دانلود مقاله ترجمه شده منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین – IEEE 2000

ieee2

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رژیم با طول گیت ۲۰ نانومتر

عنوان انگلیسی مقاله:

Complementary silicide source/drain thin-body MOSFETs for the 20nm gate length regime

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار ۲۰۰۰
تعداد صفحات مقاله انگلیسی  ۴صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله الکترونیک قدرت و ماشینهای الکتریکی، برق قدرت و مهندسی الکترونیک
دانشگاه گروه مهندسی برق و علوم کامپیوتر، دانشگاه کالیفرنیا، برکلی
رفرنس دارد
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در سایت IEEE
نشریه آی تریپل ای

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۱۱ صفحه
ترجمه عناوین تصاویر ترجمه شده است
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه نشده است
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس درج شده است
منابع داخل متن به صورت عدد درج شده است

 


  • فهرست مطالب:

 

چکیده

مقدمه

ساخت دستگاه

خواص دستگاه

مدل انتقال

تجزیه و تحلیل / بحث

نتیجه گیری

 


  • بخشی از ترجمه:

 

نتیجه گیری

مکمل سیلیسید بدنه نازک دستگاه های سورس / درین با ویژگی های خاموش عالی با طول گیت ۱۵نانومتر نشان داده شده است. منبع / درین PtSi و ErSi1.7 برای PMOS و NMOS به ترتیب ساخته شده است. مدل انتقال ساده متناسب با دستگاه داده ها و سطح فعلی بالستیک را می توان با استفاده از یک اکسید A20 و ۳E19 cm-3 پیش بینی کرد و بدست آورد.

 


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

 

Conclusion

Complementary thin-body silicide source/drain devices with excellent turn-off characteristics have been demonstrated down to 15nm gate-length. Source/drains are fabricated from PtSi and ErSi1.7 for PMOS and NMOS respectively. A simple transmission model fits device data and predicts that ballistic current levels can be obtained with the use of a 20Å oxide and 3E19 cm-3 extension doping.

 


 

 

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

منبع سیلیسید مکمل/ MOSFET بدنه نازک درین برای رژیم با طول گیت ۲۰ نانومتر

عنوان انگلیسی مقاله:

Complementary silicide source/drain thin-body MOSFETs for the 20nm gate length regime

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

 

 

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *