این مقاله انگلیسی ISI در نشریه آی تریپل ای در سال 2019 منتشر شده که 5 صفحه می باشد، ترجمه فارسی آن نیز 12 صفحه میباشد. کیفیت ترجمه این مقاله عالی بوده و به صورت کامل ترجمه شده است.
| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی | |
| عنوان فارسی مقاله: |
بررسی عملکرد LDO بدون خازن با انواع مختلف مقاومت |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Study on Performance of Capacitor-less LDO with Different Types of Resistor |
|
|
|
| مشخصات مقاله انگلیسی | |
| نشریه | آی تریپل ای – IEEE |
| سال انتشار | 2019 |
| فرمت مقاله انگلیسی | pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش |
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی | 5 صفحه |
| نوع مقاله | ISI |
| نوع ارائه مقاله | ژورنال |
| رشته های مرتبط با این مقاله | مهندسی برق |
| گرایش های مرتبط با این مقاله | مهندسی الکترونیک – الکترونیک قدرت – ابزارهای میکرو و نانو الکترونیک |
| چاپ شده در مجله (ژورنال) | International Circuits and Systems Symposium |
| کلمات کلیدی | LDO بدون خازن – مقایسه عملکرد LDO بدون خازن – مقایسه نوع مقاومت LDO |
| کلمات کلیدی انگلیسی | capacitor-less LDO – capacitor-less LDO performance comparison – LDO resistor type comparison |
| نویسندگان | Wan Maziyah Ab. Halim – Julie Roslita Rusli – Suhaidi Shafie |
| شناسه دیجیتال – doi | https://doi.org/10.1109/ICSyS47076.2019.8982395 |
| لینک سایت مرجع | https://ieeexplore.ieee.org/document/8982395 |
| بیس | نیست ☓ |
| مدل مفهومی | ندارد ☓ |
| پرسشنامه | ندارد ☓ |
| متغیر | ندارد ☓ |
| فرضیه | ندارد ☓ |
| رفرنس | دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله ✓ |
| کد محصول | 12588 |
| مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله | |
| فرمت ترجمه مقاله | ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش و pdf |
| وضعیت ترجمه | ترجمه شده و آماده دانلود |
| کیفیت ترجمه | عالی (مناسب استفاده دانشگاهی و پژوهشی) |
| تعداد صفحات ترجمه | 12 صفحه با فونت 14 B Nazanin |
| ترجمه عناوین تصاویر و جداول | ترجمه شده است ✓ |
| ترجمه متون داخل تصاویر | ترجمه نشده است ☓ |
| ترجمه متون داخل جداول | ترجمه نشده است ☓ |
| ترجمه ضمیمه | ندارد ☓ |
| درج تصاویر در فایل ترجمه | درج شده است ✓ |
| درج جداول در فایل ترجمه | درج شده است ✓ |
| درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه | ندارد ☓ |
| منابع داخل متن | به صورت عدد درج شده است ✓ |
| منابع انتهای متن | به صورت انگلیسی درج شده است ✓ |
| فهرست مطالب |
|
چکیده 1 معرفی 2 طراحی LDO 3 روش شناسی طراحی و تست 4 نتایج و بحث 5 نتیجه گیری منابع |
| بخشی از ترجمه |
|
چکیده در این مقاله تاثیر استفاده از انواع مختلف مقاومت در رگولاتور (تنظیم کننده) ولتاژ با افت خروجی کم (LDO) و بدون خازن، از نظر ویژگی های اصلی عملکرد بررسی می شود. به منظور دستیابی به این امر، یک رگولاتور ولتاژ LDO 1.8 ولتی طراحی شده است و با استفاده از تکنولوژی CMOS 180 نانومتر شبیه سازی شده است و ولتاژ تغذیه آن 3.3 ولت است. شبیه سازی ها در سطح شماتیک در نرم افزار کیدنس برای پنج نوع مختلف مقاومت در یک LDO یکسان، انجام شده است و عملکرد آن ها از نظر دقت ولتاژ خروجی، پایداری و نسبت حذف منبع تغذیه (PSRR) مقایسه شده است. با توجه به نتایج شبیه سازی، تفاوتهای قابل توجهی در عملکرد LDOها با انواع مختلف مقاومت مشاهده شده است. LDO با مقاومت hpoly بهترین نتایج را از نظر پایداری نشان می دهد، در حالی که LDO با مقاومت pdiffb بالاترین PSRR را دارد.
2-طراحی LDO A- طراحی زیر-مدارهای LDO LDO در این مقاله از یک ساختار آپ-امپ تفاضلی تک طبقه برای تقویت کننده خطای خود، استفاده کرده است که در شکل 2 نشان داده شده است. این ساختار به دلیل سادگی طراحی و پایداری انتخاب شده است [6]. ترانزیستور گذر مورد استفاده در LDO، یک PMOS است. PMOS به عنوان ترانزیستور گذر، در اکثر LDOها بطور گسترده ای مورد استفاده قرار می گیرد، این به دلیل مشخصه عملکرد آن است که وقتی که ولتاژ گیت بواسطه یک ولتاژ آستانه از ولتاژ سورس کمتر باشد، ترانزیستور روشن می شود. این امر آن را برای سیستم های با ولتاژ تغذیه کم، که در حال حاضر در بیشتر طرح های مدار مجتمع وجود دارد، مناسب می سازد [7]، زیرا تکنولوژی CMOS با گذشت زمان از نظر مقیاس کوچکتر می شود. اگر NMOS به عنوان ترانزیستور گذر استفاده شود، به یک ولتاژ بالاتر که برای روشن کردن ترانزیستور گذر کاملا کافی باشد، نیاز است. اگر ولتاژ تغذیه به اندازه کافی بزرگ نباشد، مدارهای مکمل برای افزایش ولتاژ گیت مورد نیاز است.
همان طور که در شکل 1 نشان داده شده است، دو مقاومت برای شبکه فیدبک در LDO استفاده شده است. در این طرح مقدار VREF برابر 1.2 ولت است و گره فیدبک LDO را روی این ولتاژ تنظیم می کند. برای حفظ جریان از پیش تنظیم شده 10μA که از دو مقاومت عبور می کند، یک مقاومت 120kΩ برای R2 مورد نیاز است. برای تولید ولتاژ خروجی 1.8 ولت در LDO، R1 در 60kΩ تنظیم شده است. با یک خازن بار 100pF تنظیم جریان بار برای شبیه سازی 10mA است. ظرفیت خازنی بار براساس LDOهای بدون خازن در دسترس، تعیین شد [8,9].
B- انواع مقاومت تست شده انواع مختلف مقاومت در کتابخانه فرآیندCMOS 180nm در دسترس است. مقاومت هایی با مقدار مقاومت کوچکتر وجود دارند (در محدوده ده ها اهم تا کیلو اهم) در حالی که مقاومت هایی که می توانند مقادیر مقاومت بزرگتری را فراهم کنند، نیز وجود دارد (تا محدوده مگا اهم). هر نوع مقاومت دارای عنصر پارازیتی مخصوص به خود است که توسط قواعد طراحی و استانداردهای تکنولوژی مدل شده است، که این به این معنی است که پارازیتی ها هنگام شبیه سازی مقاومت در نظر گرفته می شوند. مقاومت های آزمایش شده در این مقاله، همه در دسته مقاومت های بزرگتر هستند، همچنین مقاومت های R1 و R2 در محدوده ده ها و صدها کیلو اهم هستند. مقاومت های تست شده که به مرحله نهایی رسیدند پنج نوع هستند که در زیر ذکر شده است: |