| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
ترانزیستورهای نانو لوله کربنی اثر-میدانی برای مدارهای دیجیتال عملکرد بالا: تحلیل و مدلسازی DC نسبت به ساختار بهینه ترانزیستور |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Carbon Nanotube Field-Effect Transistors for High-Performance Digital Circuits—DC Analysis and Modeling Toward Optimum Transistor Structure |
|
|
| مشخصات مقاله انگلیسی (PDF) | |
| سال انتشار | 2006 |
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی | 7 صفحه با فرمت pdf |
| رشته های مرتبط با این مقاله | مهندسی برق |
| گرایش های مرتبط با این مقاله | مهندسی الکترونیک، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک، سیستم های الکترونیک دیجیتال و مکاترونیک |
| مجله | نتایج و یافته ها در حوزه دستگاه های الکترونی |
| دانشگاه | دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه پوردو، ایالات متحده آمریکا |
| کلمات کلیدی | ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی (CNFETs)، تجزیه و تحلیل DC، مدارهای عملکرد بالا، مدل سازی، حاشیه نویز، نوسان ولتاژ |
| شناسه شاپا یا ISSN | ISSN 0018-9383 |
| رفرنس | دارد |
| لینک مقاله در سایت مرجع | لینک این مقاله در سایت IEEE |
| نشریه | IEEE |
| مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word) | |
| تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت 14 B Nazanin | 15 صفحه |
| ترجمه عناوین تصاویر و جداول | ترجمه شده است |
| ترجمه متون داخل تصاویر | ترجمه نشده است |
| ترجمه متون داخل جداول | ترجمه نشده است |
| درج تصاویر در فایل ترجمه | درج شده است |
| درج جداول در فایل ترجمه | درج شده است |
| درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس | درج شده است |
- فهرست مطالب:
چکیده
1-مقدمه
2-برآورد توان CNFETS: کاربرد هایی برای مقیاس گذاری تکنولوژی
3- استراتژی شبیه سازی
4-شبیه سازی بهینه CNFET-DC، حاشیه نویز، و نوسان ولتاژ
5-نتیجه گیری
- بخشی از ترجمه:
5-نتیجه گیری
در این مقاله، الکترونیک مبتنی بر CNT را برای طراحی مدار دیجیتال تجزیه و تحلیل کردیم. ما CNFET های مختلفی را برای سوئیچ بهینه بررسی کردیم. CNFET های SB، CNFET های MOS MOSFE، های Si مدرن، به طور سیستماتیک از دیدگاه طراحی مدار / سیستم مقایسه شدند. اطلاعات ترانزیستور Ion در مقابل IOFF نشان می دهد که در ولتاژهای منبع کم CNFET های SB بهتر از MOSFET های Siعمل می کند، در حالی که در ولتاژهای منبع بالاتر، وضعیت معکوس می شود. محیط شبیه سازی شامل شرح دیوایس اتمیستی و حل کننده مدار مبتنی بر مراجعه به جدول مورد استفاده قرار گرفته است. تجزیه و تحلیل DC نحوه تغییر حاشیه نویز و نوسان ولتاژ را به عنوان تابعی از قطر لوله و ولتاژ توان منبع تعیین کرد. اطلاعات ما نشان می دهد که ما باید با قطر لوله حدود 1 نانومتر در ولتاژهای منبع کمتر از 1-V عمل کنیم. تجزیه و تحلیل ما از ساختارهای ترانزیستور SB CNFET تک لوله عملکرد بالا نشان داد که 1 تا 1.5 نانومتر برای کاربردهای دیجیتال با سرعت بالا قطر CNT بهینه است. با وجود چندین موانع تکنولوژیکی جدی، CNT ها با قابلیت جریان بالای خود پتانسیل جهت بهبود عملکرد نشان می دهند. با این حال، برای بهبود عملکرد لوله های نیمه هادی، و رشد نانولوله ها در یک جهت از پیش تعیین شده با کنترل خوب ضخامت قطر (برای کنترل تغییرات)، تحقیقات بیشتری بر روی کیفیت مواد نانو لوله های کربنی مورد نیاز است.
- بخشی از مقاله انگلیسی:
V. CONCLUSION
In this paper, we have analyzed the promise that CNTbased electronics hold for digital circuit design. We investigated different CNFETs for an optimal switch. SB CNFETs, MOS CNFETs, and state-of-the-art Si MOSFETs were systematically compared from a circuit/system design perspective. Transistor ION versus IOFF data show that SB CNFETs outperform Si MOSFETs at low supply voltages, while at higher supply voltages, the situation is reversed. A simulation environment incorporating an atomistic device description and a lookup-tablebased circuit solver has been used. DC analysis determined how noise margin and voltage swing vary as a function of tube diameter and power-supply voltage. Our data suggest that we should operate at lower than 1-V supply voltages with tube diameter of around 1 nm. Our analysis of high-performing single-tube SB CNFET transistor structures revealed that 1 to 1.5 nm is the optimum CNT diameter for high-speed digital applications. Despite several serious technological barriers, CNTs with their high-current capability show a potential for performance improvement. However, further research is required on material quality of the CNTs, on improving the yield of semiconducting tubes, and on the growth of the nanotubes in a predetermined direction with good control of diameter thickness (for control of variation).
|
تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد |
|
|
| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
آنالیز DC نسبت به ساختار بهینه ترانزیستور |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Carbon Nanotube Field-Effect Transistors for High-Performance Digital Circuits—DC Analysis and Modeling Toward Optimum Transistor Structure |
|
|