دانلود رایگان ترجمه مقاله عدم برگشت پذیری حرارتی در قابلیت هدایت ورقه های ژرمانیوم نیترید و اکسی نیترید – الزویر ۲۰۱۸

elsevier

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
عنوان فارسی مقاله:

عدم برگشت پذیری حرارتی در قابلیت هدایت ورقه های ژرمانیوم نیترید و اکسی نیترید

عنوان انگلیسی مقاله:

Thermally induced irreversibility in the conductivity of germanium nitride and oxynitride films

 
 
 
 
 

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار ۲۰۱۸
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۷ صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله مهندسی مواد
گرایش های مرتبط با این مقاله شناسایی و انتخاب مواد، متالوژی صنعتی
چاپ شده در مجله (ژورنال) علوم مواد در پردازش نیمه هادی – Materials Science in Semiconductor Processing
کلمات کلیدی نیترید ژرمانیوم، اکسی نیترید ژرمانیوم، تبرید حرارتی، هدایت پذیری الکتریکی
ارائه شده از دانشگاه دانشکده علوم و فنون، بخش فیزیک، دانشگاه کامرونو، ایتالیا
رفرنس دارد 
کد محصول F1344
نشریه الزویر – Elsevier

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word)
وضعیت ترجمه انجام شده و آماده دانلود
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش  ۲۱ صفحه با فونت ۱۴ B Nazanin
ترجمه عناوین تصاویر و جداول ترجمه شده است ✓ 
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه نشده است  
ترجمه متون داخل جداول ترجمه نشده است 
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است 
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است  
منابع داخل متن درج نشده است 
کیفیت ترجمه کیفیت ترجمه این مقاله متوسط میباشد 

 

فهرست مطالب

چکیده
مقدمه
روش آزمایش
نتایج
ثبات درجه حرارت ورقه های ته نشست شده
تبرید حرارتی در اتمسفر N2
بحث
نتیجه گیری ها

 

 

بخشی از ترجمه
 چکیده
ما گزارش شواهدی از تغییرات غیرقابل برگشت را روی هدایت پذیری، σ(T)، ورقه های نازک (a-Ge3Nx (3.7<x< 4.6 و شبه استیوکیومتریک a-Ge2OyNx که در T ≳ ۶۳۰ K تحت شرایط خلا بالا رخ داده است، گزارش کرده ایم. ما دریافته ایم که منحنی های σ(T) نه تنها به خصوصیت ماده بلکه به سابقه حرارتی انجام شده توسط ورقه ها هم بستگی دارند. قابلیت برگشت ناپذیری در σ(T)، طی حرارت دهی در خلا، با تغییرشکل GeO2 اصلی به GeO فرّار همبستگی دارد. تبرید حرارتی در اتمسفر N2، برعکس، منجر به بسط ثبات ورقه تا ۹۷۳ K شده است. در T بالاتر، خلل و فرجی روی سطح ورقه تشکیل می شود، که به دلیل برون تراوی قوی گونه های فرّار غنی از N می باشد. پیوند بی ثبات N-Ge می تواند هم عدم ثبات ترمودینامیکی نیتروژن و هم فرایند نانوکریستالی Ge را که در ورقه های a-Ge3Nx رخ داده است به محض حرارت دهی تا دمای ۱۰۲۳K توضیح بدهد. در مقایسه با a-Ge3Nx، aGe2OyNx شبه استیوکیومتریک هم عایق پذیری بیشتری درد و هم ثبات بیشتری به محض گرمسازی تا ۱۰۲۳K تحت جریان N2 دارد که باعث می شود یک ماده لایه ای روکش مناسبی برای ساخت وسایل الکترونیک بشود. 
 
۵-نتیجه گیری ها
اثرات عملیات حرارتی روی خصوصیات فیزیکی ژرمانیوم نیترید و ورقه های اکسی نیترید به تفصیل مورد بررسی قرار گرفته است. این مطالعه شواهدی دارد مبنی براینکه هدایت پذیری a-Ge3Nx (3.7<x< 4.6) ورقه های نازک a-Ge2OyNx شبه استیوکیومتریک نشان دهنده یک تغییر غیرقابل برگشت در T ≳ ۶۳۰ K بوده که طی اندازه گیری در خلا بالا شناسایی شده است. بالای این درجه حرارت، σ (T) نشان دهنده یک پسماند می باشد که خصوصیات آن بستگی به ترکیب ورقه و شرایط تبرید دارد. غیرقابلیت برگشتی در σ (T) به شکل احیای GeO2 اولیه به GeO فرّار توضیح داده می شود و ملاحظه می کند که دومی در خلا در درجه حرارت نزدیک به حدآستانه عدم قابلیت برگشت شناسایی شده درورقه های ما رخ داده است.
تحلیل خصوصیات ورقه، که به طور حرارتی در N2 تبرید شده است، یک ثبات بهبودیافته تا ۹۷۳ K را با تشکیل خلل و فرج روی سطح ورقه در T بالاتر نشات گرفته با انتشار مولکولهای مبتنی بر N فرّار از ماتریس ورقه آشکار کرده است. مشخص شده است که نانوکریستالیزاسیون Ge در ورقه های a-Ge3Nx روی TT در N2 حول ۱۰۲۳K می باشد.
دانش کسب شده از مطالعه فرایند غیرقابل برگشتیکه در رده تحقیق شده مواد کسب شده است، باعث شناسایی مواد و شرایط ته نشست/فرایند می شود تا یک لایه روکش سازی بهینه را برای ساخت چندین وسیله مانند شناساگرهای HPGe شناسایی کند. مشخص شده است که بهترین انتخاب برای پوشش این نقش یک ورقه a-Ge2OyNx شبه استیوکیومتریکی به ضخامت تقریبا ۱۳۰ نانومتر بوده است.
سرانجام اینکه، ما نشان داده ایم که σ (T) دست کم در این رده از مواد، قادر به نظارت بر تغییرات وابسته به درجه حرارت در خواص فیزیکی یک ورقه نازک می باشد که طی اندازه گیری رخ داده است. این خصوصیت عموما از سایر تکنیک های تحقیقاتی خواه به دلایل عملی خواه بخاطر محدودیت های ذاتی شان جلوگیری می کند. در این خصوص، σ (T) منجر به یک ابزار قدرتمند و مستقیم برای تشخیص رفتار لایه های دی الکتریکی می شود.

 

بخشی از مقاله انگلیسی

Abstract

We report the evidence for irreversible changes in the conductivity, σ T( ), of a-Ge3Nx (3.7 4. < <x 6) and quasistoichiometric a-Ge2OyNx thin films occurring at T ≳ ۶۳۰ K, under high vacuum conditions. We have found that σ T( ) curves not only depend on the material properties but also on the thermal history undertaken by films. The irreversibility in σ T( ), during heating in vacuum, is correlated to the transformation of the native GeO2 into volatile GeO. Thermal annealing in N2 atmosphere, on the contrary, results to extend film stability up to 973 K. At higher T, domes and pits are formed onto the film surface, due to the strong effusion of N-rich volatile species. Unstable N-Ge bonds can explain both the nitrogen thermodynamic instability and the Ge nano-crystallisation process occurring in a-Ge3Nx films, upon heating until 1023 K. Compared to a-Ge3Nx, quasi-stoichiometric aGe2OyNx is both more insulating and more stable upon heating up to 1023 K under N2 flow, that makes it a suitable passivating layer material for the fabrication of electronic devices.

۵٫ Conclusions

The effects of thermal treatments on the physical properties of germanium nitride and oxynitride films have been investigated in detail. This study has evidenced that the conductivity of a-Ge3Nx (3.7 4. < <x 6) and of quasi-stoichiometric a-Ge2OyNx thin films exhibits an irreversible change at T ≳ ۶۳۰ K detected during measurement in high vacuum. Above this temperature, σ (T) exhibits an hysteresis, with features depending on the film composition and the annealing conditions. Irreversibility in σ (T) has been explained as the reduction of native GeO2 into volatile GeO, considering that the latter occurs in vacuum at a temperature close to the threshold of irreversibility detected in our films.

Analysis of film properties, thermally annealed in N2, has revealed an improved stability up to 973 K, with formation of domes and pits on film surface at higher T originated by the effusion of volatile N-based molecules from the film matrix. Ge nano-crystallisation has been detected in a-Ge3Nx films, upon TT in N2 around 1023 K.

The knowledge gained by the study of the irreversible process occurring in the investigated class of materials has allowed to identify the material and the deposition/process conditions to get an optimal passivating layer for the fabrication of several devices such as HPGe detectors. The best candidate to cover this role has been found to be a quasi-stoichiometric a-Ge2OyNx film of ≃۱۳۰ nm of thickness.

Finally, we have demonstrated that σ (T), at least in this class of materials, is capable to monitor temperature dependent changes in the physical properties of a thin film, occurring during the measurement. This feature is generally prevented to other investigation techniques, either for practical reasons or for their intrinsic limits. In this respect, σ (T) results a powerful and straightforward tool to characterise the behaviour of dielectric layers.

 

 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
عنوان فارسی مقاله:

عدم برگشت پذیری حرارتی در قابلیت هدایت ورقه های ژرمانیوم نیترید و اکسی نیترید

عنوان انگلیسی مقاله:

Thermally induced irreversibility in the conductivity of germanium nitride and oxynitride films

 
 
 
 
 

 

 

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *