دانلود ترجمه مقاله نفوذ حالت جامد در اتصالات نیکل تیتانیوم و تیتانیوم سیلسیم کاربید – مجله الزویر

• فهرست مطالب:

چکیده
۱-مقدمه
۲-دستورالعمل آزمایش
۳-نتایج و مباحث
۳٫۱ میکروساختار فصل مشترک NiTi-Ti3SiC2
۳٫۲ مشاهدات پراش الکترون پاششی و مکانیسم بازخورد آن
۳٫۳ سینتیک پیوند
۳٫۴ توصیف نقش مکانیکی
۳٫۴٫۱ بررسی دندانه های نانو
۳٫۴٫۲ روش سختی سنجی میکرو ویکرز
۴٫خلاصه و نتایج
تقدیر و تشکر

• بخشی از ترجمه:

۴٫خلاصه و نتایج
(۱) اتصال موفق بین اجزای جسم دارای حجم NiTi و Ti3SiC2 نیازمند نفوذ حالت جامد در محدوده دمایی ۸۰۰ تا ۱۰۰۰ درجه سانتی گراد و مدت زمان ۱ تا ۱۰ ساعت بجز دمای ۸۰۰ درجه سانتی گراد و زمان ۱ ساعت میباشد.ممکن است که یک بازخورد از زیر لایه ها در دمای ۸۰۰ درجه سانتی گراد در زمانن ۱ ساعتت شکل گیری کند اما این مورد قادر به تحمل تنش های باقیمانده حرارتی ناشی از سرد کردن در محدوده دمایی اتاق و بارگذاری های مجدد نمیباشد. (۲) برخورد فازها در فصل مشترک NiTi-Ti3SiC2 مشخص شده و مکانیسم بازخورد آنها مدنظر است.۳ تغییر فرم تمایزی بین لایه های فازی Ti2Ni و Ti5Si3 و NiTiSi و شکل گرفته بین نیکل تیتانیوم و Ti3SiC2 داشته بنابراین یک ساختار فصل مشترک جداگانه برای فازهای NiTi/Ti2Ni/Ti5Si3/NiTiSi/Ti3SiC2 بوجود آمده است.
(۳) ضخامت نهایی لایه های برخورد کرده با یکدیگر متناسب است با مربع زمان در هر دمایی که نشان دهنده مکانیسم نفوذ در حالت جامد در فصل مشترک بوده که بر اساس قانون سینتیکی پارابولیک میباشد.نفوذ سیلیسیم در نیکل تیتانیوم ناشی از Ti3SiC2 و نیکل ناشی از نیکل تیتانیوم در ناحیه برخورد با یکدیگر دلیلی برای شکل گیری لایه های برخورد در فصل مشترک میباشد.به هر حال عامل محدود کننده نفوذ سیلسیم از طرف Ti3SiC2 میباشد.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

۴٫ Summary and conclusions

(۱) Successful bonding between bulk NiTi and Ti3SiC2 components using solid state diffusion is realized in the temperature range of 800–۱۰۰۰ ۱C for the times of 1–۱۰ h except at 800 1C, 1 h. Possibly, a sub-micron reaction layer forms at the interface at 800 1C after 1 h, but it is unable to withstand the thermal residual stresses generated during cooling to the room temperature, leading to debonding. (2) The reaction phases in the NiTi–Ti3SiC2 interface are characterized and the reaction mechanisms are proposed. Three uniform, distinct layers of Ti2Ni, Ti5Si3, NiTiSi phases are formed between NiTi and Ti3SiC2, thus making the interfacial structure of the form NiTi/Ti2Ni/Ti5Si3/NiTiSi/ Ti3SiC2. (3) The overall reaction layer thickness grows with a square root of the time at each temperature indicating that mechanism of solid state diffusion in the interface follows a parabolic kinetic law. Diffusion of Si into NiTi from Ti3SiC2 and Ni from NiTi into the reaction zone is responsible for the formation of reaction layers in the interface and thus for the bonding at these conditions. However, the rate limiting step is diffusion of Si from Ti3SiC2.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله