| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رژیم با طول گیت 20 نانومتر |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Complementary silicide source/drain thin-body MOSFETs for the 20nm gate length regime |
|
|
| مشخصات مقاله انگلیسی (PDF) | |
| سال انتشار | 2000 |
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی | 4صفحه با فرمت pdf |
| رشته های مرتبط با این مقاله | مهندسی برق |
| گرایش های مرتبط با این مقاله | الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، برق قدرت و مهندسی الکترونیک |
| دانشگاه | گروه مهندسی برق و علوم کامپیوتر، دانشگاه کالیفرنیا، برکلی |
| رفرنس | دارد |
| لینک مقاله در سایت مرجع | لینک این مقاله در سایت IEEE |
| نشریه | IEEE |
| مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word) | |
| تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت 14 B Nazanin | 11 صفحه |
| ترجمه عناوین تصاویر | ترجمه شده است |
| ترجمه متون داخل تصاویر | ترجمه نشده است |
| درج تصاویر در فایل ترجمه | درج شده است |
| درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس | درج شده است |
| منابع داخل متن | به صورت عدد درج شده است |
- فهرست مطالب:
چکیده
مقدمه
ساخت دستگاه
خواص دستگاه
مدل انتقال
تجزیه و تحلیل / بحث
نتیجه گیری
- بخشی از ترجمه:
نتیجه گیری
مکمل سیلیسید بدنه نازک دستگاه های سورس / درین با ویژگی های خاموش عالی با طول گیت 15نانومتر نشان داده شده است. منبع / درین PtSi و ErSi1.7 برای PMOS و NMOS به ترتیب ساخته شده است. مدل انتقال ساده متناسب با دستگاه داده ها و سطح فعلی بالستیک را می توان با استفاده از یک اکسید A20 و 3E19 cm-3 پیش بینی کرد و بدست آورد.
- بخشی از مقاله انگلیسی:
Conclusion
Complementary thin-body silicide source/drain devices with excellent turn-off characteristics have been demonstrated down to 15nm gate-length. Source/drains are fabricated from PtSi and ErSi1.7 for PMOS and NMOS respectively. A simple transmission model fits device data and predicts that ballistic current levels can be obtained with the use of a 20Å oxide and 3E19 cm-3 extension doping.
|
تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد |
|
|
| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رژیم با طول گیت 20 نانومتر |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Complementary silicide source/drain thin-body MOSFETs for the 20nm gate length regime |
|
|