دانلود مقاله ترجمه شده تقویت کننده دیفرانسیلی یکپارچه تابش میدانی خلا نانو الماس – مجله IEEE

ieee2

 

 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

تقویت کننده تفاضلی(دیفرانسیلی) تلفیقی تابش میدانی خلا نانو الماس

عنوان انگلیسی مقاله:

Nanodiamond Vacuum Field Emission Integrated Differential Amplifier

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

 

مشخصات مقاله انگلیسی (PDF)
سال انتشار  ۲۰۱۲
تعداد صفحات مقاله انگلیسی  ۷ صفحه با فرمت pdf
رشته های مرتبط با این مقاله  برق، فیزیک و شیمی
گرایش های مرتبط با این مفاله  اتمی مولکولی، شیمی فیزیک، شیمی آلی و برق الکترونیک
مجله  انجام معاملات در دستگاه های الکترونی (TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES)
دانشگاه  دپارتمان مهندسی برق و علوم کامپیوتر، دانشگاه واندربیلت، نشویل، آمریکا
کلمات کلیدی  تقویت کننده تفاضلی، مدار های تلفیقی، نانوالماس، ترانزیستور، تابش میدانی خلا
شناسه شاپا یا ISSN ISSN ۰۰۱۸-۹۳۸۳
لینک مقاله در سایت مرجع لینک این مقاله در سایت IEEE
نشریه آی تریپل ای

 

 

 

مشخصات و وضعیت ترجمه فارسی این مقاله (Word)
تعداد صفحات ترجمه مقاله ۱۴ صفحه با فرمت ورد، به صورت تایپ شده و با فونت ۱۴ – B Nazanin
توضیحات زیر تصاویر و جداول ترجمه توضیحات زیر تصاویر به صورت کامل انجام شده است. همچنین تمامی اشکال در فایل ترجمه درج شده اند.
فرمول ها و محاسبات تمامی فرمول ها و محاسبات به صورت عکس در فایل ترجمه درج شده اند.

 


 

  • فهرست مطالب:

 

 چکیده
۱ مقدمه
۲ تولید تقویت کننده تفاضلی خلا ND
۳ تعیین خصوصیات و مدل سازی تقویت کننده های تفاضلی
۴ نتیجه گیری

 


 

  • بخشی از ترجمه:

 

جزء اساسی یک مدار تقویت کننده تفاضلیND-VFET برای  IC خلا  ایجاد و  اجرا شد. فرایند میکروفابریکیشن شامل  استفاده از روش امیتر گیت انتقال قالب  همراه با رسوب ND و تقسیم بندی گیت برای  تولید جفت ND-VFET بر روی یک تراشه استفاده شد. جفت خصوصیات ترانزیستور   تابش میدانی  مطابقت خوبی را با ولتاژ روشن  پایین و جریان برخوردی به گیت  قابل چشم پوشی نشان داد. ND-VFETمدولاسیون یا تنظیم کنترل شده  گیت  تابش  را با  مناطق خطی و اشباع نشان داد. خصوصیات  تقویت سیگنال امپلی فایر های تفاضلی ND-VFET ارایه شده است. نسبت ردٌ مد-مشترک[سي ام آر آر ] یا  نسبت مقدار مؤثر ولتاژ تداخلي مد-مشترک  (CMRR)  به میزان ۵۴٫۶ dB برای  تقویت کننده تفاضلی اندازه گیری شد. تغییرات عملکرد CMRR با  رسانایی متقابل بررسی شده و نتایج با تحلیل  مدل مدار معادل هم خوانی داشت. رسیدن به این  جزء اساسی مدار، که متشکل از یک تقویت کننده تفاضلی است نشان دهنده امکان استفاده از مدار های تلفیقی خلا برای کاربرد های عملی از جمله ابزار های الکترونیکی فضایی متحمل به دما و  تابش بالا است.

