دانلود مقاله ترجمه شده اثر جابجاشدگی شیار در سلول خورشیدی GaAs و InGaP/GaAs بر سیلیسیم – مجله IEEE

ieee2

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

عنوان فارسی مقاله:

اثر جابجاشدگی شیار در طرح سلول های خورشیدی GaAs و InGaP/GaAs بر سیلیسیم با استفاده از تحلیل المان محدود

عنوان انگلیسی مقاله:

Impact of Threading Dislocations on the Design of GaAs and InGaP/GaAs Solar Cells on Si Using Finite Element Analysis

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار ۲۰۱۳
تعداد صفحات مقاله انگلیسی ۷ صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله مهندسی برق و مهندسی انرژی
گرایش های مرتبط با این مقاله فناوری های انرژی، انرژی تجدیدپذیر، مهندسی الکترونیک و افزاره های میکرو و نانو الکترونیک
مجله مجله فتوولتائیک – JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS
دانشگاه آزمایشگاه انرژی پایدار و دستگاه های پیشرفته، مهندسی برق و کامپیوتر، فناوری ویرجینیا، بلکسبرگ، ایالات متحده آمریکا
کلمات کلیدی III–V، مواد نیمه هادی، طول عمر حامل بار، سلول های فوتوولتایک، مدلسازی دستگاه نیمه هادی
شناسه شاپا یا ISSN ISSN ۲۱۵۶-۳۴۰۳
رفرنس دارد
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در سایت IEEE
نشریه آی تریپل ای

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه تایپ شده با فرمت ورد با قابلیت ویرایش و فونت ۱۴ B Nazanin ۱۴ صفحه
ترجمه عناوین تصاویر و جداول ترجمه شده است
ترجمه متون داخل تصاویر ترجمه نشده است
ترجمه متون داخل جداول ترجمه نشده است
درج تصاویر در فایل ترجمه درج شده است
درج جداول در فایل ترجمه درج شده است
درج فرمولها و محاسبات در فایل ترجمه به صورت عکس درج شده است

 


  • فهرست مطالب:

 

چکیده
مدل شبیه سازی
نتایج و تشریح مطالب
الف. سلول ۱J GaAs روی سیلیسیم
ب. سلول ۲J InGaP/GaAs روی سیلیسیم
ث. تطبیق جریان در سلول ۲J InGaP/GaAs روی سیلیسیم
د. اثر بازترکیب سطحی بر سلول ۲J InGaP/GaAs
نتیجه گیری

 


  • بخشی از ترجمه:

 

۴٫ نتیجه گیری
ما اثر TDD را بر عملکرد سلول های ۱J n+/p GaAs و ۲J n+/p InGaP/GaAs روی سیلیسیم در طیف AM1.5G مورد بررسی قرار دادیم. این تحلیل نشان می دهد که در یک سلول ۱J GaAs روی سیلیسیم با یک پایه GAAS به ضخامت ۲٫۵ میکرومتر، یک بازدهی بیشتر از ۲۳% را می توان در یک TDD برابر ۱۰۶cm-2 بدست آورد. برای هر دو آرایش سلول ۱J و ۲J، شروع کاهش در VOC این طور که مشخص گردید در یک TDD کمتر نسبت به JSC رخ می دهد که نشان دهنده آن است که V¬OC نسبت به TDD حساس تر است. سلول ۲J InGaP/GaAs در یک TDD برابر ۱۰۶cm-2 یک بازدهی ۲۶٫۲۲% در ازای پایه GAAS 2.5 میکرومتری و پایه InGaP 0.9میکرومتری نشان داد. طرح سلول ۲J InGaP/GaAs روی سیلسیم در یک TDD برابر ۱۰۶cm-2 بهینه سازی گردید تا تطبیق جریان بین دو سلول فرعی انجام شود. با باریک شدن سلول فوقانی InGaP از ۰٫۹ به ۰٫۳۸ میکرومتر، بازدهی سلول ۲J از %۲۶٫۲۲ به ۲۹٫۶۲% افزایش یافت. علاوه بر این، در لایه های میانی در سلول فرعی فوقانی GAP، SRVهای کمتر از ۱۰۴cm/s اثر ناچیزی بر عملکرد سلول ۲J داشتند. در نتیجه، حتی در یک سلول ۲J InGaP/GaAs با شبکه تطبیق داده شده بطور نامناسب روی سیلیسیم با مقدار TDD برابر ۱۰۶cm-2، یک بازدهی تبدیل تئوریک بیشتر از ۲۹% در طیف AM1.5G با مناسب سازی طرح دستگاه قابل حصول است. زمانی که این امر بطور آزمایشگاهی تحقق یابد، فناوری سلول III–V روی سیلیسیم یک نمونه جدید برای پیشرفت سلول های خورشیدی III–V عرضه خواهد کرد و راه های خلاقانه را برای کاربرد در فضا و کاربردهای زمینی توسعه خواهد داد.

 


  • بخشی از مقاله انگلیسی:

 

IV. CONCLUSION

We have investigated the impact of TDD on the performance of 1J n+ /p GaAs and 2J n+ /p InGaP/GaAs cells on Si at AM 1.5G spectrum. The analysis indicates that in a 1J GaAs cell on Si with a 2.5-μm-thick GaAs base, an efficiency of greater than 23% can be realized at a TDD of 106 cm−۲ . For both 1J and 2J cell configurations, the onset of degradation in Voc was found to occur at a lower TDD than in Jsc , indicating that Voc was more sensitive to TDD. The 2J InGaP/GaAs cell at a TDD of 106 cm−۲ exhibited an efficiency of 26.22% with a 2.5- and 0.9-μm-thick GaAs and InGaP base, respectively. The design of the 2J InGaP/GaAs cell on Si was optimized at a TDD of 106 cm−۲ to achieve current matching between the two subcells. By thinning the top InGaP cell from 0.9 to 0.38 μm, the 2J cell efficiency increased to 29.62% from 26.22%. In addition, at the interfaces in the top InGaP subcell, the SRVs below 104 cm/s had negligible impact on the 2J cell performance. Thus, even in a lattice-mismatched 2J InGaP/GaAs cell on Si with TDD of 106 cm−۲ , a theoretical conversion efficiency of greater than 29% at AM1.5G is achievable by tailoring the device design. Once experimentally realized, the III–V cell technology on Si would offer a new paradigm for the advancement of low-cost III–V solar cells and foster innovative avenues for both space and terrestrial applications.

 


 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسیطططظ

عنوان فارسی مقاله:

اثر جابجاشدگی شیار در طرح سلول های خورشیدی GaAs و InGaP/GaAs بر سیلیسیم با استفاده از تحلیل المان محدود

عنوان انگلیسی مقاله:

Impact of Threading Dislocations on the Design of GaAs and InGaP/GaAs Solar Cells on Si Using Finite Element Analysis

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

 

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *