| عنوان فارسی مقاله: | بررسی فرکانس رادیویی ترانزیستور سیموس 0.18 um |
| عنوان انگلیسی مقاله: | RF Characteristics of 0.18um CMOS Transistors |
| دانلود مقاله انگلیسی: | برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf اینجا کلیک نمائید |
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی | 4 صفحه |
| تعداد صفحات ترجمه مقاله | 9 صفحه |
| سال انتشار | 2002 |
| مجله | مجله کره ای انجمن فیزیک |
| دانشگاه | دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه علم و صنعت کره جنوبی |
فهرست مطالب:
1 مقدمه
2 اندازه‌گیری‌ها
3 نتایج و بحث‌ها
4 نتیجه
بخشی از ترجمه:
2. اندازه‌گیری‌ها
تعداد انگشت‌شماری از انواع MOSFET با یک پیکربندی منبع-مشترک وجود دارند. پارامترهای پراکندگی در وسایل با طول‌های مختلف واحد انگشت اندازه‌گرفته شده است (Lf). اندازه‌گیری‌های پارامترهای پراکندگی در محدوده فرکانس 0.5 تا 50 GHz بااستفاده از پروب RF برروی ویفر و بردار HP8510c تحلیل‌گر شبکه (VNA) انجام شده‌است. سطح توان موج القایی برابر 10 dBm است. پد زمین-سیگنال-زمین (GSG) استفاده‌شده‌است. کالبیره‌سازی سیستم با ISS ( بستر استاندارد امپدانس) برای بسط طرح مرجع به نکات پروب انجام گرفته‌است. دو مرحله تعبیه‌سازی، شامل تعبیه‌سازی باز و کوتاه است، مجاز است.
4. نتیجه
نشان دادیم که NMOSFET برای شرایط طرح‌های متقاوت دارای فرکانس قطع از 50GHz به 80GHz است . pMOSFET دارای فرکانس قطع 40GHz با مجموع پهنای و طول انگشت واحد است، که نشان می‌دهد که nMOSFET زیرمیکرونی کاندید ممکن برای کاربردهای RF است. fT و fmax با تعداد افزایش انگشتان، به ترتیب کاهش و افزایش می‌یابند
بخشی از مقاله انگلیسی:
II. MEASUREMENT
Multi-finger type MOSFETs were laid out with a common-source configuration. Scattering parameters were measured in devices with various unit finger lengths (Lf ). Measurements of the scattering parameters were carried out in the frequency range of 0.5∼50 GHz by using on-wafer RF probes and a HP8510C vector network analyzer (VNA). The power level of the incident wave was -10 dBm. A ground-signal-ground (GSG) pad was used. System calibration with an ISS (impedancestandard substrate) was done to extend the reference plane to the probe tips. Two-step de-embedding, which includes open and short de-embedding, was performed.
IV. CONCLUSIONS
We have shown that 0.18-µm nMOSFETs have cutoff frequencies from 50 GHz to 80 GHz for different layout conditions and 0.18-µm pMOSFETs have a 40 GHz cutoff frequecny with a total width of 100 µm and unit finger length of 5 µm, which indicates that submicron MOSFETs are possible candidate for RF applications. fT and fmax decreased and increased, respectively, with number increase of the fingers.
| عنوان فارسی مقاله: | بررسی فرکانس رادیویی ترانزیستور سیموس 0.18 |
| عنوان انگلیسی مقاله: | RF Characteristics of 0.18-m CMOS Transistors |
