دانلود ترجمه مقاله طراحی تقویت کننده توان کلاس F میکروموج و کلاس F معکوس – مجله IEEE

ieee2

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

طراحی تقویت کننده های توان کلاس F میکروموج و کلاس F معکوس با استفاده از فناوری GaN و GaAs pHEMT

عنوان انگلیسی مقاله:

Microwave Class-F and Inverse Class-F Power Amplifiers Designs using GaN Technology and GaAs pHEMT

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار ۲۰۰۶
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۴ صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله مهندسی برق و مهندسی فناوری اطلاعات و ارتباطات
گرایش های مرتبط با این مقاله برق مخابرات، شبکه های مخابراتی، مخابرات میدان و موج و مخابرات ماهواره ای
مجله سی و ششمین کنفرانس اروپایی مایکروفر (مایکروویو)
دانشگاه دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه Northumbria، نیوکاسل، بریتانیا
کلمات کلیدی تقویت کننده های توان، راندمان بالا، کلاس F، کلاس F معکوس، مدارمجتمع یکپارچه (MMIC)، GaN HEMT، GaAs
رفرنس دارد
نشریه IEEE

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۹ صفحه
ترجمه عناوین تصاویر ترجمه شده است
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه شده است
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است

 


  • فهرست مطالب:

 

چکیده
۱٫مقدمه
۲٫اصول PA کلاس F و کلاس F معکوس و متدولوژی طراحی
۱-پایه های کلاس F و کلاس F معکوس
۲- متدولوژی طراحی
PA3. mmic کلاس F 2 GHzبا استفاده از فناوری GaN
۱-طراحی مدار
۲-اندازه گیری های PA MMIC کلاس F 2.0 GHz
۴٫PA کلاس F معکوس ۲٫۴۵ GHz کم هزینه با استفاده از PHEMT GAAS بسته بندی در فناوری PCB
۱- طراحی مدار
۲-پیاده سازی تجربی
۵٫نتیجه گیری

 


  • بخشی از ترجمه:

 

V. نتیجه گیری
طراحی و نتایج دو PA میکروموج تنظیم هارمونیکی با راندمان بالا در اینجا ارائه شده است: مورد اول یک PA کلاس F 2 گیگاهرتزی در MMIC(MMIC) با استفاده از فناوری GaAs pHEMT است و مورد دیگر PA کلاس F معکوس ۲٫۴۵ گیگاهرتزی با استفاده از قطعات GaAs pHEMT بسته بندی شده با فناوری PCB می باشد. PA MMIC کلاس F 2.0 GHz به PAE 50%، توان خروجی ۳۸dBm و چگالی توان ۶٫۲ W/mm می رسد. PA کلاس F معکوس در ۲٫۴۵ GHz به توان خروجی ۲۲٫۶ dBm و PAE 73% در تراکم ۳dB می رسد و به دلیل استفاده از فناوری PCB و قطعات ارزان هزینه بسیار کمی دارد. کارهای بیشتری نیز برای بهبود خطی سازی PA راندمان بالا با استفاده از روش LINC[11] و درک فشردگی بالای پایانه های جلو RF با استفاده از آنتن [۱۲] موجود می¬باشد.


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

 

V. CONCLUSIONS

Designs and results of two high-efficiency harmonicstuned microwave PAs are presented: the first one is a 2 GHz class-F MMIC PA using GaN HEMT technology, and the other one is a 2.45 inverse class-F PA using packaged GaAs pHEMT devices with PCB technology. The 2.0-GHz class-F MMIC PA achieved a PAE of 50%, 38 dBm output power, and 6.2 W/mm power density. The inverse class-F PA at 2.45 GHz achieved 22.6 dBm output power and 73% PAE at 3 dB compression, and has very low lost due to the use of PCB technology and cheap devices. Further work is to improve the linearity of highefficiency PAs using LINC technique [11] and to realize highly compact RF front ends using active antennas [12], etc.


 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

طراحی تقویت کننده های توان کلاس F میکروموج و کلاس F معکوس با استفاده از فناوری GaN و GaAs pHEMT

عنوان انگلیسی مقاله:

Microwave Class-F and Inverse Class-F Power Amplifiers Designs using GaN Technology and GaAs pHEMT

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

 

خرید ترجمه فارسی مقاله

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *