| عنوان فارسی مقاله: | مدارهای اندازه گیری و پردازش داده به منظور استخراج پارامتر نویز ۱/F ترانزیستور |
| عنوان انگلیسی مقاله: | MEASUREMENT CIRCUITS AND DATA PROCESSING FOR TRANSISTOR 1/F NOISE PARAMETER EXTRACTION |
| دانلود مقاله انگلیسی: | برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf اینجا کلیک نمائید |
| سال انتشار | 2002 |
| تعداد صفحات مقاله انگلیسی | 6 صفحه |
| تعداد صفحات ترجمه مقاله | 9 صفحه |
| مجله | سری مقالات علمی مخابرات و الکترونیک |
| دانشگاه | دانشگاه فنی ریگا |
| کلمات کلیدی | – |
| نشریه | researchgate |
فهرست مطالب:
– مقدمه
– مدار اندازه گیری و شرایط اندازه گیری
– مدار اندازه گیری با فیدبک مشترک
– پردازش داده های اندازه گیری نویز
– اندازه گیری نویز FET
– نتایج
بخشی از ترجمه:
مدار اندازه گیری و شرایط اندازه گیری
در عمل از مراحل راه اندازی اندازه گیری نویز کم فرکانس متفاوتی استفاده شده است، اما در کلیه موارد ، بعضی از ویژگیها باهم مشترک می باشند. مدار اندازه گیری (MC) از عناصری تشکیل می شود که شرایط زیر را حفظ می کند:
• شرایط بایاس مناسب برای دستگاه تحت تست (DUT)
• آمپلی فایر ولتاژ یا جریان کم نویز با مدار فیدبک (بازخورد) و یا فرصت کالیبراسیون
• استحفاظ و فیلتر دقیق مانع از تاثیر تداخل خارجی گردید.
مراحل راه اندازی اندازه گیری نویز بین دستیابی به مدارک آزمایشی در مدل سازی نویز تا سیستم های اندازه گیری بسیار پیچیده Agilient Technologies در کاربردهای صنعتی دربرگیرنده فرصت اندازه گیری نویز ۱/f متغیر می باشد. در این مقاله، بر بهینه سازی مدار اندازه گیری نویز تمرکز می کنیم، هدف از این کار به حداقل رساندن میزان خطا و ارتقاء راندمان اندازه گیری می باشد. شایان توجه است که برای اطمینان از غلبه سورس نویز هدف در نویز خروجی می توان پیکره بندی مدار و عناصر خاصی را انتخاب نمود. به طور مثال، برای اندازه گیری پارامترهای نویز جریان پایه BJT می بایست ازمقاومت بزرگ سورس سیگنال در مدار پایه استفاده گردد.
بخشی از مقاله انگلیسی:
Introduction
Despite enormous developments in semiconductor technology low frequency noise is still aproblem. It is an important factor determining C/N ratio of modern communication equipment(phase noise in oscillators, noise in direct conversion receivers, etc.). Its value can not betheoretically predicted with the needed accuracy. At the same time low frequency noise reflectsinternal processes of semiconductor devices. Targeted noise measurement can be used todetermine some specific semiconductor technology features [1,2] that could lead to technologyimprovements. Therefore, experimental determination of noise parameters during themanufacturing process is of utmost importance. These parameters are also used in SPICE andother simulation software models instead of the default simplified 1/f noise model [3,4].In this paper features of three widely used noise measurement circuit configurations are analysedand application options discussed. Methodology of measurement data processing and extractionof 1/f noise parameters is proposed. As an example analysis of FET noise measurement andparameter extraction is given. Measurement circuit and measurement conditionsDifferent low frequency noise measurement set-ups are used in practice, but some commonfeatures can be found in all cases. Measurement circuit (MC) consists of elements maintaining:• Appropriate bias conditions for device under test (DUT),• Low-noise current or voltage amplifier with feedback circuit and/or calibration opportunity,• Careful shielding and filtering ensured to avoid influence of external interference.Noise measurement set-ups range from simple ones used to obtain experimental evidence innoise modelling [3] to very sophisticated complex measurement systems from AgilentTechnologies for industry applications containing 1/f noise measurement opportunity [4,5]. Inthis paper we are concentrating on optimisation of noise measurement circuit to minimise errorsand improve measurement efficiency. It must be stressed that special elements and circuitconfiguration could be chosen to ensure dominance of the target noise source in the output noise.For example, large signal source resistance in the base circuit must be used to providemeasurement of the BJT base current noise parameters.The most widespread MC configurations used in noise measurement are the following:• Measurement circuit without a common feedback;• Measurement circuit with a current amplifier;• Measurement circuit with a common feedbackMeasurement circuit without a common feedback (Fig.1) is widely used in practice. The mainadvantage of this circuit configuration is that both signal source resistance RG and load resistanceRL values could be chosen in large range without fear of self – oscillations starting in the circuit,being a typical problem in MC with feedback..
| عنوان فارسی مقاله: | مدارهای اندازه گیری و پردازش داده به منظور استخراج پارامتر نویز ۱/F ترانزیستور |
| عنوان انگلیسی مقاله: | MEASUREMENT CIRCUITS AND DATA PROCESSING FOR TRANSISTOR 1/F NOISE PARAMETER EXTRACTION |
