دانلود ترجمه مقاله محاسبات زیرباند خود سازگاری از AlGaN / GaN – انتشارات وایلی

wiley3

 

 

گروه آموزشی ترجمه فا اقدام به ارائه ترجمه مقاله با موضوع ” محاسبات زیرباند خود سازگاری از AlGaN / GaN ” در قالب فایل ورد نموده است که شما عزیزان میتوانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و نیز مطالعه نمونه ترجمه و سایر مشخصات، ترجمه را خریداری نمایید.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

محاسبات زیرباند خود سازگاری از AlGaN / GaN ناهمگونی های منفرد

عنوان انگلیسی مقاله:

Self-Consistent Subband Calculations of AlGaN/GaN Single Heterojunctions

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار مقاله ۲۰۰۲
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۱۰ صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله مهندسی برق و فیزیک
گرایش های مرتبط با این مقاله مهندسی الکترونیک و فیزیک کاربردی
مجله مربوطه مجله ETRI
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در سایت Wiley
نشریه Wiley

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۱۷ صفحه
ترجمه عناوین تصاویر و جداول ترجمه نشده است
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه نشده است
ترجمه متون داخل جداول ترجمه نشده است
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس درج شده است

 


  • فهرست مطالب:

 

چکیده
I. مقدمه
II. قطبش پیزوالکتریک و خود به خودی
III. ساختار زیرباند
IV. نتیجه گیری

 


  • بخشی از ترجمه:

IV. نتیجه گیری
به طور خلاصه، مشخصات باندهای رسانا و ساختار زیرباند از ناهمگونی های منفرد AlGaN / GaN توسط یک روش عددی خود سازگاری محاسبه شده است. قطبش پیزوالکتریک و خود به خودی، و همچنین تعامل بسیاری از توده ها، به طور قابل توجهی از ساختار زیرباند از ناهمگونی های منفرد AlGaN / GaN تاثیـــر می گذارد. تمرکز صفحات الکترونی در ناهمگونی های AlGaN / GaN به طور حساسی وابسته به کسر مولی Al و عرض AlGaN و تقویت چگالی سد AlGaN است، در حالی که آن حساسیت بیشتری نسبت به غلظت پذیرنده در لایه GaN و درجه حرارت الکترون دارد. با این حال، غلظت پذیرنده GaN و دمای الکترون به طور قابل ملاحظه ای انرژی بالای زیرباندها را تحت تأثیر قرار می دهد. نتایج نظری تمرکز صفحات الکترونی به عنوان تابعی از کسر مولی Al با برخی از داده های تجربی موجود در محدوده x ≤ ۰٫۲۷ تطابق دارد.

 


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

 

IV. CONCLUSION

In summary, the conduction-band profile and subband structure of AlGaN/GaN single heterojunctions are calculated by a self-consistent numerical method. Piezoelectric and spontaneous polarization, as well as the many-body interaction, significantly affect the subband structure of AlGaN/GaN single heterojunctions. Electron sheet concentration at the AlGaN/GaN heterojunction is sensitively dependent on the Al mole fraction and the width of AlGaN and the doping density in the AlGaN barrier, while it is rather insensitive to the accepter concentration in the GaN layer and to the electron temperature. However, the acceptor concentration in the GaN and the electron temperature significantly affect the high energy subbands. The theoretical results of electron sheet concentration as a function of the Al mole fraction were in excellent agreement with some available experimental data available in the range of x ≤ ۰٫۲۷٫


 

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

محاسبات زیرباند خود سازگاری از AlGaN / GaN ناهمگونی های منفرد

عنوان انگلیسی مقاله:

Self-Consistent Subband Calculations of AlGaN/GaN Single Heterojunctions

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

 

خرید ترجمه فارسی مقاله

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *