دانلود ترجمه مقاله طراحی آمپلی فایر قدرت کلاس AB باند C در نیمه هادی اکسید فلزی مکمل – مجله IEEE

ieee2

 

 عنوان فارسی مقاله: طراحی آمپلی فایر قدرت کلاس AB باند C در نیمه هادی اکسید فلزی مکمل برای تامین ولتاژ فوق العاده پایین ۱٫۹V
 عنوان انگلیسی مقاله: Design of a C-Band CMOS Class AB Power Amplifier for an UltraLow Supply Voltage of 1.9 V
دانلود مقاله انگلیسی: برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf اینجا کلیک نمائید
خرید ترجمه آماده: downloadbutton

 

سال انتشار  ۲۰۰۷
تعداد صفحات مقاله انگلیسی  ۴ صفحه
تعداد صفحات ترجمه مقاله  ۱۲ صفحه
مجله  –
دانشگاه  گروه تکنولوژی دانشگاه آلمان
کلمات کلیدی  تقویت‌کننده توان،  ولتاژ تغذیه پایین، تحلیل کشش بار.
نشریه IEEE ieee2

 

 


فهرست مطالب:

 

چکیده
۱     مقدمه
۲  فرآیند طراحی
A   تعیین معماری
B  تحلیل کشش بار
C  نتایج تحلیل کشش بار
D   طراحی مدار
۳   اندازه‌گیری در برابر شبیه‌سازی نتایج
۴    مقایسه حالت  فنی
۵    نتیجه‌گیری و  چشم‌انداز


بخشی از ترجمه:

 

.   مقایسه حالت  فنی
جدول ۱  خصیصه عملکرد کلیدی برای انتشارات اخیر در ناحیه  توان خروجی بالا طراحی PA برای ولتاژ منبع تغذیه  فوق‌العاده پایین در CMOS  را نشان می‌دهد. نتایج  کارهای اشاره شده در [۱] و [۳]  نشان‌می‌دهد مقدار فشرده سازی به ترتیب در ۲ و ۱٫۲dBm نهفته است، در بالا؛ کارهایی در اینجا نشان داده‌شده‌است.  بااین حال، به طور واضح می‌تواند ببیند که این مقادیر  برای بازده  درین پایین قابل توجه  که با بحث‌های بهره‌وری انرژی امروزه  بیشتر وبیشتر گران می‌شود بدست می‌آید.  از طرفی دیگر ،  اگر چه کارهای اشاره شده در [۲] بهره‌وری بالای قابل مقایسه‌ای را ارائه می‌کند، مقدار P1db بسیار  پایین‌تر از ۱۹٫۸dBm نشان‌داده‌شده در این کار باقی می‌ماند.
برای دانش نویسنده،  مقدار نقطه فشرده‌سازی شده ۱dB بدست‌آمده به ازای هر V موجود در ولتاژ منبع تغذیه  در ترکیبات با  بهره‌وری درین بالای  ۲۸٫۱%  بالاترین مقدار تحقق یافته در CMOS، گزارش شده امروزه است.   این کار بنابراین در افزایش حالت فنی نقش دارد.
.   نتیجه‌گیری و  چشم‌انداز
این مقاله بر استفاده از تحلیل کشش‌بار را تاکیدمی‌کند و مراحل متفاوت و مبادلات را برای طراحی تقویت‌کننده توان  نشان‌می‌دهد. تحلیل کشش‌بار فضای راه‌حل ممکن را توسعه می‌دهد و مبادلات ضروری مقدار افزایش سیگنال کوچک را به منظور دست‌یابی به  مقدار توان خروجی بالا برای ولتاژ منبع تغذیه فوق‌العاده پایین را نشان‌می‌دهد. طراحی کلاس AB PA نسبت به  طرح نهایی توسعه یافته‌است و نتایج اندازه‌گیری شده  و شبیه‌سازی شده  مقایسه‌شده‌اند.  PA اندازه گرفته‌شده  مقدار نقطه فشرده‌شده  ۱dB  ، ۱۹۸٫۸dBm را برای ولتاژ منبع تغذیه  ۱٫۹V نشان‌می‌دهد.
دیگر معماری‌ها مانند طراحی PA  سوئیچ‌شده می‌تواند به وضوح  مقدار بهره‌وری بالاتر از ۲۸٫۱% را بدست آورد، بااین حال، آن‌ها اغلب این مقدار توان خروجی پایین‌تر با استفاده از ولتاژ منبع‌تغذیه  به طور قابل توجهی بالاتر را مبادله‌می‌کند.
۵٫   نتیجه‌گیری و  چشم‌انداز
این مقاله بر استفاده از تحلیل کشش‌بار را تاکیدمی‌کند و مراحل متفاوت و مبادلات را برای طراحی تقویت‌کننده توان  نشان‌می‌دهد. تحلیل کشش‌بار فضای راه‌حل ممکن را توسعه می‌دهد و مبادلات ضروری مقدار افزایش سیگنال کوچک را به منظور دست‌یابی به  مقدار توان خروجی بالا برای ولتاژ منبع تغذیه فوق‌العاده پایین را نشان‌می‌دهد. طراحی کلاس AB PA نسبت به  طرح نهایی توسعه یافته‌است و نتایج اندازه‌گیری شده  و شبیه‌سازی شده  مقایسه‌شده‌اند.  PA اندازه گرفته‌شده  مقدار نقطه فشرده‌شده  ۱dB  ، ۱۹۸٫۸dBm را برای ولتاژ منبع تغذیه  ۱٫۹V نشان‌می‌دهد.
دیگر معماری‌ها مانند طراحی PA  سوئیچ‌شده می‌تواند به وضوح  مقدار بهره‌وری بالاتر از ۲۸٫۱% را بدست آورد، بااین حال، آن‌ها اغلب این مقدار توان خروجی پایین‌تر با استفاده از ولتاژ منبع‌تغذیه  به طور قابل توجهی بالاتر را مبادله‌می‌کند.
در برابر توسعات بیشترطراحی، یک مرحله از پیش طراحی‌شده  افزایش سیگنال کوچک  که بسیار امیدوارکننده به نظر می‌رسد را افزایش می‌دهد.  توان اضافی مورد نیاز برای این مرحله می‌تواند با تغییر مرحله PAاصلی نسبت به  نقطه عملیاتی کلاس Bایجاد شود، شاید  مصرف توان DC مرحله اصلی را کاهش‌‌دهد.

 


بخشی از مقاله انگلیسی:

 

 INTRODUCTION

Power amplifiers for WLAN applications in the C bandneed to fulfill several crucial design specifications. Mostimportant is a high output power value of typically around 20dBm and higher. Furthermore, the architecture has to offersufficient gain. Looking on the current climate debate, energyefficiency becomes increasingly important. Finally, thearchitecture should be producible with a low cost standard ICprocess in order to create a competitive product. While III/Vsemiconductor technologies can realize very high outputpower values together with comparably competitiveefficiencies, they are still expensive in mass fabrication whencompared to standard CMOS processes. MOSFETs, however,support only small supply voltages and therefore generallyallow only small output power values for single amplifierstages. Furthermore, lower supply voltages simultaneouslyreduce the attainable efficiency levels. The ratio Vsat to VSupplyincreases, which reduces the achievable RF voltage swing inrelation to the available supply voltage and thereby decreasesthe obtainable drain efficiency of the amplifier. State-of-theartpower amplifiers are referenced by [1], [2] and [3]. Onecan clearly see the struggle between high output power andhigh efficiency.As output power decreases approximately quadratic forlowered supply voltages, one way to increase the outputpower is to use an output matching network that converts asmall load impedance seen by the transistor into the 50termination needed. This transforms a low RF voltage – andhigh RF current – swing at the transistor drain into a high RFvoltage and moderate RF current swings at the load. The load pull analysis will screen the solution space of possible loadimpedance and helps choosing an optimum value with respectto output power level and small signal gain.The PA presented is intended for mobile wireless terminalsworking according to the 802.11.a and 802.11n standard. Lowsupply voltage and high efficiency is a must for reducedbattery count and prolonged battery lifetime. The potentialapplication areas are WLAN and local positioning services asdeveloped in the Resolution Project [4].II. DESIGN PROCESSA. Architecture DeterminationThe Class AB PA introduced here uses a supply voltage ofonly 1.9 V and is intended for the frequency range between 5and 6 GHz. The applied process is the IBM-7WL CMOSprocess with minimum gate lengths of 180 nm and a fT of upto 35 GHz for the MOS transistorsThe starting point of the design is the choice of the intendedtechnology, architecture and operating point. The choice ofMOSFETs, supporting 1.9 V, is based on the need for a costcompetitive architecture that uses an ultra low supply voltage.The second selection is the chosen architecture and biaspoint. For output power levels of 20 dBm, a linearlyamplifying PA biased in class AB with little distortion lossesis a good choice for an one-stage PA design.The next step is to look at the transistor width. The goal ofaround 25 to 30 % drain efficiency signifies a DC current ofaround 200 mA. This in turn leads to a transistor width of1 mm for a gate bias between 1.1 V and 1.2 V.


 

 

 عنوان فارسی مقاله: طراحی تقویت کننده قدرت AB کلاس CMOS باند-C برای تامین ولتاژ فوق العاده پایین ۱٫۹V
 عنوان انگلیسی مقاله: Design of a C-Band CMOS Class AB Power Amplifier for an UltraLow Supply Voltage of 1.9 V
دانلود مقاله انگلیسی: برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf اینجا کلیک نمائید
خرید ترجمه آماده: downloadbutton

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله با فرمت ورد

خرید نسخه پاورپوینت این مقاله جهت ارائه

 

 

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *