گروه آموزشی ترجمه فا اقدام به ارائه ترجمه مقاله با موضوع ” ابزار CAD برای مدلینگ مدارهای ترانزیستور RF / میکروویو کارآمد ” در قالب فایل ورد نموده است که شما عزیزان میتوانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و نیز مطالعه نمونه ترجمه و سایر مشخصات، ترجمه را خریداری نمایید.
دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
عنوان فارسی مقاله: |
ابزار CAD برای مدلسازی ترانزیستور میکروویو/ RF و طراحی مدار |
عنوان انگلیسی مقاله: |
CAD tools for efficient RF/microwave transistor modeling and circuit design |
|
مشخصات مقاله انگلیسی (PDF) | |
سال انتشار مقاله | 2010 |
تعداد صفحات مقاله انگلیسی | 12 صفحه با فرمت pdf |
رشته های مرتبط با این مقاله | مهندسی برق |
گرایش های مرتبط با این مقاله | افزاره های میکرو و نانو الکترونیک، مکاترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی و مهندسی الکترونیک |
مجله مربوطه | پردازش سیگنال و مدارهای مجتمع آنالوگ – Analog Integrated Circuits and Signal Processing |
دانشگاه تهیه کننده | دانشگاه اوتاوا، کانادا |
کلمات کلیدی این مقاله | منطق فازی، شبکه های عصبی، CAD، FET، HBT، KBNN، PKI، دامنه زمانی |
رفرنس | دارد |
شناسه شاپا یا ISSN | ISSN 1573-1979 |
لینک مقاله در سایت مرجع | لینک این مقاله در سایت Springer |
نشریه | اسپرینگر – Springer |
مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word) | |
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت 14 B Nazanin | 21 صفحه |
ترجمه عناوین تصاویر و جداول | ترجمه شده است |
ترجمه متون داخل تصاویر | ترجمه نشده است |
ترجمه متون داخل جداول | ترجمه نشده است |
درج تصاویر در فایل ترجمه | درج شده است |
درج جداول در فایل ترجمه | درج شده است |
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس | درج شده است |
- فهرست مطالب:
چکیده
1. مقدمه
2. شبکه های عصبی و عصبی فازی
3. مدلسازی ترانزیستور دامنه فرکانس
4 مدلسازی ترانزیستور دامنه فرکانس: مثال ها
4.1 مثال 1: MESFET با داده های شبیه سازی شده
4.2 مثال 2: PHEMT با داده های اندازه گیری شده
4.3 مثال 3: HBT
5 مدلسازی مدار و طراحی
6 مباحثاتی درباره روش ارائه شده
7 مدلسازی ترانزیستور دامنه زمان: مثال
8 نتیجه گیری
- بخشی از ترجمه:
7 مدلسازی ترانزیستور دامنه زمان: مثال
دو روش ارائه شده دامنه زمان و دامنه فرکانس برای مشخص ساختن MESFET NE71000 [37] از 1 تا 40 GHz استفاده می شوند.
همانطور که در شکل 18 گزارش شد و بر اساس روش عصبی فازی، این نتیجه حاصل می شود که توپولوژی #2 مناسب ترین مدار معادل برای مجموعه داده شده از الگوهای- S اندازه گیری شده است. با اینحال، برخی از تفاوت ها در بخش بالاتر از طیف فرکانس (بین 35 و40 GHz) نشان داده شده است. در این طیف و مطابق با آن چیزی که مورد انتظار است، مقادیر پارامتر – S به دست آمده توسط روش دامنه زمان در توافق بهتری با داده اندازه گیری شده در مقایسه با داده های به دست آمده توسط روش عصبی فازی هستند.
- بخشی از مقاله انگلیسی:
7 Time-domain transistor modeling: example
The two frequency- and time-domain proposed methods were used to characterize the MESFET NE71000 [37] from 1 to 40 GHz. As reported in Fig. 18 and based on the fuzzy-neural approach, topology #2 was found to be the most suitable equivalent circuit for the given set of measured S-parameters. However, some discrepancies can be shown at the higher part of the frequency spectrum (between 35 and 40 GHz). In this range and as expected, the S-parameter values obtained by the time-domain approach agreed better with measured data than those obtained by the fuzzy-neural method.
تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد |
|
دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
عنوان فارسی مقاله: |
ابزار CAD برای مدلینگ مدارهای ترانزیستور RF / میکروویو کارآمد |
عنوان انگلیسی مقاله: |
CAD tools for efficient RF/microwave transistor modeling and circuit design |
|