دانلود مقاله ترجمه شده پردازنده شرکت پذیر مقاوم – مجله IEEE

ieee2

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

پردازنده شرکت پذیر مقاوم

عنوان انگلیسی مقاله:

Resistive Associative Processor

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار  ۲۰۱۵
تعداد صفحات مقاله انگلیسی  ۴ صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله  مهندسی کامپیوتر
گرایش های مرتبط با این مقاله  معماری سیستم های کامپیوتری و سخت افزار
مجله  اسناد معماری کامپیوتر – COMPUTER ARCHITECTURE LETTERS
دانشگاه   گروه مهندسی برق، موسسه تکنولوژی تکنیون اسرائیل
کلمات کلیدی   SIMD، پردازنده شرکت پذیر، حافظه کامپیوتر، ممریستور، رم غیر هادی
شناسه شاپا یا ISSN ISSN ۱۵۵۶-۶۰۵۶
رفرنس دارد
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در سایت IEEE
نشریه IEEE

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۱۰ صفحه
ترجمه عناوین جداول ترجمه شده است
درج تصاویر در فایل ترجمه درج نشده است
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است

 


  • فهرست مطالب:

 

چکیده
۱٫ مقدمه
۲٫ پردازش شرکت پذیر
۳ پردازنده ی انجمنی مقاوم
۴٫ شبیه سازی
۵٫ نتیجه گیری کلی


  • بخشی از ترجمه:

 

۶٫ نتیجه گیری کلی:
این مقاله یک ReAP را بررسی می کند، که توانایی مقیاس گذاری AP را از چند میلیون Pus به چندصد میلیون Pus بر روی یک ماتریس سیلیکون منفرد دارد، که به نیازهای محاسباتی درحال رشد دوره ی داده های بزرگ پیوسته است. ما عملکرد و مصرف نیروی ReAP را با عملکرد و مصرف نیرو در CMOS AP سنتی و شتاب دهنده SIMD متداول (GPU) مقایسه می کنیم. ما به این نتیجه رسیدیم که اگرچه تراکم بالای قدرت و دوام محدود memristor توانایی ReAP را محدود می کند، اما به مقیاس پذیری خیلی بهتر و عملکرد بالاتر درمقایسه با CMOS و شتاب دهنده های SIMD متداول اجازه می دهد. پیشرفت آینده در توسعه ی مواد جدید برای memristor به مقیاس پذیری مستمر، کارایی نیروی بهبود یافته، و دوام بالاتر برای ReAP اطمینان می بخشد.


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

 

۵ CONCLUSIONS

This paper explores a ReAP, which has the potential to scale the AP from a few millions of PUs to a few hundred millions of PUs on a single silicon die, adhering to the ever growing computing needs of big data era. We compare the performance and power consumption of ReAP to those of traditional CMOS AP and conventional SIMD accelerator (GPU). We conclude that although high power density and finite endurance of memristors limit the potential of ReAP, it allows much better scalability and higher performance compared to CMOS AP and conventional SIMD accelerators. Future progress in development of new materials for memristors will ensure continuous scalability, improved power efficiency, and higher endurance for ReAP.


 

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

پردازنده شرکت پذیر مقاوم

عنوان انگلیسی مقاله:

Resistive Associative Processor

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

 

خرید ترجمه فارسی مقاله

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *