دانلود ترجمه مقاله متد رسوب دهی شیمیایی بخار در ترکیب لایه اتمی MoS2 (ساینس دایرکت – الزویر 2016) (ترجمه ویژه – طلایی ⭐️⭐️⭐️)

متد رسوب دهی شیمیایی بخار بدون هیدروژن و پرومتر در ترکیب لایه اتمی MoS2 دو بعدی در اندازه بزرگ

Synthesis of large-scale 2-D MoS2 atomic layers by hydrogen-free and promoter-free chemical vapor deposition

چکیده

1. مقدمه

2. آزمایش

3. نتایج و بحث

4. خلاصه

چکیده

به عنوان یکی از دی کالگونیدهای فلزات واسطه 2 بعدی، مولیبدنیوم دی سولفید نازک اتمی (MoS2) در کاربردهای میکرو و نانوالکترونیک، توجه تحقیق را به خود جلب کرده است. در این راستا تلاشهایی در جهت توسعه شیوه های مختلف دستیابی به MoS2 لایه اتمی صورت گرفته است که از این جمله می توان به پوسته پوسته شدن، سنتز شیمیایی و فرایندهای رسوب دهی فیزیکی یا شیمیایی بخار (CVD) اشاره نمود. در این مقاله، رشد CVD بدون هیدروژن و بدون پرومتر برای سنتز لایه های اتمی MoS2 در مقیاس بزرگ را گزارش می کنیم. از تکنیک های گوناگونی مثل میکروسکوپی نوری (OM)، میکروسکوپی نیروی اتمی (AFM)، نگاشت فوتولومینسانس (PL)، طیف بینی فوتوالکترونی اشعه x و رامان (XPS)، میکروسکوپی الکترونی با وضوح بالا (HREM) ، و میکروسکوپی الکترون روبشی عبوری (STEM) برای توصیف کیفیت فیلم، یکنواختی و تعداد لایه استفاده گردید. لایه های اتمی MoS2 در اندازه سانتی متر با کیفیت بالا شرح داده شدند، آنها بنیانی برای توسعه پلتفرم ماده ای در اندازه ویفر برای ساخت و تولید وسیله تشکیل می دهند.

4. خلاصه

در این مقاله، روش تهیه MoS2 در مقیاس بزرگ و با کیفیت بالا در بلورها با فرایند CVD را مطرح کردیم. فیلم های MoS2 تک لایه و چند لایه برروی زیرلایه SiO2/Si در اندازه سانتی متر، سنتز شدند. اندازه و یکنواختی فیلم ها، ضخامت و تعداد لایه، کیفیت بلور، خصوصیات نوری، و پیکره بندیهای شیمیایی با تکنیک های گوناگونی توصیف شدند. نتایج بدست آمده تائید می کند که رشد فیلم MoS2 در مقیاس ویفر، برای تحقق کاربردهایش در الکترونیک، امیدوارکننده است.

Abstract

As one of the two-dimensional (2-D) transition metal dichalcogenides, atomically thin molybdenum disulfide (MoS2) has attracted significant attention and research interests for micro and nanoelectronic applications. Significant efforts have been made to develop different approaches in order to obtain atomic layer MoS2, such as exfoliation, chemical synthesis, and physical or chemical vapor deposition (CVD) processes. In this paper, we report a hydrogen-free and promoter-free CVD growth to synthesize large-area MoS2 atomic layers. A variety of techniques including optical microscopy (OM), atomic force microscopy (AFM), photoluminescence (PL) mapping, Raman and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), high resolution electron microscopy (HREM) and scanning transmission electron microscopy (STEM) were applied to characterize the film quality, uniformity and layer numbers. High quality centimeter-sized MoS2 atomic layers were demonstrated, which form a foundation to develop wafer-sized material platform for device fabrication and production.

4. Summary

In this paper we presented preparation of high quality and large area MoS2 at crystals by CVD process. Monolayer and fewlayered MoS2 films were synthesized on a centimeter-sized SiO2/Si substrate. The size and uniformity of the films, the thickness and layer numbers, crystal quality, optical property and chemical configurations were characterized by a variety of techniques. The results confirm that it is promising to grow wafer scale MoS2 film to realize its applications in electronics.

تصویری از مقاله ترجمه و تایپ شده در نرم افزار ورد

متد رسوب دهی شیمیایی بخار بدون هیدروژن و پرومتر در ترکیب لایه اتمی MoS2 دو بعدی در اندازه بزرگ

Synthesis of large-scale 2-D MoS2 atomic layers by hydrogen-free and promoter-free chemical vapor deposition