دانلود ترجمه مقاله طراحی تقویت کننده توان کلاس F میکروموج و کلاس F معکوس – مجله IEEE

ieee2

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

طراحی تقویت کننده های توان کلاس F میکروموج و کلاس F معکوس با استفاده از فناوری GaN و GaAs pHEMT

عنوان انگلیسی مقاله:

Microwave Class-F and Inverse Class-F Power Amplifiers Designs using GaN Technology and GaAs pHEMT

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار ۲۰۰۶
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۴ صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله مهندسی برق و مهندسی فناوری اطلاعات و ارتباطات
گرایش های مرتبط با این مقاله برق مخابرات، شبکه های مخابراتی، مخابرات میدان و موج و مخابرات ماهواره ای
مجله سی و ششمین کنفرانس اروپایی مایکروفر (مایکروویو)
دانشگاه دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه Northumbria، نیوکاسل، بریتانیا
کلمات کلیدی تقویت کننده های توان، راندمان بالا، کلاس F، کلاس F معکوس، مدارمجتمع یکپارچه (MMIC)، GaN HEMT، GaAs
رفرنس دارد
نشریه IEEE

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۹ صفحه
ترجمه عناوین تصاویر ترجمه شده است
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه شده است
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است

 


  • فهرست مطالب:

 

چکیده
۱٫مقدمه
۲٫اصول PA کلاس F و کلاس F معکوس و متدولوژی طراحی
۱-پایه های کلاس F و کلاس F معکوس
۲- متدولوژی طراحی
PA3. mmic کلاس F 2 GHzبا استفاده از فناوری GaN
۱-طراحی مدار
۲-اندازه گیری های PA MMIC کلاس F 2.0 GHz
۴٫PA کلاس F معکوس ۲٫۴۵ GHz کم هزینه با استفاده از PHEMT GAAS بسته بندی در فناوری PCB
۱- طراحی مدار
۲-پیاده سازی تجربی
۵٫نتیجه گیری

 


  • بخشی از ترجمه:

 

V. نتیجه گیری
طراحی و نتایج دو PA میکروموج تنظیم هارمونیکی با راندمان بالا در اینجا ارائه شده است: مورد اول یک PA کلاس F 2 گیگاهرتزی در MMIC(MMIC) با استفاده از فناوری GaAs pHEMT است و مورد دیگر PA کلاس F معکوس ۲٫۴۵ گیگاهرتزی با استفاده از قطعات GaAs pHEMT بسته بندی شده با فناوری PCB می باشد. PA MMIC کلاس F 2.0 GHz به PAE 50%، توان خروجی ۳۸dBm و چگالی توان ۶٫۲ W/mm می رسد. PA کلاس F معکوس در ۲٫۴۵ GHz به توان خروجی ۲۲٫۶ dBm و PAE 73% در تراکم ۳dB می رسد و به دلیل استفاده از فناوری PCB و قطعات ارزان هزینه بسیار کمی دارد. کارهای بیشتری نیز برای بهبود خطی سازی PA راندمان بالا با استفاده از روش LINC[11] و درک فشردگی بالای پایانه های جلو RF با استفاده از آنتن [۱۲] موجود می¬باشد.


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

 

V. CONCLUSIONS

Designs and results of two high-efficiency harmonicstuned microwave PAs are presented: the first one is a 2 GHz class-F MMIC PA using GaN HEMT technology, and the other one is a 2.45 inverse class-F PA using packaged GaAs pHEMT devices with PCB technology. The 2.0-GHz class-F MMIC PA achieved a PAE of 50%, 38 dBm output power, and 6.2 W/mm power density. The inverse class-F PA at 2.45 GHz achieved 22.6 dBm output power and 73% PAE at 3 dB compression, and has very low lost due to the use of PCB technology and cheap devices. Further work is to improve the linearity of highefficiency PAs using LINC technique [11] and to realize highly compact RF front ends using active antennas [12], etc.


 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

طراحی تقویت کننده های توان کلاس F میکروموج و کلاس F معکوس با استفاده از فناوری GaN و GaAs pHEMT

عنوان انگلیسی مقاله:

Microwave Class-F and Inverse Class-F Power Amplifiers Designs using GaN Technology and GaAs pHEMT

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

 

خرید ترجمه فارسی مقاله

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.