• فهرست مطالب:

چکیده
۱٫مقدمه
۲٫اصول PA کلاس F و کلاس F معکوس و متدولوژی طراحی
۱-پایه های کلاس F و کلاس F معکوس
۲- متدولوژی طراحی
PA3. mmic کلاس F 2 GHzبا استفاده از فناوری GaN
۱-طراحی مدار
۲-اندازه گیری های PA MMIC کلاس F 2.0 GHz
۴٫PA کلاس F معکوس ۲٫۴۵ GHz کم هزینه با استفاده از PHEMT GAAS بسته بندی در فناوری PCB
۱- طراحی مدار
۲-پیاده سازی تجربی
۵٫نتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

V. نتیجه گیری
طراحی و نتایج دو PA میکروموج تنظیم هارمونیکی با راندمان بالا در اینجا ارائه شده است: مورد اول یک PA کلاس F 2 گیگاهرتزی در MMIC(MMIC) با استفاده از فناوری GaAs pHEMT است و مورد دیگر PA کلاس F معکوس ۲٫۴۵ گیگاهرتزی با استفاده از قطعات GaAs pHEMT بسته بندی شده با فناوری PCB می باشد. PA MMIC کلاس F 2.0 GHz به PAE 50%، توان خروجی ۳۸dBm و چگالی توان ۶٫۲ W/mm می رسد. PA کلاس F معکوس در ۲٫۴۵ GHz به توان خروجی ۲۲٫۶ dBm و PAE 73% در تراکم ۳dB می رسد و به دلیل استفاده از فناوری PCB و قطعات ارزان هزینه بسیار کمی دارد. کارهای بیشتری نیز برای بهبود خطی سازی PA راندمان بالا با استفاده از روش LINC[11] و درک فشردگی بالای پایانه های جلو RF با استفاده از آنتن [۱۲] موجود می¬باشد.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

V. CONCLUSIONS

Designs and results of two high-efficiency harmonicstuned microwave PAs are presented: the first one is a 2 GHz class-F MMIC PA using GaN HEMT technology, and the other one is a 2.45 inverse class-F PA using packaged GaAs pHEMT devices with PCB technology. The 2.0-GHz class-F MMIC PA achieved a PAE of 50%, 38 dBm output power, and 6.2 W/mm power density. The inverse class-F PA at 2.45 GHz achieved 22.6 dBm output power and 73% PAE at 3 dB compression, and has very low lost due to the use of PCB technology and cheap devices. Further work is to improve the linearity of highefficiency PAs using LINC technique [11] and to realize highly compact RF front ends using active antennas [12], etc.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله