دانلود ترجمه مقاله بهبود برنامه های کاربردی با نویز پایین توسط ترانزیستور با بسامد زیاد

فهرست مطالب:

چکیده

 مقدمه

مدل نویز فرکانس بالای HEMT

مدلهای نویز با فرکانس بالا MOSFET
مدل نویز با فرکانس بالای SiGe HBT

بخشی از ترجمه:

مقدمه
شهرت قابل توجه تلفن های سیار محرکی برای مدارهای مجتمع و کم هزینه برای فرستنده و گیرنده با فرکانس رادیویی  (RF)  قلمداد می شود. RF از مدارهای میزان شده با فیلترهای گسسته و سطح پائین مجتمع سازی استفاده می کند.  با توجه به هزینه و چگالی مجتمع سازی، نیمه هادی اکسید فلز مکمل (CMOS) یک نوع فناوری مناسب برای انجام ترکیبی از کارهای آنالوگ و دیجیتالی به شمار می رود. بنابراین ، توصیف ویژگیای دستگاه RF CMOS و طراحی مدار از اهمیت بسزایی برخوردار می باشد. بلوک های ساختمانی بی سیم انفرادی مانند آمپلی فایر کم نویز، آمپلی فایر جریان قوی یا میکسر با عملکرد عالی را با کمک سایر تکنولوژیها از جمله دوقطبی سیلیکونی (BJT) ، ترانزیستور دو قطبی غیر هم ساختار (HBT) یاترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی فلز GaAs (MEFET) ساخت. هدف این مقاله، مقایسه ویژگیهای   با توجه به نویز با   و ترانزیستور الکترونی پرتحرک کاذب GaAs (HEMT) می باشد.

بخشی از مقاله انگلیسی:

Introduction

The spectacular popularity of mobile telephones drives the demand for low cost and highly integrated circuits alsofor the radio frequency (RF) transmitter and receiver. This RF frontend is still using tuned circuits with discretefilters and a low level of integration. With regard to costs and integration density complementary metal oxidesemiconductor (CMOS) is the technology of choice to permit a free mixture of analog and digital functions.Therefore great interest exists in RF CMOS device characterisation as well as circuit design. Individual wirelessbuilding blocks like low noise amplifier, mixer or power amplifier can be fabricated with superior performanceusing other technologies like silicon bipolar (BJT), heterostructure bipolar transistor (HBT) or GaAs metalsemiconductor field effect transistors (MESFET). The object of this article is to compare the MOSFET RFcharacteristics in regard to noise with a SiGe HBT and a GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(HEMT).II. High Frequency Noise Model of HEMTThe high frequency noise mechanism of FETs was first calculated by van der Ziel [1] using a gate and drain currentnoise source 2d2ig and i , and their correlation function ∗igid . More recently, Pospieszalski [2] proposed an alternativehigh-frequency noise model neglecting any correlation between the input voltage noise source and drain currentnoise source. The well-known small-signal equivalent circuit of the FET is used in the common source connection.Therefore we used for all three transistors their small-signal equivalent circuit model with the element values of theoperating point and all resistive elements exhibit a noise contribution determined by the physical temperature of thedevice. This two port noise representation is applied to the MOSFET as well as the HEMT with the findings of [2]and [3], that the input voltage noise source is equivalent to the thermal noise of the real part of the input admittance.The only additional noise source for the field effect transistors is caused by the diffusion noise of the channel currentand related to the voltage controlled current source. The small-signal equivalent circuit model of [2], which wasextended for large signal applications in [4], is used for the HEMT as shown in Fig. 1 with the adequate noisesources. The excellent agreement of measured and simulated noise parameters using this temperature noise modelwas reported by several authors e.g. [2], [3], [5].