دانلود رایگان ترجمه مقاله دیودهای ساطع کننده نور با چند چاه-کوانتوم با یک ترکیب InN درجه بندی (نشریه AIP 2014) (ترجمه ارزان – نقره ای ⭐️⭐️)

aip

 

 

این مقاله انگلیسی ISI در نشریه AIP در ۶ صفحه در سال ۲۰۱۴ منتشر شده و ترجمه آن ۱۰ صفحه میباشد. کیفیت ترجمه این مقاله ارزان – نقره ای ⭐️⭐️ بوده و به صورت کامل ترجمه شده است.

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
عنوان فارسی مقاله:

دیودهای ساطع کننده نور با چند چاه-کوانتوم با یک ترکیب InN درجه بندی برای حذف نوترکیبی Auger

عنوان انگلیسی مقاله:

InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with a grading InN composition suppressing the Auger recombination

 
 
 
 
 

 

مشخصات مقاله انگلیسی
فرمت مقاله انگلیسی pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش 
سال انتشار ۲۰۱۴
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۶ صفحه با فرمت pdf
نوع مقاله ISI
نوع ارائه مقاله ژورنال
رشته های مرتبط با این مقاله مهندسی برق
گرایش های مرتبط با این مقاله مهندسی الکترونیک، افزاره های میکرو و نانو الکترونیک
چاپ شده در مجله (ژورنال) اسناد فیزیک کاربردی – PHYSICS
ارائه شده از دانشگاه گروه برق و الکترونیک ، گروه فیزیک و UNAM- انستیتوی علوم مواد و نانوتکنولوژی، دانشگاه بیلکنت، آنکارا ، ترکیه
شناسه دیجیتال – doi https://doi.org/10.1063/1.4891334
بیس   نیست 
مدل مفهومی  ندارد 
پرسشنامه  ندارد 
متغیر  ندارد 
رفرنس دارای رفرنس در داخل متن و انتهای مقاله
کد محصول F1702
نشریه Aip

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله
فرمت ترجمه مقاله pdf و ورد تایپ شده با قابلیت ویرایش
وضعیت ترجمه انجام شده و آماده دانلود
کیفیت ترجمه ترجمه ارزان – نقره ای ⭐️⭐️
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش  ۱۰ صفحه با فونت ۱۴ B Nazanin
ترجمه عناوین تصاویر ترجمه نشده است 
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه نشده است 
ترجمه ضمیمه ندارد 
ترجمه پاورقی ندارد 
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است 
منابع داخل متن  درج نشده است 
منابع انتهای متن به صورت انگلیسی درج شده است  
کیفیت ترجمه کیفیت ترجمه این مقاله متوسط میباشد.

 

 

بخشی از ترجمه
 در دیودهای ساطع کننده-نورInGaN/GaN (LED ها)، چاه های کوانتومی InGaN نازک معمولاً برای کاهش اثر Stark کوانتومی (QCSE) که از قطبش قوی القا شده از میدان الکتریکی، از طریق الکترون ها و حفره های فضایی محدودکننده در حجم های نوترکیبی کوچک ایجاد می شوند. با این حال، این کار به ناچار, چگالی حامل در چاه های کوانتومی را افزایش می دهد که به نوبه خود موجب تشدید نوترکیبی Auger می شود, زیرا نوترکیبی Auger با توان سوم چگالی حامل مقیاس بندی می شود. در نتیجه، افت بهره وری نوترکیبی Auger به شدت عملکرد LED را محدود می کند. در اینجا، ما چاه های کوانتومی InGaN گسترده را با ترکیب InN با درجه بندی خطی در امتداد جهت رشد در ساختارهای LED سرکوب کننده نوترکیبی Auger و QCSE به طور همزمان پیشنهاد و نشان می دهیم. از لحاظ تئوری، مکانیسم فیزیکی در پشت سرکوب نوترکیبی Auger نیز نشان داد. ساختار LED پیشنهادی از نظر تجربی بهبود قابل توجهی را در قدرت خروجی نوری و افت کارایی نشان داده است که اثبات شده است که یک راه حل موثر برای این مشکل مهم نوترکیبی Auger است.
 
