| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
یک ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافنی جدید با دو عایق گیت (دریچه ای) مختلف |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
A novel graphene nanoribbon field effect transistor with two different gate insulators |
|
|
| مشخصات مقاله انگلیسی (PDF) | |
| سال انتشار | 2015 |
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی | 7 صفحه با فرمت pdf |
| رشته های مرتبط با این مقاله | مهندسی برق، شیمی و فیزیک |
| گرایش های مرتبط با این مقاله | نانوشیمی، فیزیک کاربردی، نانوفیزیک، شیمی فیزیک، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک، مهندسی برق گرایش مکاترونیک |
| مجله | فیزیک E – Physica – E |
| دانشگاه | گروه برق، پزشکی و مهندسی مکاترونیک، واحد قزوین، دانشگاه آزاد اسلامی، ایران |
| کلمات کلیدی | دو نوع مقره GNRFET، تنگابست، تابع عدم تعادل سبز (NEGF)، مدل دو بعدی FET |
| شناسه شاپا یا ISSN | ISSN 1386-9477 |
| رفرنس | دارد |
| لینک مقاله در سایت مرجع | لینک این مقاله در نشریه Elsevier |
| نشریه | الزویر – Elsevier |
| مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word) | |
| تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت 14 B Nazanin | 20 صفحه |
| ترجمه عناوین تصاویر و جداول | ترجمه شده است |
| ترجمه متون داخل تصاویر | ترجمه نشده است |
| ترجمه متون داخل جداول | ترجمه نشده است |
| درج تصاویر در فایل ترجمه | درج شده است |
| درج جداول در فایل ترجمه | درج شده است |
| درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس | درج شده است |
- فهرست مطالب:
چکیده
1. مقدمه
2. هندسه دستگاه
3. روش پیاده‌سازی
4. مدل دوبعدی
5. نتیجه‌گیری
- بخشی از ترجمه:
5. نتیجه‌گیری
در این مقاله، ما یک ساختار جدید برای GNRFET با دو عایق گیت مختلف پیشنهاد کردیم. این ساختار جدید از مزایای دی‌الکتریک‌های بالا و پایین استفاده می‌کند. در TDI-GNRFET پیشنهادی ما، طول گیت به دو بخش مساوی تقسیم می‌شود. دی‌الکتریک گیت در سمت درین (سمت راست) از یک ماده با ثابت دی‌الکتریک پایین برای کاهش ظرفیت خازنی روی کانال در نزدیکی درین انتخاب می‌شود، درحالی‌که دی‌الکتریک گیت در سمت سورس (سمت چپ) از یک ماده با ثابت دی‌الکتریک بالا برای بهبود جریان حالت روشن و کاهش جریان نشتی انتخاب می‌شود.
به‌منظور شبیه‌سازی خواص الکترونیکی ساختار GNRFET پیشنهادی در رژیم بالستیک، NEGF فضای حالت همراه با معادله پواسون مورداستفاده قرار گرفته است و مشخصه‌های شبیه‌سازی شده با مشخصه‌های GNRFET های معمول مقایسه شده‌اند. علاوه بر این، ما از یک مدل خازنی دوبعدی برای ارزیابی الکترونیک ترانزیستور به صوررت تحلیلی استفاده نموده‌ایم.
نتایج نشان داده‌اند که TDI-GNRFET نسبت Ion/Ioff، هدایت انتقالی، بار متحرک و سرعت متوسط بالاتری در مقایسه با GNRFET معمول با ثابت دی‌الکتریک پایین دارد. علاوه بر این، GNRFET پیشنهادی ظرفیت‌های خازنی گیت، سورس و درین بالاتری دارد. مقایسه بین GNRFET های متداول و TDI-GNRFET نشان داد که TDI-GNRFET ظرفیت خازنی کوانتومی پایین‌تر، زمان تأخیر ذاتی کوچک‌تر و حاصل‌ضرب تأخیر در توان کوتاه‌تری نسبت به GNRFET با ثابت دی‌الکتریک بالا دارد. علاوه بر این، ساختار پیشنهادی DIBL و نوسان زیرآستانه بهتری را نسبت به GNRFET معمول با ثابت دی‌الکتریک بالا تأمین می‌کند.
- بخشی از مقاله انگلیسی:
5. Conclusion
In this paper, we proposed a new structure for GNRFET with two different gate insulators. This novel structure uses the advantages of high and low dielectrics. In our proposed TDI-GNRFET, the gate length is divided into two equal sections. The gate dielectric at the drain side (right side) is selected from a material with low dielectric constant to decrease the capacitance on the channel near the drain, while the gate dielectric at the source side (left side) is chosen from a material with high dielectric constant to improve On-current and reduce leakage current.
In order to simulate the electronic properties of the proposed GNRFET structure in the ballistic regime, the mode space NEGF coupled with Poisson equation has been used, and the simulated characteristics have been compared with those of conventional GNRFETs. Furthermore, we have used a two-dimensional capacitance model to treat transistor electrostatics analytically.
The results have indicated that the TDI-GNRFET has higher Ion /Ioff ratio, transconductance, mobile charge and average velocity in comparison with the conventional GNRFET with low dielectric constant. In addition, the proposed GNRFET has higher gate, source and drain capacitances. Comparison between the conventional GNRFETs and TDI-GNRFET revealed that the TDI-GNRFET had lower quantum capacitance, smaller intrinsic delay time and shorter power-delay product compared to GNRFET with high dielectric constant. Furthermore, the proposed structure affords better DIBL and subthreshold swing than conventional GNRFET with high dielectric constant.
| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
یک ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافنی جدید با دو عایق گیت (دریچه ای) مختلف |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
A novel graphene nanoribbon field effect transistor with two different gate insulators |
|
|