| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
طراحی تقویت کننده های توان کلاس F میکروموج و کلاس F معکوس با استفاده از فناوری GaN و GaAs pHEMT |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Microwave Class-F and Inverse Class-F Power Amplifiers Designs using GaN Technology and GaAs pHEMT |
|
|
| مشخصات مقاله انگلیسی (PDF) | |
| سال انتشار | 2006 |
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی | 4 صفحه با فرمت pdf |
| رشته های مرتبط با این مقاله | مهندسی برق و مهندسی فناوری اطلاعات و ارتباطات |
| گرایش های مرتبط با این مقاله | برق مخابرات، شبکه های مخابراتی، مخابرات میدان و موج و مخابرات ماهواره ای |
| مجله | سی و ششمین کنفرانس اروپایی مایکروفر (مایکروویو) |
| دانشگاه | دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه Northumbria، نیوکاسل، بریتانیا |
| کلمات کلیدی | تقویت کننده های توان، راندمان بالا، کلاس F، کلاس F معکوس، مدارمجتمع یکپارچه (MMIC)، GaN HEMT، GaAs |
| رفرنس | دارد |
| نشریه | IEEE |
| مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word) | |
| تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت 14 B Nazanin | 9 صفحه |
| ترجمه عناوین تصاویر | ترجمه شده است |
| ترجمه متون داخل تصاویر | ترجمه شده است |
| درج تصاویر در فایل ترجمه | درج شده است |
- فهرست مطالب:
چکیده
1.مقدمه
2.اصول PA کلاس F و کلاس F معکوس و متدولوژی طراحی
1-پایه های کلاس F و کلاس F معکوس
2- متدولوژی طراحی
PA3. mmic کلاس F 2 GHzبا استفاده از فناوری GaN
1-طراحی مدار
2-اندازه گیری های PA MMIC کلاس F 2.0 GHz
4.PA کلاس F معکوس 2.45 GHz کم هزینه با استفاده از PHEMT GAAS بسته بندی در فناوری PCB
1- طراحی مدار
2-پیاده سازی تجربی
5.نتیجه گیری
- بخشی از ترجمه:
V. نتیجه گیری
طراحی و نتایج دو PA میکروموج تنظیم هارمونیکی با راندمان بالا در اینجا ارائه شده است: مورد اول یک PA کلاس F 2 گیگاهرتزی در MMIC(MMIC) با استفاده از فناوری GaAs pHEMT است و مورد دیگر PA کلاس F معکوس 2.45 گیگاهرتزی با استفاده از قطعات GaAs pHEMT بسته بندی شده با فناوری PCB می باشد. PA MMIC کلاس F 2.0 GHz به PAE 50%، توان خروجی 38dBm و چگالی توان 6.2 W/mm می رسد. PA کلاس F معکوس در 2.45 GHz به توان خروجی 22.6 dBm و PAE 73% در تراکم 3dB می رسد و به دلیل استفاده از فناوری PCB و قطعات ارزان هزینه بسیار کمی دارد. کارهای بیشتری نیز برای بهبود خطی سازی PA راندمان بالا با استفاده از روش LINC[11] و درک فشردگی بالای پایانه های جلو RF با استفاده از آنتن [12] موجود می¬باشد.
- بخشی از مقاله انگلیسی:
V. CONCLUSIONS
Designs and results of two high-efficiency harmonicstuned microwave PAs are presented: the first one is a 2 GHz class-F MMIC PA using GaN HEMT technology, and the other one is a 2.45 inverse class-F PA using packaged GaAs pHEMT devices with PCB technology. The 2.0-GHz class-F MMIC PA achieved a PAE of 50%, 38 dBm output power, and 6.2 W/mm power density. The inverse class-F PA at 2.45 GHz achieved 22.6 dBm output power and 73% PAE at 3 dB compression, and has very low lost due to the use of PCB technology and cheap devices. Further work is to improve the linearity of highefficiency PAs using LINC technique [11] and to realize highly compact RF front ends using active antennas [12], etc.
| دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
|
|
| عنوان فارسی مقاله: |
طراحی تقویت کننده های توان کلاس F میکروموج و کلاس F معکوس با استفاده از فناوری GaN و GaAs pHEMT |
| عنوان انگلیسی مقاله: |
Microwave Class-F and Inverse Class-F Power Amplifiers Designs using GaN Technology and GaAs pHEMT |
|
|