دیودهای ساطع کننده-نور InGaN/GaN (LED ها) از نظر الکتریکی و نوری، کارایی و قابلیت اطمینان بالاتر را به صورت منابع نور آبی برای تولید نور سفید وعده داده اند. از این رو، آنها به عنوان کاندیدهای بسیار عالی برای نور مصنوعی برای جایگزینی فلورسنت مرسوم لازم و منابع نور گداخته در نظر گرفته می شوند. به همین دلیل, یک پیشرفت قابل توجه در LED های InGaN/GaN در چند دهه گذشته صورت گرفته است. با این حال بهره وری LED تا کنون هنوز هم محدود شده است و به خصوص سطوح بالایی از افت بهره وری معمولاً در چگالی جریان بالا مشاهده شده است، که ناشی از چند عامل از جمله سرریز الکترون، نوترکیبی Shockley-Read-Hall (SRH) ، ۴،۵ و بازترکیب Auger است. ۶ در میان آنها، نوترکیبی Auger به طور شدیدتر زیر یک سطح جریان تزریق بالا است، زیرا مقیاس های نوترکیبی Auger با توان سوم چگالی حامل (n3 ~ با n که به عنوان چگالی حامل های گرفته شده در چاه کوانتومی نشان داده می شود). بنابراین، سرکوب نوترکیبی Auger برای بهبود عملکرد LEDبسیار مهم است. برای رسیدگی به مسائل مربوط به auger و ارتقای عملکرد LED، می توان افزایش ضخامت چاه کوانتومی و همگن سازی توزیع حامل در داخل چاه های کوانتومی را برای کاهش چگالی حامل در نظر گرفت. با این وجود، LED های InGaN/GaNرشدیافته در امتداد جهت گیری [۰۰۰۱] از قطبش قوی القا شده از میدان الکتریکی در چاه های کوانتومی رنج می برند. ۷ در نتیجه، هم ترازی باند انرژی کج شده تولید می شود، که به نوبه خود باعث جداسازی الکترون و حفره و تجمع حامل در سطوح مخالف چاه قطبش کوانتومی و پیوند ناهمگون مانع کوانتومی می شود. یک توزیع حامل همگن تر را می توان با ساختارهای LED بر اساس صفحات رشد ناقطبی ونیمه قطبی تحقق بخشید.
علاوه بر این، حتی در مورد جهت گیری [۰۰۰۱]، وضعیت تطبیق یافته قطبش را می توان با تعبیه چاه های کوانتومی InGaN بین سدهای کوانتوم AlGaInN آلیاژی مناسب تحقق بخشید. با این حال، هزینه زیرلایه های غیرقطبی/ نیمه قطبی و آزادی محدود رشد همبافته برای ترکیبات چهارتایی AlGaInN مانع اتخاذ گسترده این حلال ها می شود. از سوی دیگر، با توجه به تحرک و عدم تقارن دوپینگ برای الکترون ها و حفره ها، چگالی الکترونی به طور معمول بالاتر از چگالی حفره در چاه های کوانتومی است و از این رو نوترکیبی Auger می تواند به طور موثر کاهش یابد اگر الکترون ها به طور مساوی در چاه های کوانتومی زیر سطح تزریق جریان بالا توزیع شوند.
در این کار، ما یک معماری LED رشدیافته در امتداد جهت گیری [۰۰۰۱] را با ضخامت چاه کوانتومی عریض در ترکیب InN درجه بندی در چاه های کوانتومی InGaN/GaNپیشنهاد و نشان دادیم. ما یک سطح پیشرفته از توان نوری و افت راندمان کاهش یافته هر دو در شبیه سازی های عددی و اندازه گیری های تجربی به دست آوردیم که به خوبی به سرکوب نرخ نوترکیبی Auger توسط ساختار پیشنهادی نسبت داده می شود. محاسبات, یک باند هدایت مسطح تر و مشخصات توزیع الکترون مسطح تر در چاه های کوانتومی برای LED پیشنهادی را نشان می دهند. مشخص شده است که نوترکیبی Auger در ساختار LED پیشنهادی بر اساس محاسبات ما کمتر پشتیبانی می شود.

