دانلود ترجمه مقاله توصیف نانوبلورها با استفاده از بیضی سنجی طیف نما

• بخشی از ترجمه:

چکیده
اولین کاربرد الیپسومتری برای اندازه گیری پوشش های نازک پلی- و نانوکریستال به دهه ها پیش بر می گردد. مهمترین گام در مسیر تحقیقات الیپسومتری پوشش های نازک کامپوزیت، شناخت اولین الیپسومتری طیف نما در دهه ٧٠ بوده است [٣, ۴, ٨]، که امکان اندازه گیری نقش دی الکتریک را امکان پذیر ساخت، که جزء انگاری آن مستقیما در ارتباط با حساسیت وضعیت چگالی مشترک الکترونیک بوده که بستگی به تغییرات ساختار کریستال دارد. اولین مدل ها بر مبنای روش میانگین موثر با استفاده از عوامل سارنده توابع دی الکتریک [۵] بوده، درحالیکه بخش حجیمی از موئلفه ها در ارتباط با ویژگی های کریستال با پوشش نازک می باشند. این روش بر مبنای نیرومندی اش، محبوب می باشد.
روش حد وسط موثر، توسط مجموعه ای از مدل های تحلیلی مختلف بر مبنای پارامتربندی تابع دی الکتریک، دنبال شد. این مدل ها امکان تعیین خصوصیات مواد را در مواردی می دهند که مواد نمی تواند به عنوان ترکیب همگنی از فازها با توابع دی الکتریک شناخته شده، مد نظر قرار گیرد. این مدل ها همچنین می تواند برای ذرات کوچکی که تاثیر اندازه را نشان می دهند ( و ساختار الکترونیکی اصلاح شده و تابع دی الکتریک) یعنی ذراتی که نمی توانند توسط برگشت های حجیم مدلسازی گردند، مورد استفاده قرار گیرد.
علاوه بر خصوصیات نانوکریستال، روش الیپسومتری امکان توصیف خوصیات لایه های بیشتر همانند کیفیت رابط ( برای نمونه، سختی نانو در مرزهای لایه)، غیریکنواختی عرضی و عمودی یا ضخامت ساختارهای چندلایه را ایجاد می کند.
٢. مبانی الییپسومتری
اگر نور پلاریزه (قطبی شده) بر روی کران دو وسیله بازتاب داده شود، حالت پلاریزه نور بازتاب داده شده به صورت مستتر (بیضی شکل)، مدوّر، یا خطی بوده که بستگی به ویژگی های نمونه دارد. در اکثر موارد نور بازتاب داده شده به صورت پلاریزه بیضی شکل می باشد، به همین خاطر است که این روش به نام الیپسومتری می باشد. الیپسومتری مستقیما به اندازه گیری تغییرات پلاریزاسیون که از طریق بازتاب ایجاد می گردد، می پردازد. یعنی نسبت بازتاب پیچیده به صورت زیر تعریف می گردد.

• بخشی از مقاله انگلیسی:

۱٫ Introduction

First applications of ellipsometry to the measurement of poly- and nanocrystalline thin films date back to many decades. The most significant step towards the ellipsometric investigation of composite thin films was the realization of the first spectroscopic ellipsometers in the ’۷۰s [3, 4, 8], which allowed the measurement of the dielectric function, the imaginary part of which is directly related to the joint density of electronics states sensitively depending upon the changes of the crystal structure. The first models were based on the effective medium approach using constituents of known dielectric functions [5], whereas the volume fraction of the components can be related to the crystal properties of the thin films. This approach is popular ever since, based on its robustness. The effective medium methods have been followed by a range of different analytical models based on the parameterization of the dielectric function. These models allow the determination of the material properties also in cases when the material cannot be considered as a homogeneous mixture of phases with known dielectric function. These models can also be used for small grains that show size effects (and hence a modified electronic structure and dielectric function), i.e. for grains that can not be modeled by bulk references. Additional to the nanocrystal properties, the ellipsometric approach allows the sensitive characterization of further layer characteristics like the interface quality (e.g. nanoroughness at the layer boundaries), the lateral or vertical inhomogeneity or the thicknesses in multi-layer structures.

دانلود رایگان مقاله انگلیسی

خرید ترجمه فارسی مقاله