گروه آموزشی ترجمه فا اقدام به ارائه ترجمه مقاله با موضوع ” ابزار CAD برای مدل سازی نویز از ترانزیستور اثر میدان میکروموج/ RF” در قالب فایل ورد نموده است که شما عزیزان میتوانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و نیز مطالعه نمونه ترجمه و سایر مشخصات، ترجمه را خریداری نمایید.
| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
ابزار CAD پیشرفته برای مدل سازی نویز از ترانزیستورهای اثر میدان میکروموج/ RF با عرض های دروازه بزرگ |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Advanced CAD tool for noise modeling of RF/microwave field effect transistors with large gate widths |
|
|
| مشخصات مقاله انگلیسی (PDF) | |
| سال انتشار مقاله | 2011 |
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی | 11 صفحه با فرمت pdf |
| رشته های مرتبط با این مقاله | مهندسی برق |
| گرایش های مرتبط با این مقاله | مهندسی الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، مدارهای مجتمع الکترونیک، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک و مکاترونیک |
| مجله مربوطه | پردازش سیگنال و مدارهای مجتمع آنالوگ – Analog Integrated Circuits and Signal Processing |
| دانشگاه تهیه کننده | دانشگاه اوتاوا، کانادا |
| کلمات کلیدی این مقاله | نویز، CAD، کوپلینگ، FET، اثرات موج، عرض |
| رفرنس | دارد |
| شناسه شاپا یا ISSN | 1573-1979ISSN |
| لینک مقاله در سایت مرجع | لینک این مقاله در سایت Springer |
| نشریه | اسپرینگر – Springer |
| مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word) | |
| تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت 14 B Nazanin | 19 صفحه |
| ترجمه عناوین تصاویر و جداول | ترجمه شده است |
| ترجمه متون داخل تصاویر | ترجمه نشده است |
| ترجمه متون داخل جداول | ترجمه نشده است |
| درج تصاویر در فایل ترجمه | درج شده است |
| درج جداول در فایل ترجمه | درج شده است |
| درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس | درج شده است |
- فهرست مطالب:
چکیده
1 مقدمه
2 مدل نویز FET ارائه شده
2.1 سه خط انتقال تهییج شده کوپل شده (مدل نویز توزیع شده)
2.2 منابع نویز درونی ترانزیستور
2.3 ماتریس همبستگی نویز ترانزیستور
3 الگوریتم های CAD برای آنالیز نویز از FETهای موج- میلی متری
3.1 اتصال شبکه چند پورته
3.2 ماتریس های نویز همبستگی و پراکندگی
4 نتایج عددی
5 مباحث
6 نتیجه گیری
- بخشی از ترجمه:
6 نتیجه گیری
با استفاده از یک الگوریتم CAD جدید، مدلسازی نویز و آنالیز FET میکروموج بصورتی کارآمد مطالعه می-شود. در واقع، از آنجا که تنها نصف طول FET، بجای کل ساختار استفاده می شود، زمان محاسباتی بطور قابل توجهی تحت تاثیر قرار می گیرد. همچنین، اجرای این تکنیک CAD در شبیه سازهای موج- میلی متری و میکروموج سرراست و مستقیم است و نتایج قابل اعتمادتری را برای عملکرد مدار شبیه تقویت کننده های نویز- پائین می دهد. همچنین، برای کاربردهای عملی، دستگاه های محیطی گیت بزرگ برای تولید سطوح قدرت خروجی کارآمد مورد استفاده قرار می گیرند. با افزایش محیط گیت (دروازه) دستگاه، اثر خود حرارتی و اثر به دام انداختن نقص هر دو عمیق تر می شود.
- بخشی از مقاله انگلیسی:
6 ConclusionUsing
a new CAD algorithm, the noise modeling andanalysis of microwave FET have efficiently been studied.In fact, since only half of a FET length is used, instead ofthe whole structure, the computation time will be signifi-cantly affected. Besides, the implementation of this CADtechnique in modern microwave and mm-wave simulatorsis straightforward and will give more reliable results forcircuit performance like low-noise amplifiers. Also, as forpractical applications, large gate periphery devices are usedto generate sufficient output power levels. With theincrease of the device gate periphery, the self-heatingeffect and the defect trapping effect will both be moreprofound.
|
تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد |
|
|
| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
ابزار CAD ارتقا یافته برای مدل سازی نویز از ترانزیستورهای اثر میدان میکروموج/ RF با عرض های گیت بزرگ |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Advanced CAD tool for noise modeling of RF/microwave field effect transistors with large gate widths |
|
|