 

بخشی از مقاله انگلیسی

In conventional InGaN/GaN light-emitting diodes (LEDs), thin InGaN quantum wells are usually adopted to mitigate the quantum confined Stark effect (QCSE), caused due to strong polarization induced electric field, through spatially confining electrons and holes in small recombination volumes. However, this inevitably increases the carrier density in quantum wells, which in turn aggravates the Auger recombination, since the Auger recombination scales with the third power of the carrier density. As a result, the efficiency droop of the Auger recombination severely limits the LED performance. Here, we proposed and showed wide InGaN quantum wells with the InN composition linearly grading along the growth orientation in LED structures suppressing the Auger recombination and the QCSE simultaneously. Theoretically, the physical mechanisms behind the Auger recombination suppression are also revealed. The proposed LED structure has experimentally demonstrated significant improvement in optical output power and efficiency droop, proving to be an effective solution to this important problem of Auger recombination.

 

Both electrically and optically, InGaN/GaN light-emitting diodes (LEDs) have promised higher efficiency and reliability as the blue light sources for white light generation. Hence, they are regarded as excellent candidates for artificial lighting to replace the incumbent conventional fluorescent and incandescent lighting sources. For that a significant progress has been made for InGaN/GaN LEDs in the past several decades.1 However, the LED efficiency has been so far still limited and especially high levels of efficiency droop have commonly been observed at high current density, caused by several factors including electron overflow,2,3 Shockley-Read-Hall (SRH) recombination,4,5 and Auger recombination.6 Among them, the Auger recombination is more severe under a high injection current level, since the Auger recombination scales with the third power of the carrier density (n3 with n denoted as the density of the captured carriers in quantum wells). Therefore, it is very important to suppress the Auger recombination to improve the LED performance. To address the Auger-related issues and enhance the LED performance, one can consider increasing the quantum well thickness and homogenizing the carrier distribution within the quantum wells to reduce the carrier density. Nevertheless, InGaN/GaN LEDs grown along the [0001] orientation suffer from the strong polarization induced electric field in the quantum wells.7 Consequently, a tilted energy band alignment is produced, which in turn causes electron and hole separation and carrier accumulation at the opposite interfaces of the polarization mismatched quantum well and quantum barrier heterojunction. A more homogeneous carrier distribution can be realized by the LED structures based on nonpolar and semipolar growth planes.8,9 Moreover, even in the case of the [0001] orientation, the polarization matched condition can be realized by embedding InGaN quantum wells between the properly alloyed quaternary AlGaInN quantum barriers.10 However, the cost of the nonpolar/semipolar substrates and the limited freedom of epitaxial growth for the quaternary AlGaInN compounds hinder the wide adoption of these solutions. On the other hand, due to the mobility and doping asymmetry for electrons and holes, the electron density is normally higher than the hole density in the quantum wells, and hence the Auger recombination can be effectively reduced if the electrons are evenly distributed in the quantum wells under high current injection level.

In this work, we proposed and demonstrated a LED architecture grown along the [0001] orientation with wide quantum well thickness of grading InN composition in the InGaN/GaN quantum wells. We achieved an enhanced level of optical power and a reduced efficiency droop both in numerical simulations and experimental measurements, which is well attributed to the Auger recombination rate suppression by the proposed structure. The computations show a more flattened conduction band and a more even electron distribution profile in the quantum wells for the proposed LED. The Auger recombination is found to be less supported in the proposed LED structure according to our calculations.

 

 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی
عنوان فارسی مقاله:

دیودهای ساطع کننده نور با چند چاه-کوانتوم با یک ترکیب InN درجه بندی برای حذف نوترکیبی Auger

عنوان انگلیسی مقاله:

InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with a grading InN composition suppressing the Auger recombination

 
 
 
 
 

 

 

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.