شود. با این حال، مشاهدات دقیق در بخش هایی از رسوبات، ذراتی را نشان داد که در سرتاسر تمام سطح خود چسبیده بودند. این امر اشاره می کند که حالت تلاقی ایجاد شده می تواند کنترل شده باشد، از این رو می توان بر مشکل قطب جنوب غلبه کرد و استحکام چسبندگی را بهبود بخشید.

1. مقدمه

روش پاشش سرد (CS) یک روش کاملا جدیدی از رسوب ذرات است [1-3]. مهمترین ویژگی این روش این است که ذرات ذوب نمی شوند. بدین معنی که ذرات فلزی با قطر چند میکرومتر تا ده ها میکرومتر، بر زیرلایه (بستر) تاثیر می گذارند و با حفظ حالت جامد،  رسوبی را شکل می دهد که می تواند به لایه ایی با ضخامت ده ها میکرومتر به چند سانتیمتر ضربه وارد کند. این فرآیند با ذوب فلز همراه نیست و مزایای زیادی را در نتیجه متفاوت بودن از روش های معمول پاشش حرارتی ارائه می کند. بنابراین، انتظار می رود که به عنوان ساخت-بعدی بهسازی-سطح و تکنولوژی تولید افزایشی پذیرفته شود (4،5(.

4. نتیجه گیری

استحکام چسبندگی سطحی رسوب مس پاشش سرد شده روی یک زیرلایه آلومینیومی با انجام آزمایش های کششی اندازه گیری شد. این آزمایش ها سطح مشترک پیوندی ایجاد شده توسط آزمایش های چسبندگی را با نتایج تجزیه های عنصری نشان دادند.

تجزیه عنصری بر سطوح شکستگی با استفاده از یک تجزیه گر AES انجام شد که وضوح بسیار بیشتری نسبت به روش SEM-EDX ارائه می دهد و رابطه بین وضعیت قشر اکسید طبیعی نازک در سطح مشترک و استحکام چسبندگی مورد بررسی قرار گرفت.

Abstract

The relationship between the cold spray deposition mechanism, microstructure, and strength of the resulting film must be understood for this innovative process to be practical. Previous studies have suggested that the coating mechanism is reliant on breaking the natural oxide film such that metallic bonding occurs through direct contact between the metal surfaces. In this study, the proposed model was experimentally verified by a small tensile adhesion test and auger electron spectroscopy analysis of the bonding interface. Since shear deformation does not occur at the tip (south pole) of the incoming particle, the oxide film is not broken, such that the bonding strength is weak. In contrast, at the outer edge of the particle, metallic bonding occurs, attaining a level of strength that exceeds that of the base material due to the huge plastic deformation. This phenomenon is known as the “south-pole problem,” and can lead to a decrease in the overall adhesion strength despite the local adhesion being strong. However, detailed observations revealed, in parts of the deposits,particles that had adhered across their entire surface. This suggests that, provided the collision state can be controlled, it is possible to overcome the south-pole problem and improve the adhesion strength.

1. Introduction

The cold-spray (CS) method is a completely new particle deposition method [1–3]. The most important feature of this method is that the particles are not melted. That is, metallic particles with a diameter of several micro-meters to several tens of micro-meters impact a substrate and, while remaining solid, form a deposit that can be built up into a layer with a thickness of several tens of micro-meters to several centimeters. The process does not involve the melting of the metal, and offers many advantages as a result of being fundamentally different from conventional thermalspraying methods. Therefore, it is expected to be adopted as a next-generation surface-modification and additive manufacturing technology [4,5].

4. Conclusion

The interfacial adhesion strength of a cold-sprayed copper deposition on an aluminum substrate was measured by performing tensile tests. These tests exposed the bonding interface, produced by the adhesion tests, with the results being superior to those of elemental analysis.

Elemental analyses were performed on the fracture surfaces using an AES analyzer, which offers a much better resolution than the SEM-EDX method, and the relationship between the state of the thin natural oxide film at the interface and the adhesion strength was evaluated.

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

روشن سازی مکانیزم رسوب پاشش سرد با استفاده از ارزیابی طیف بینی الکترون اوژه از سطح مشترک پیوندی قشر اکسیدی

Elucidation of Cold-Spray Deposition Mechanism by Auger Electron Spectroscopic Evaluation of Bonding Interface Oxide Film

شبیه سازی OLED های دارای لایه انتقال الکترون قطبی

Simulation of OLEDs with a polar electron transport layer

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

شبیه سازی OLED های دارای لایه انتقال الکترون قطبی

Simulation of OLEDs with a polar electron transport layer

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

افزایش بستر تومور از تومورهای عمیق در مراحل اولیه سرطان سینه: مطالعه ای برنامه ریزی شده بین پرتوهای الکترون، فوتون و پروتون

Boosting the tumor bed from deep-seated tumors in early-stage breast cancer: A planning study between electron, photon, and proton beams

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

افزایش بستر تومور از تومورهای عمیق در مراحل اولیه سرطان سینه: مطالعه ای برنامه ریزی شده بین پرتوهای الکترون، فوتون و پروتون

Boosting the tumor bed from deep-seated tumors in early-stage breast cancer: A planning study between electron, photon, and proton beams

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

بررسی های نظری بر روی تعاملات غیر پیوندی ضعیف C = S …CH2: کمپلکس های پیوند کالکوژنی با کاربن یکتایی بعنوان دهنده الکترون

Theoretical investigations on the weak nonbonded C=S···CH2 interactions: Chalcogen‐bonded complexes with singlet carbene as an electron donor

چکیده

1 مقدمه

2 جزئیات محاسبه

3 نتایج و بحث

3-1 پارامترهای هندسی و فرکانسهای ارتعاشی

3-2 انرژیهای برهمکنش

3-3 آنالیز AIM

3-4 آنالیز NBO

3-5 آنالیز تفکیک انرژی

4- نتیجه گیری

چکیده

در این مقاله، برهمکنشهای پیوندی غیرکووالانسی بین سیستمهای پای Cl2C=S, F2C=S , S=C=S, O=C=S و مولکول کاربن یکتایی CH2 بررسی میگردد. از این برهمکنشها، شش کمپلکس پیوند کالکوژنی بدست می آیند. مشاهده شده است که تمام فرکانسهای ارتعاشی پیوند C=S شیفت قرمز از خود نشان میدهند. فاکتورهایی مثل انرژی برهمکنش، خاصیت توپولوژیکی ترکیب ، دانسیته الکترونی و لاپلاسین آن و نیز برهمکنش دهنده – پذیرنده در این کمپلکسها بررسی میشوند. همه این نتایج نشان میدهند که یک برهمکنش غیرپیوندی ضعیف بین دهنده پیوند کالکوژنی و کاربن CH2 وجود دارد. نوعی آنالیز تفکیک انرژی، نیز برای افشای اینکه برهمکنش الکتروستاتیک فاکتور پایدار کننده اصلی در این کمپلکسهای غیرپیوندی است، انجام میشود.

4- نتیجه گیری
در این مقاله ما برهمکنشهای پیوندی غیر کووالانسی را بین مولکولهای Cl2C=S, F2C=S, S=C=S, O=C=S و مولکول CH2 یکتایی بررسی کردیم. شش کمپلکس کالکوژنی از این برهمکنشها بدست آمده اند. این نتیجه نیز بدست آمد که فرکانسهای ارتعاشی پیوند C=S به سمت نواحی قرمز (فرکانسهای پایین) شیفت پیدا می کنند . ما آنالیزهای AIM و NBO را برای این کمپلکسها انجام دادیم. همه این نتایج نشان دادند که برهمکنش غیرپیوندی ضعیفی بین گروه دهنده پیوند کالکوژنی و CH2 وجود دارد . نوعی آنالیز تفکیک انرژی نیز برای نشان دادن اینکه برهمکنش الکتروستاتیک عامل پایدار کننده اصلی این کمپلکسهاست ، انجام شده است.

Abstract

In this article, we explored the noncovalent bonding interactions between OCS, SCS, F2CS, Cl2CS, and singlet carbene. Six chalcogen‐bonded complexes were obtained. It is found that all the vibrational frequencies of CS bond presented a red shift character. Interaction energy, topology property of the electron density and its Laplacian, and the donor–acceptor interaction have been investigated. All these results show that there exists a weak nonbonded interaction between the chalcogen bond donor and CH2. An energy decomposition analysis was performed to disclose that the electrostatic interaction is the main stabilized factor in these nonbonded complexes.

4- Conclusion

In this article, we explored the noncovalent bonding interactions between O==C==S, S==C==S, F2C==S, Cl2C==S, and singlet carbene. Six chalcogen-bonded complexes were obtained. It is found that all the vibrational frequencies of C==S bond presented a red shift character. We carried out AIM and NBO analyses for these complexes. All these results show that there exists a weak nonbonded interaction between the chalcogen bond donor and CH2. An energy decomposition analysis was performed to disclose that the electrostatic interaction is the main stabilized factor in these nonbonded complexes.

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

بررسی های نظری بر روی تعاملات غیر پیوندی ضعیف C = S …CH2: کمپلکس های پیوند کالکوژنی با کاربن یکتایی بعنوان دهنده الکترون

Theoretical investigations on the weak nonbonded C=S···CH2 interactions: Chalcogen‐bonded complexes with singlet carbene as an electron donor

ماهیت پیوند هالوژنی : بررسی مبتنی بر آنالیز توپولوژیکی لاپلاسین دانسیته بار الکترونی و تحلیل تفکیک انرژی

Nature of halogen bonding. A study based on the topological analysis of the Laplacian of the electron charge density and an energy decomposition analysis

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

ماهیت پیوند هالوژنی : بررسی مبتنی بر آنالیز توپولوژیکی لاپلاسین دانسیته بار الکترونی و تحلیل تفکیک انرژی

Nature of halogen bonding. A study based on the topological analysis of the Laplacian of the electron charge density and an energy decomposition analysis

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

پیوند هالوژنی: حفره سیگما

Halogen bonding: the σ-hole

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

پیوند هالوژنی: حفره سیگما

Halogen bonding: the σ-hole

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

کریستالوگرافی الکترونی برای مطالعات ساختاری و عملکردی پروتئین های غشایی

Electron crystallography for structural and functional studies of membrane proteins

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

کریستالوگرافی الکترونی برای مطالعات ساختاری و عملکردی پروتئین غشایی

Electron crystallography for structural and functional studies of membrane proteins

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

ولکانیزات ترموپلاستیک (PP-EPDM (TPV با فراوری واکنشی الکترونی

PP-EPDM thermoplastic vulcanisates (TPVs) by electron induced reactive processing

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

ولکانیزات ترموپلاستیک (PP-EPDM (TPV با الکترون القا شده از پردازش واکنشی

PP-EPDM thermoplastic vulcanisates (TPVs) by electron induced reactive processing

• برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
• برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.