دانلود مقاله ترجمه شده منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین – IEEE 2000

• فهرست مطالب:

چکیده

مقدمه

ساخت دستگاه

خواص دستگاه

مدل انتقال

تجزیه و تحلیل / بحث

نتیجه گیری

• بخشی از ترجمه:

نتیجه گیری

مکمل سیلیسید بدنه نازک دستگاه های سورس / درین با ویژگی های خاموش عالی با طول گیت ۱۵نانومتر نشان داده شده است. منبع / درین PtSi و ErSi1.7 برای PMOS و NMOS به ترتیب ساخته شده است. مدل انتقال ساده متناسب با دستگاه داده ها و سطح فعلی بالستیک را می توان با استفاده از یک اکسید A20 و ۳E19 cm-3 پیش بینی کرد و بدست آورد.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

Conclusion

Complementary thin-body silicide source/drain devices with excellent turn-off characteristics have been demonstrated down to 15nm gate-length. Source/drains are fabricated from PtSi and ErSi1.7 for PMOS and NMOS respectively. A simple transmission model fits device data and predicts that ballistic current levels can be obtained with the use of a 20Å oxide and 3E19 cm-3 extension doping.