 


 

  • بخشی از مقاله انگلیسی:

 

INTRODUCTION VACUUM FIELD EMISSION (VFE) microelectronics, relying on ballistic electron transport in vacuum, promises for high operation speed, low energy loss, and temperature and radiation immunity performance [1], [2]. Vacuum microelectronic devices are favorable for a variety of applications ranging from sensors and field emission displays to high-performance integrated circuits (ICs). VFE devices possess better noise immunity than solid-state devices and thereby can operate at Manuscript received September 11, 2012; revised October 25, 2012; accepted November 9, 2012. Date of publication December 7, 2012; date of current version December 19, 2012. The review of this paper was arranged by Editor M. Thumm. S.-H. Hsu, W. P. Kang, and J. L. Davidson are with the Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN 37235 USA (e-mail: weng.p.kang@vanderbilt.edu). J. H. Huang is with National Tsing Hua University, Hsinchu 300, Taiwan (e-mail: jihhuang@mx.nthu.edu.tw). D. V. Kerns, Jr., is with the Franklin W. Olin College of Engineering, Needham, MA 02492 USA. Color versions of one or more of the figures in this paper are available online at http://ieeexplore.ieee.org. Digital Object Identifier 10.1109/TED.2012.2228485 a much lower current with good noise rejection performance. VFE integrated devices and circuits are good for high-speed and high-power applications and in harsh environments including high temperature and high radiation. In the past, only few practical implementations of VFE devices at circuit level have been reported even though the concepts and modeling of vacuum ICs were described [3], [4]. Improvement in VFE device stability, particularly cathode reliability, is required for the practical implementation of vacuum microelectronic devices in ICs. Recent development of carbon-derived materials such as nanodiamond (ND) film and carbon nanotubes has revealed their superior electron field emission characteristics [5]–[۱۶]. ND possesses the unique properties of low electron affinity, thermal stability, and mechanical hardness, making it a robust cathode material for VFE devices [6], [7]. In addition, n-type conductivity can be achieved by in situ nitrogen doping in chemical-vapor-deposited (CVD) ND film, concomitantly providing a deliberate amount of sp2 graphitic inclusion in the sp3 diamond matrix with enhanced electron emission characteristics [8], [9]. Moreover, the small grain size and smooth surface morphology of ND allow compatible integration with silicon microfabrication and thus further facilitate the development of vacuum microelectronics via the mold-transfer self-aligned gate–emitter technique [17]. VFE transistors (VFETs) utilizing CVD ND as the emitters with low threshold voltage, stable emission current, and high voltage gain have been reported [10]–[۱۲], allowing their further implementations into vacuum ICs and logic gates. A realistic approach to demonstrate IC capability is the implementation of a differential amplifier (diff-amp), which is known to be the most important circuit building block used in analog and mixedsignal circuits of solid-state microelectronics. For instance, the input stage of an operational amplifier and the basic element of emitter-coupled high-speed logic [18], [19] incorporate the diff-amp. Our group created a VFE diff-amp based on carbonnanotube emitters in 2009 [16]. Recently, we have developed highly reliable nitrogen-incorporated ND cathodes for VFE devices [9]–[۱۵] and have considered their deployment in vacuum ICs [20]. In this paper, the fabrication processes, dc field emission, and ac amplification characteristics of an ND-VFET diff-amp are presented. The advantage of better noise rejection was demonstrated by choosing to operate the device at low current. The device performance including the common-moderejection ratio (CMRR), an important figure of merit for diffamp, has been evaluated by experimental measurement. The equivalent circuit analysis based on dc characteristics has also been performed to analyze the CMRR value. The successful implementation of the ND-VFET diff-amp demonstrates the feasibility of using vacuum ICs as an alternative electronic circuit for harsh environment operation. II. FABRICATION OF ND VACUUM DIFF-AMP Fig. 1 shows the schematic layout and fabrication scheme of the ND-VFET diff-amps on a chip. The IC chip consisting of an array of ND-VFETs, each has 80 × ۸۰ ND emitter tips, was fabricated by a simple dual-mask photolithography process on a silicon-on-insulator (SOI) substrate using a mold-transfer selfaligned gate–emitter technique. The high-conductivity active silicon layer of the SOI was used as the mold as well as the gate layer.


 

 

دانلود رایگان مقاله انگلیسی + خرید ترجمه فارسی

 

عنوان فارسی مقاله:

تقویت کننده تفاضلی(دیفرانسیلی) تلفیقی تابش میدانی خلا نانو الماس

عنوان انگلیسی مقاله:

Nanodiamond Vacuum Field Emission Integrated Differential Amplifier

  • برای دانلود رایگان مقاله انگلیسی با فرمت pdf بر روی عنوان انگلیسی مقاله کلیک نمایید.
  • برای خرید و دانلود ترجمه فارسی آماده با فرمت ورد، روی عنوان فارسی مقاله کلیک کنید.

 

 

 

ارسال دیدگاه

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *