دانلود ترجمه مقاله ابزار CAD برای مدلینگ مدارهای ترانزیستور RF / میکروویو کارآمد – نشریه اسپرینگر

springer4

 

 

گروه آموزشی ترجمه فا اقدام به ارائه ترجمه مقاله با موضوع ” ابزار CAD برای مدلینگ مدارهای ترانزیستور RF / میکروویو کارآمد ” در قالب فایل ورد نموده است که شما عزیزان میتوانید پس از دانلود رایگان مقاله انگلیسی و نیز مطالعه نمونه ترجمه و سایر مشخصات، ترجمه را خریداری نمایید.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

ابزار CAD برای مدلسازی ترانزیستور میکروویو/ RF و طراحی مدار

عنوان انگلیسی مقاله:

CAD tools for efficient RF/microwave transistor modeling and circuit design

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار مقاله ۲۰۱۰
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۱۲ صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله افزاره های میکرو و نانو الکترونیک، مکاترونیک، مدارهای مجتمع الکترونیک، الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی و مهندسی الکترونیک
مجله مربوطه پردازش سیگنال و مدارهای مجتمع آنالوگ – Analog Integrated Circuits and Signal Processing
دانشگاه تهیه کننده دانشگاه اوتاوا، کانادا
کلمات کلیدی این مقاله منطق فازی، شبکه های عصبی، CAD، FET، HBT، KBNN، PKI، دامنه زمانی
رفرنس دارد
شناسه شاپا یا ISSN ISSN ۱۵۷۳-۱۹۷۹
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در سایت Springer
نشریه اسپرینگر – Springer

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۲۱ صفحه
ترجمه عناوین تصاویر و جداول ترجمه شده است
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه نشده است
ترجمه متون داخل جداول ترجمه نشده است
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس درج شده است

 


  • فهرست مطالب:

 

چکیده
۱٫ مقدمه
۲٫ شبکه های عصبی و عصبی فازی
۳٫ مدلسازی ترانزیستور دامنه فرکانس
۴ مدلسازی ترانزیستور دامنه فرکانس: مثال ها
۴٫۱ مثال ۱: MESFET با داده های شبیه سازی شده
۴٫۲ مثال ۲: PHEMT با داده های اندازه گیری شده
۴٫۳ مثال ۳: HBT
۵ مدلسازی مدار و طراحی
۶ مباحثاتی درباره روش ارائه شده
۷ مدلسازی ترانزیستور دامنه زمان: مثال
۸ نتیجه گیری

 


  • بخشی از ترجمه:

 

۷ مدلسازی ترانزیستور دامنه زمان: مثال
دو روش ارائه شده دامنه زمان و دامنه فرکانس برای مشخص ساختن MESFET NE71000 [37] از ۱ تا ۴۰ GHz استفاده می شوند.
همانطور که در شکل ۱۸ گزارش شد و بر اساس روش عصبی فازی، این نتیجه حاصل می شود که توپولوژی #۲ مناسب ترین مدار معادل برای مجموعه داده شده از الگوهای- S اندازه گیری شده است. با اینحال، برخی از تفاوت ها در بخش بالاتر از طیف فرکانس (بین ۳۵ و۴۰ GHz) نشان داده شده است. در این طیف و مطابق با آن چیزی که مورد انتظار است، مقادیر پارامتر – S به دست آمده توسط روش دامنه زمان در توافق بهتری با داده اندازه گیری شده در مقایسه با داده های به دست آمده توسط روش عصبی فازی هستند.


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

 

۷ Time-domain transistor modeling: example

The two frequency- and time-domain proposed methods were used to characterize the MESFET NE71000 [37] from 1 to 40 GHz. As reported in Fig. 18 and based on the fuzzy-neural approach, topology #2 was found to be the most suitable equivalent circuit for the given set of measured S-parameters. However, some discrepancies can be shown at the higher part of the frequency spectrum (between 35 and 40 GHz). In this range and as expected, the S-parameter values obtained by the time-domain approach agreed better with measured data than those obtained by the fuzzy-neural method.


 

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

ابزار CAD برای مدلینگ مدارهای ترانزیستور RF / میکروویو کارآمد

عنوان انگلیسی مقاله:

CAD tools for efficient RF/microwave transistor modeling and circuit design

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

 

خرید ترجمه فارسی مقاله

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *