دانلود ترجمه مقاله جذب هیدروژن در لایه شبکه bcc وانادیوم با ترمودینامیک آماری – مجله الزویر

• فهرست مطالب:

مقدمه
رویه تجزیه و تحلیل ترمودینامیک آماری استاندارد
روابط فشار-دما-غلظت برای لایه های نازک شبکه (bcc VHx (001
تعیین مقدار پارامتر θ برای لایه های نازک شبکه (VHx (001
تجزیه و تحلیل لایه های نازک شبکه VHx در محدوده x کمتر از ۰٫۷۵
تجزیه و تحلیل لایه های نازک شبکه (VHx (001 در محدودهx های بالاتر از ۰٫۷۵
تجزیه و تحلیل با θ =۱ و θ′=۰
تجزیه و تحلیل با θ =۱ و θ′=۰٫۷۵
جمع بندی
۱٫ پیوست ها

• بخشی از ترجمه:

جمع بندی
روابط تعادلی P-T-C برای لایه های نازک شبکه bcc وانادیوم (۰۰۱) توسط اندرسون و همکارش به کمک ترمودینامیک آماری با این پیش فرض که E(H–H) در تمام محدوده در دمای مشخص همگن است آنالیز شد. پیش فرض دیگر، خطی بودن روابط K در مقابل T برای محدوده ترکیبات غیر استوکیومتری درون شبکه ای با رفرنس (۲) مقادیر Q و R ln fH برآورد شدند. با این حال برای لایه های های نازک شبکه bcc Hx (001) که با جاذب غیر هیدروژنی MgO محدود شده است، چنین مدل توسعه یافته آماری نشان داد که برای نمونه توده به طور مستقیم قابل اجرا نیست.
در مقابل شبکه bcc VHx که حلالیت حدی H بالاتر از x=0.55 نیست، حلالیت H در لایه های نازک شبکه bcc VHx (001) f به نسبت H/V افزایش می یابد که نزدیک به ۱٫۰ است. محدوده x<0.75 لایه های های نازک با ضخامت ۱۰۰ و ۵۰ نانومتر شبکه bcc VHx (001) به وسیله مدل آماری با θ=۰٫۷۵ مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفتند و مقدار تخمین شده Q قابل مقایسه با توده آنالیز شده VHx با θ=۰٫۵۵ است در حالی که Rln fH در لایه های های نازک شبکه bcc VHx(001) متفاوت از توده VHx می باشد. بنابراین، حلالیت توسعه یافته H در لایه های های نازک شبکه bcc VHx (001) در نتیجه حالت الکترونیکی اصلاح شده می باشد که تا حدود زیادی متاثر از ترم R ln fH در لایه های نازک بدون تغییر انرژی برهمکنش نزدیک ترین همسایه H–V است.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

Concluding remarks

Equilibrium P–T–C relationships reported for the epitaxial bcc V (001) thin films by Andersson et al. [1] were analysed in terms of statistical thermodynamics in which E(H–H) is assumed a priori to hold constant over a homogeneity composition range at any given T. With this a priori assumption, linear K vs. T relationships were derived for extensive range of bulk interstitial non-stoichiometric compounds and, with reference to Eq. (2), values of Q and R ln fH, were evaluated [6–۱۰,۱۳–۱۶]. However, for the epitaxial bcc VHx (001) thin films constrained over non-H absorbing MgO substrate, such simplifying statistical model developed for bulk specimen was demonstrated to be not straightforwardly applicable.

In contrast to the bulk bcc VHx in which the primary solid solubility limit of H was no higher than x=0.55, H solubility in the epitaxial bcc VHx (001) thin film was extended to H/V ratio close to 1.0. The range of xb0.75 in the epitaxial bcc VHx (001) thin films with thickness, 100 nm and 50 nm, was analysed by the statistical model with θ=۰٫۷۵ and the estimated values of Q were comparable to that in the bulk VHx analysed with θ=۰٫۵۵ whereas R ln fH in the epitaxial bcc VHx (001) thin film was different from that in the bulk VHx [6–۹]. Thus, the extended solubility of H in the epitaxial bcc VHx (001) thin film was concluded to be interpreted in terms of the modified electronic state affecting largely the R ln fH term in the thin film without altering much the nearest neighbour H–V interaction energy (the Q term).

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله